紫 外灯等对荧光体片2照射紫外线。
[0130] 由此，试制具备荧光体片2、利用荧光体片2封装的LED3和安装有LED3的基板5 的试制品6。
[0131] 图8中，在1个试制品6中设置多个（3个）LED3。
[0132] 其后，将脱模片4如图8的虚线所示从荧光体片2剥离。
[0133] 需要说明的是，其后，根据需要，在多个LED3安装于1个基板5的情况下，还可以 对应于各LED3将荧光体片2切断而单片化。
[0134] <评价工序S8>
[0135] 在评价工序S8中，为了评价C阶的荧光体片2,实施例如在试制品6 (具体为利用 荧光体片2被覆LED3的试制品6)的基板5的导体图案（未图示）中流通电流、使LED3发 光的点亮试验。
[0136] 具体而言，在点亮试验中，在试制品6的基板5中流通电流，测定刚流通电流后的 光的色温和/或总光通量。
[0137] 具体而言，将试制品6供给于点亮试验时，光的色温的测定值作为试制品6的评价 记录在图2所示的记录工序S9中。
[0138] 具体而言，在记录工序S9中，记录试制品6的试制条件及评价，作为过去（以前） 的试制品6的信息保存。
[0139][决定工序S2]
[0140] 决定工序S2是在试制工序Sl之后实施的工序。在决定工序S2中，根据试制品6 的评价来决定用于制造LED装置1的制造条件。
[0141] 例如，根据在试制工序Sl中记录的试制条件及评价来决定制造条件。
[0142] 具体而言，如果试制品6的光的色温的测定值在目标范围内，则记录工序S9中记 录的试制条件就会直接成为制造条件。
[0143] 目标的光的颜色为自然白时，目标色温例如为4600K以上、且例如为5500K以下。 此外，目标的光的颜色为暖白时，目标色温例如为3250K以上、且例如为3800K以下。
[0144] 而如果试制品6的光的色温的测定值在目标范围外，则从记录工序S9中记录的试 制条件及评价中以成为目标色温的方式决定制造条件。具体而言，以成为目标色温的方式 修改试制条件，作为制造条件。例如，如上所述，修改与清漆相关的信息、与基板5相关的 信息、与荧光体片2相关的信息，优选修改与清漆相关的信息，更优选修改荧光体的配混比 例、荧光体的形状、荧光体的最大长度的平均值、荧光体的吸收峰波长等，作为制造条件。
[0145][制造工序S3]
[0146] 参照图1，制造工序S3是在决定工序S2之后实施的工序。制造工序S3是根据在 决定工序S2中决定的制造条件来制造LED装置1的工序。
[0147] 制造工序S3如图3所示，具备清漆制备工序Sll、B阶化工序S12及C阶化工序 S13〇
[0148] 制造工序S3 (图1)中，除根据在决定工序S2中决定的制造条件以外，与试制工序 Sl中的清漆制备工序S5、B阶化工序S6及C阶化工序S7各工序（图2)同样地实施清漆 制备工序Sll、B阶化工序S12及C阶化工序S13各工序。
[0149] 由此制造与试制品6结构相同的LED装置1。
[0150] 制造工序S3中量产的LED装置1的数目例如为100以上、优选为500以上、更优 选为1000以上、且例如为100000以下。
[0151] 此外，根据该方法，决定工序S2根据包含C阶的荧光体片2的试制品6的评价来 决定制造条件。而且，制造工序S3根据在决定工序中决定的制造条件来制造LED装置1。
[0152] 在这样的情况下，作为评价对象的试制品6的荧光体片2为C阶。因此，制造条件 中会考虑到荧光体片2的由上述C阶化引起的光学特性的变化。具体而言，制造条件会预 先考虑到由因阶化而发生的伴随固化收缩的翘曲等变形引起的荧光体片2的光学特性的 变化。
[0153] 其结果，在制造工序S3中，能够制造发光可靠性优异的LED装置1。
[0154] 而且，由于根据基于试制品6的评价来决定的制造条件来制造LED装置1，因此，能 够以优异的精度量产（即大量生产）LED装置1。因此，能够充分地提高LED装置1的制造 效率。
[0155] 需要说明的是，试制工序Sl及决定工序S2在用于量产不同类型的LED装置1的制 造工序S3之前实施。进而，在荧光体和/或LED3发生批次变更的情况下，每当它们发生变 更时、具体而言每当荧光体的最大长度的平均值、吸收峰波长、LED3的发光峰波长变更时， 实施试制工序Sl及决定工序S2。
[0156] (变形例）
[0157] 对于图8所示的实施方式，在C阶化工序S7中，首先，利用B阶的荧光体片被覆 LED3,接着，将B阶的荧光体片2C阶化。但是，例如，也可以将图6所参照的层叠于脱模片 4的B阶的荧光体片2直接C阶化。
[0158] 该情况下，在评价工序S8中，测定伴随C阶的荧光体片2的固化收缩的翘曲量。翘 曲量为焚光体片2的中央部向下侧凹陷的凹陷量与边缘部向上侧突出的突出量之差。
[0159] 优选的是，如图8所示的实施方式那样，在C阶化工序S7中，首先，利用B阶的荧 光体片2被覆LED3,接着，将B阶的荧光体片2C阶化。
[0160] 利用这样的方法，能够使利用荧光体片2被覆LED3而得到的试制品6与作为实际 产品的LED装置1成为相同的结构。
[0161] 因此，能够根据与实际产品（LED装置1)结构相同的试制品6的评价来决定实际 产品（LED装置1)的制造条件。
[0162] 其结果，能够精度更好地决定制造条件，能够制造发光可靠性更优异的LED装置 Io
[0163] 此外，在图2的实施方式中，试制条件决定工序S4根据之前的试制条件及评价的 信息来决定试制条件，但是，例如也可以如图9所示，不根据之前的试制条件及评价的信息 而是根据在记录工序S9中记录的试制条件及评价在图1所示的决定工序S2中预测制造条 件并决定。
[0164] 优选的是，在试制条件决定工序S4中，根据之前的试制条件及评价的信息来决定 试制条件。
[0165] 利用这样的方法，能够积累本次之前的试制条件，根据积累的试制条件及评价来 提高制造条件的精度。因此，能够得到发光可靠性优异的LED装置1。
[0166] 此外，对于图7及图8的实施方式，在C阶化工序S7(参照图2)中，首先，利用B 阶的荧光体片2被覆LED3,接着，将B阶的荧光体片2C阶化，但是，例如也可以同时实施B 阶的荧光体片2对LED3的被覆以及C阶化。
[0167] 此外，在图8中，在1个LED装置1中设置多个LED3,但例如也可以设置单个LED3， 这在本说明书中没有图示。
[0168] 此外，在图8的实施方式中，作为本发明的光半导体元件及光半导体装置，分别说 明LED3及LED装置1作为其中一例，但是，例如也可以分别为LD (激光二极管）3及激光二 极管装置1。
[0169] 实施例
[0170] 以下所示的实施例及比较例中的数值可以替换为上述实施方式中记载的对应数 值（即上限值或下限值）。
[0171] 实施例1
[0172][试制工序Sl]
[0173] <清漆制备工序S5>
[0174] 首先，相对于加热至40°C的硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷[下述式（1)中的R 1 全部为甲基、n = 155的化合物、平均分子量ll，500]2031g(0. 177mol)，加入作为含烯系不 饱和烃基的硅化合物的乙烯基三甲氧基硅烷[下述式（2)中的R2为乙烯基、X 1全部为甲氧 基的化合物]15. 76g(0. 106mol)、及作为含烯系不饱和烃基的硅化合物的（3-缩水甘油氧 基丙基）三甲氧基硅烷[下述式（3)中的R3为3-缩水甘油氧基丙基、X 2全部为甲氧基的 化合物]2. 80g(0. 0118mol)[硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷的SiOH基的摩尔数与含烯系 不饱和烃基的硅化合物的SiX1基及含烯系不饱和烃基的硅化合物的SiX 2基的总摩尔数之 比SiOHASiXkSiX2) = 1/1]进行搅拌混合，之后，加入作为缩合催化剂的四甲基氢氧化铵 甲醇溶液（浓度10质量％ )〇. 97mL(催化剂量：0. 88mol、相对于硅烷醇基两末端聚二甲基 硅氧烷100摩尔为0. 50摩尔、相对于缩合原料100g为4. Omg)，在40°C下搅拌1小时。对 得到的油状物，在40°C下搅拌1小时并减压（IOmmHg)，将挥发成分去除。接着，将反应液恢 复至常压，之后，以烯基与氢化甲硅烷基的摩尔比为SiRVSiH = 1/3. 0的方式加入有机氢 聚硅氧烷（二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷），在40°C下搅拌1小时。其后，加入 作为氢化甲硅烷化催化剂的铂-羰基络合物（铂浓度2. 0质量％ ) 0. 038mL (铂含量相对于 有机聚硅氧烷为0. 375