光半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及光半导体装置的制造方法，详细而言，涉及制造利用荧光体片被覆光 半导体元件的光半导体装置的方法。
【背景技术】
[0002] 迄今为止，已知利用包含荧光体的荧光体片被覆LED进行封装，制造LED装置的技 术。
[0003] 在这样的LED装置中，利用荧光体片对自LED发出的光进行波长转换，将进行了波 长转换的光照射到外部。
[0004] 自LED装置照射的光的色温不仅取决于LED的发光波长，还很大程度地取决于例 如荧光体片的光学特性，具体为荧光体片的形状、荧光体片相对于LED的配置、荧光体片中 的荧光体的含有比例等。
[0005] 因此，作为能够照射所期望的色温的光的LED装置的制造方法，提出了以下的方 法（例如参见下述专利文献1。）。
[0006] 即，在下述专利文献1中，由注入了荧光体的柔软的胶囊材料预形成荧光体片，将 该荧光体片盖在安装于基板的LED上，其后，对LED施加电压，使LED发光，测定色温进行检 测。
[0007] 在检测中，如果色温合适，则在检测后通过加热使荧光体片固化，对LED及基板进 行永久性的层压处理。
[0008] 另一方面，在检测中如果色温不合适，则在检测后将荧光体片从LED及基板剥离， 接着将其它种类的荧光体片再次盖在安装于基板的LED上，其后，与上述同样地进行检测。
[0009] 下述专利文献1所提出的方法中，如果色温不合适，则将荧光体片替换为其它的 荧光体片，而安装于基板的LED能够原样进行再利用，因此，提高了基板及LED的成品率。
[0010] 现有技术文献
[0011] 专利文献
[0012] 专利文献1 :日本特开2007-123915号公报
【发明内容】
[0013] 发明要解决的问题
[0014] 但是，在上述专利文献1所提出的方法中，固化前的荧光体层容易因固化而产生 伴随固化收缩的翘曲等变形，出现这样的情况时，自LED发出的光在荧光体层的光程会发 生改变。因此，固化后的荧光体层的光学特性和检测时的固化前的荧光体层的光学特性会 产生大的偏差（变化）。
[0015] 其结果，存在不易获得目标LED装置的不良情况。
[0016] 此外，在上述专利文献1所提出的方法中，如果使固化前的荧光体片在检测前固 化，则在检测中，在色温不合适的情况下，由于C阶化了的荧光体片与基板及LED粘接，因 此，存在不能再利用基板及LED的不良情况。
[0017]进而，根据上述专利文献1提出的方法，最初要对每个产品进行检测来判断色温 是否合适，在色温不合适的情况下，每次都要更换荧光体片，因此，存在不能充分提高LED 装置的制造效率的不良情况。
[0018]本发明的目的在于，提供一种光半导体装置的制造方法，其不仅使用B阶的荧光 体片，还一边谋求制造效率的提高一边提高制造条件的精度，由此能够得到发光可靠性优 异的光半导体装置。
[0019] 用于解决问题的方案
[0020] 本发明的光半导体装置的制造方法的特征在于，其是制造利用荧光体片被覆光半 导体元件的光半导体装置的方法，其具备以下工序：试制工序，试制试制品来进行评价；决 定工序，根据前述试制品的评价来决定用于制造前述光半导体装置的制造条件；以及制造 前述光半导体装置的制造工序，根据在前述决定工序中决定的前述制造条件，利用B阶的 前述荧光体片被覆前述光半导体元件，将该荧光体片C阶化，前述试制工序具备如下工序： 清漆制备工序，制备含有荧光体及固化性树脂的清漆；B阶化工序，由前述清漆形成B阶的 前述荧光体片；C阶化工序，将B阶的前述荧光体片C阶化；以及评价工序，对C阶的前述荧 光体片进彳T评价。
[0021] 根据该方法，决定工序根据包含C阶的荧光体片的试制品的评价来决定制造条 件。接着，制造工序根据在决定工序中决定的制造条件来制造光半导体装置。
[0022] 在这样的情况下，作为评价对象的试制品的荧光体片为C阶。因此，制造条件中会 考虑到荧光体片的由上述C阶化引起的光学特性的变化。
[0023]其结果，在制造工序中，能够制造发光可靠性优异的光半导体装置。
[0024]而且，由于根据基于试制品的评价所决定的制造条件来制造光半导体装置，因此， 能够以优异的精度量产光半导体装置。因此，能够充分提高光半导体装置的制造效率。
[0025]此外，在本发明的光半导体装置的制造方法中，优选的是，在前述C阶化工序中， 利用前述荧光体片被覆前述光半导体元件，在前述评价工序中，对利用前述荧光体片被覆 了前述光半导体元件的前述光半导体装置进行评价。
[0026]根据该方法，在C阶化工序中，利用荧光体片被覆光半导体元件。即，能够使利用 荧光体片被覆光半导体元件而得到的试制品与作为实际产品的光半导体装置为相同的构 成。
[0027] 因此，能够根据与实际产品构成相同的试制品的评价来决定实际产品的制造条 件。
[0028]其结果，能够精度更好地决定制造条件，能够制造发光可靠性更优异的光半导体 装置。
[0029]此外，在本发明的光半导体装置的制造方法中，优选的是，前述试制工序还具备如 下工序：试制条件决定工序，根据本次之前试制前述试制品的试制条件以及评价的信息来 决定本次用于试制前述试制品的试制条件。
[0030]根据该方法，根据本次之前试制试制品的试制条件以及评价的信息来决定本次用 于试制试制品的试制条件，因此，能够积累本次之前试制的试制条件，能够根据积累的试制 条件及评价来提高制造条件的精度。因此，能够得到发光可靠性优异的光半导体装置。
[0031] 发明的效果
[0032] 根据本发明，能够精度更好地决定制造条件，能够得到发光可靠性更优异的光半 导体装置。此外，能够充分提高光半导体装置的制造效率。
【附图说明】
[0033] 图1表示作为本发明的光半导体装置的制造方法的一个实施方式的LED装置的制 造方法的流程图。
[0034] 图2表示图1所示的试制工序的流程图。
[0035] 图3表示图1所示的制造工序的流程图。
[0036] 图4是用于说明图2的试制工序中的清漆制备工序的图。
[0037] 图5是用于说明图2的试制工序中的B阶化工序的清漆的涂布的图。
[0038] 图6是用于说明图2的试制工序中的B阶化工序的清漆的加热的图。
[0039] 图7是用于说明图2的试制工序中的C阶化工序的利用B阶的荧光体片被覆LED 之前的状态的图。
[0040] 图8是用于说明图2的试制工序中的C阶化工序的利用B阶的荧光体片被覆LED 之后的状态的图。
[0041] 图9是图2所示的试制工序的变形例。
【具体实施方式】
[0042] 参照图1~图8对作为本发明的光半导体装置的制造方法的一个实施方式的LED 装置1的制造方法进行说明。
[0043] LED装置1的制造方法是制造如图8所参照的那样的作为光半导体装置的LED装 置1的方法，所述LED装置1利用荧光体片2被覆作为光半导体元件的LED3。
[0044] LED装置1的制造方法如图1所示具备如下工序：试制工序S1，试制试制品6来进 行评价；决定工序S2,根据试制品6的评价来决定用于制造LED装置1的制造条件；以及制 造LED装置1的制造工序S3,根据在决定工序中决定的制造条件，利用B阶的荧光体片2被 覆LED3,将该荧光体片2C阶化。
[0045][试制工序Sl]
[0046] 试制工序Sl利用与以下说明的制造工序S3相同的制造装置（制造设备）。此外， 试制工序Sl中，试制与在制造工序S3中量产的LED装置1相比相对少量的试制品6。试 制工序Sl中试制的LED装置1的数目例如为100以下、优选为10以下，且例如为1以上。 即，在试制工序Sl中小规模地试制试制品6。需要说明的是，LED装置1的数目与LED3的 数目无关，与1个基板5对应而计算为1个。
[0047] 试制工序Sl如图2所示具备如下工序：试制条件决定工序S4;清漆制备工序S5， 制备包含荧光体及固化性树脂的清漆；B阶化工序S6,由清漆形成B阶的荧光体片2 ;C阶化 工序S7,将B阶的荧光体片2C阶化；以及评价工序S8,对C阶的荧光体片2进行评价。
[0048] 在试制工序Sl中，清漆制备工序S5、B阶化工序S6及C阶化工序S7分别根据在 试制条件决定工序S4中决定的试制条件来实施。
[0049] <试制条件决定工序S4 >
[0050] 试制条件决定工序S4是如下的工序：根据在本次之前试制试制品6的试制条件及 评价的信息来决定本次用于试制试制品6的试制条件。
[0051] 作为试制条件的信