提高耐压能力的mosfet终端结构及方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种终端结构及制备方法，尤其是一种提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法，属于功率MOSFET的技术领域。
【背景技术】
[0002]对于高压的超结M0SFET，其终端结构通常都是通过多组相同的沟槽结构组成，如果想得到足够高的终端区域的耐压，终端结构必须占用很大的面积，如600V高压SJMOSFET,终端结构的宽度至少大于130 μ m。而MOSFET器件的终端结构占用面积增大时，势必会导致MOSFET的器件区面积减小，降低器件的集成度，会增大使用成本。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法，其结构紧凑，工作操作方便，与现有工艺相兼容，提高终端结构的耐压能力，降低MOSFET器件的使用成本，安全可靠。
[0004]按照本发明提供的技术方案，所述提高耐压能力的MOSFET终端结构，包括半导体基板，所述半导体基板包括衬底以及位于所述衬底上方且与衬底邻接的漂移区，在与终端区域对应的漂移区内设有耐压氧化体，所述耐压氧化体在垂直贯穿漂移区。
[0005]所述耐压氧化体为二氧化硅，耐压氧化体延伸进入衬底内。
[0006]—种提高耐压能力的MOSFET终端结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤: 步骤a、提供用于制备MOSFET器件的半导体基板，所述半导体基板包括衬底以及用于形成器件区、终端区域的漂移区，所述漂移区位于所述衬底上方且与衬底邻接；
步骤b、在与终端区域对应的漂移区内设有耐压氧化体，所述耐压氧化体垂直贯穿漂移区且延伸进入衬底内。
[0007]所述步骤b包括如下步骤:
步骤bl、在与终端区域对应的漂移区内刻蚀得到若干均匀排布的第一终端过渡沟槽，所述第一终端过渡沟槽从漂移区的上表面垂直向下延伸，且第一终端沟槽在漂移区的延伸深度不小于漂移区的厚度；
步骤b2、在第一终端过渡沟槽内通过热氧化和/或淀积制备第一沟槽氧化层，所述第一沟槽氧化层填满第一终端过渡沟槽；
步骤b3、在与终端区域对应的漂移区内刻蚀得到若干均匀排布的第二终端过渡沟槽，所述第二终端过渡沟槽从漂移区的上表面垂直向下延伸，第二终端过渡沟槽在漂移区内的延伸深度不小于漂移区的厚度，且第二终端沟槽与第一终端过渡沟槽邻接；
步骤b4、在第二终端过渡沟槽内沉积第二沟槽氧化层，所述第二沟槽氧化层填满第二终端过渡沟槽；
步骤b5、去除覆盖漂移区上表面上的氧化层，以在漂移区内得到耐压氧化体。
[0008]所述第一终端过渡沟槽的宽度为2 μ m~8 μ m，相邻第一终端过渡沟槽间的距离为2 μ m~8 μ m。
[0009]所述耐压氧化体为二氧化硅，耐压氧化体延伸进入衬底内。
[0010]本发明的优点:在与终端区域对应的漂移区内设置耐压氧化体，耐压氧化体的厚度不小于漂移区的厚度，通过耐压氧化体实施终端的耐压，结构紧凑，工作操作方便，与现有工艺相兼容，提高终端结构的耐压能力，降低MOSFET器件的使用成本，安全可靠。
【附图说明】
[0011 ] 图1为现有MOSFET器件的结构示意图。
[0012]图2为本发明在漂移区内得到第一终端过渡沟槽的示意图。
[0013]图3为本发明在漂移区内得到第二终端过渡沟槽的示意图。
[0014]图4为本发明的结构示意图。
[0015]附图标记说明:100-衬底、101-漂移区、102-器件区、103-终端区域、104-器件沟槽、105-器件元胞、106-终端耐压沟槽、107-第一终端过渡沟槽、108-第二终端过渡沟槽以及109-耐压氧化层。
【具体实施方式】
[0016]下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
[0017]如图1所示:为现有功率MOSFET器件的结构示意图，所述功率MOSFET器件具有器件区102以及终端区域103，器件区102位于中心区，终端区域103位于所述器件区102的外圈。从功率MOSFET器件的截面上看，其包括衬底100以及位于所述衬底100上的漂移区101，在与器件区102相对应的所述漂移区101内设置器件元胞105以及器件沟槽104，在与终端区域103相对应的漂移区101内设置终端耐压沟槽106。
[0018]如图4所示，为了能终端区域103的耐压能力，以有利于减少终端区域103的面积，本发明包括半导体基板，所述半导体基板包括衬底100以及位于所述衬底100上方且与衬底100邻接的漂移区101，其在与终端区域103对应的漂移区101内设有耐压氧化体109，所述耐压氧化体109在垂直贯穿漂移区101。
[0019]具体地，所述耐压氧化体102为二氧化硅，耐压氧化体109延伸进入衬底100内。即耐压氧化体109在漂移区101内的深度不小于漂移区101的厚度，通过与终端区域103相对应的漂移区101内设置耐压氧化体109，能够在相同面积的终端区域103下具有较高的耐压能力，为减少终端区域103的面积提供了依据。
[0020]为了得到上述的终端结构，可以通过下述的工艺步骤制备得到，所述制备方法包括如下步骤:
步骤a、提供用于制备MOSFET器件的半导体基板，所述半导体基板包括衬底100以及用于形成器件区102、终端区域103的漂移区101，所述漂移区101位于所述衬底100上方且与衬底100邻接；
在具体实施时，所述半导体基板可以采用常用的硅片，根据实际需要，在半导体基本内形成器件区102以及终端区域101，具体为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
[0021]步骤b、在与终端区域103对应的漂移区101内设有耐压氧化体109，所述耐压氧化体109垂直贯穿漂移区101。
[0022]本发明实施例中，为了得到耐压氧化体109，所述步骤b包括如下步骤:
步骤bl、在与终端区域103对应的漂移区101内刻蚀得到若干均匀排布的第一终端过渡沟槽107，所述第一终端过渡沟槽107从漂移区101的上表面垂直向下延伸，且第一终端沟槽107在漂移区101的延伸深度不小于漂移区101的厚度；
如图2所示，所述第一终端过渡沟槽1