脚200、220、230的第一侧201。光电子半导体芯片100与第一接触引脚220之间的导电连接530由此沿着模制体430的第一凹陷410的第一拐角区411延伸。光电子半导体芯片100与第二接触引脚200、230之间的导电连接530沿着模制体部分430的第一凹陷410的第二拐角区412延伸。
[0063]在光电子部件10的模制体部分430的凹陷的上表面403之上布置光学透镜600。在示出的示例中，光学透镜600是球形透镜。然而，光学透镜600可以具有不同的形状。光学透镜600被精确地定向在光电子半导体芯片100的第一表面101之上，从而形成福射通道区域。这通过光学透镜600与模制体部分430的第一凹陷410的边界邻接来实现。第一凹陷410的边界因此形成调整区域610。调整区域610与光电子部件10的模制体部分430整体地形成。由第一凹陷410形成的调整区域610处的光学透镜600的邻接在不要求用于此目的的光学透镜600的复杂放置的情况下允许光学透镜的自对准布置和对准。沿着第一凹陷410的拐角区411、412延伸的导电连接530不受光学透镜600影响。
[0064]在将光学透镜600布置在模制体部分430的凹陷的上表面403之上之前，第一凹陷410和/或第二凹陷420可以可选地被完全或部分填充有硅酮材料或者填充有不同的材料。填充的材料可以可选地含有用于波长转换的颗粒。
[0065]已经结合优选的实施例详细地描绘和描述了本发明。然而，本发明不限于公开的示例。更确切地说，在不超出保护范围的情况下，本领域技术人员可以设计其它变体。
[0066]参考列表 10光电子部件 100光电子半导体芯片 101第一表面 102第二表面 103第一电接触 104第二电接触 105第一接触焊盘(金属化部)
110牺牲层 120半导体晶片 121第一表面 122第二表面 200接触引脚 201第一侧 202第二侧
203第二接触焊盘(金属化部)
210接触引脚牺牲层
220第一接触引脚
230第二接触引脚
300芯片载体
301载体表面
310粘合层
400模制体
401上表面
402底表面
403凹陷的上表面
410第一凹陷(经由芯片)
411第一拐角区 412第二拐角区 420第二凹陷(经由接触引脚)
430模制体部分 500电路载体 510第一载体金属化部 520第二载体金属化部 530导电连接(接合导线)
600光学透镜 610调整区域
【主权项】
1.一种制造光电子部件(10)的方法，包括以下步骤: -提供具有第一表面(101)的光电子半导体芯片(100); -将牺牲层(110)沉积在第一表面(101)上； -形成模制体(400)，光电子半导体芯片(100)被至少部分嵌入在模制体(400)中； -去除牺牲层(110)。2.根据权利要求1所述的方法， 其中在去除牺牲层(110)之前，执行下面的步骤: -部分去除模制体(400)以便致使牺牲层(110)能接近。3.根据前述权利要求中的任何一个所述的方法， 光电子半导体芯片(100)的第一表面(101)被提供用于电池辐射的通道。4.根据前述权利要求中的任何一个所述的方法， 其中具有布置在接触引脚(200 )上的接触弓I脚牺牲层(210 )的导电接触引脚(200 )与光电子半导体芯片(100) —起被嵌入在模制体(400)中， 其中接触引脚牺牲层(210)与牺牲层(110)—起被去除。5.根据权利要求4所述的方法， 包括下面的进一步步骤: -在光电子半导体芯片(100)的第一表面(101)处布置的电接触(103)与接触引脚(200)之间建立导电连接(530)。6.根据前述权利要求中的任何一个所述的方法， 包括下面的进一步步骤: -在模制体(400 )的顶表面(401)上布置光学透镜(600 )。7.根据前述权利要求中的任何一个所述的方法， 其中光电子半导体芯片(100)被嵌入到模制体(400)中，使得光电子半导体芯片(100)的第二表面(102)与模制体(400)的底表面(402)齐平。8.根据权利要求7所述的方法， 在形成模制体(400)之前，执行下面的步骤: -将光电子半导体芯片(100)布置在载体(300)上，光电子半导体芯片(100)的第二表面(102 )被定向成朝着载体(300 )的上表面(301)。9.根据前述权利要求中的任何一个所述的方法， 其中在沉积牺牲层(110)与形成模制体(400)之间将光电子半导体芯片(100)从晶片(120)中取出。10.根据前述权利要求中的任何一个所述的方法， 其中将多个光电子半导体芯片(100)共同地嵌入到模制体(400)中，其中模制体(400)被划分以便获得多个光电子部件(10 )。11.一种光电子部件(10)， 包括具有第一表面(101)的光电子半导体芯片(100)， 光电子半导体芯片(100)被嵌入在具有上表面(403)的模制体(400)中， 光电子半导体芯片(100)的第一表面(101)在模制体(400)的上表面(403)处是能接近的，模制体(400)的上表面(403)关于光电子半导体芯片(100)的第一表面(101)是升高的。12.根据权利要求11所述的光电子部件(10)， 光电子半导体芯片(100)的第一表面(101)被提供用于电磁福射的通道。13.根据权利要求11和12中的任何一个所述的光电子部件(10)， 光学透镜(600)被布置在模制体(400)的上表面(403)处。14.根据权利要求13所述的光电子部件(10)， 光学透镜(600)邻接与模制体(400)整体地形成的调整结构(610)。15.根据权利要求11到14中的任何一个所述的光电子部件(10)， 导电接触引脚(200 )被嵌入在模制体(400 )中， 接触引脚(200)在模制体(400)的上表面(403)处是能接近的， 在光电子半导体芯片(100)的第一表面(101)处布置的电接触(103)与接触引脚(200)处于导电连接。16.根据权利要求11到15中的任何一个所述的光电子部件(10)， 光电子半导体芯片(100)的第二表面(102)在模制体(400)的底表面(402)处是能接近的，并且与模制体(400)的底表面(402)齐平。17.根据权利要求16所述的光电子部件(10)， 金属化部(105)被布置成在光电子半导体芯片(100)的第二表面(102)处。
【专利摘要】本申请涉及包括以下步骤的制造光电子部件的方法：提供具有第一表面的光电子半导体芯片；在第一表面上沉积牺牲层；形成模制体，其中光电子半导体芯片被至少部分嵌入在该模制体中；以及去除牺牲层。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/54
【公开号】CN104995754
【申请号】CN201480009843
【发明人】T.瓦尔格赫塞, H-J.卢高尔, T.施瓦茨, S.伊莱克, J.莫斯布尔格
【申请人】奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2014年1月15日
【公告号】DE102013202910A1, WO2014127934A1