07的宽度为2 μ m~8 μ m，相邻第一终端过渡沟槽107间的距离为2μπι~8μπι。图2中示出了第一终端过渡沟槽107的深度大于漂移区101厚度的情况。在相邻的第一终端过渡沟槽107间由漂移区101进行间隔。在漂移区101内得到第一终端过渡沟槽107的具体过程为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
[0023]步骤b2、在第一终端过渡沟槽107内通过热氧化和/或淀积制备第一沟槽氧化层，所述第一沟槽氧化层填满第一终端过渡沟槽107 ;
本发明实施例中，当第一终端过渡沟槽107的宽度较大且深度较深时，在制备第一沟槽氧化层时，可以先用热氧化的方法，然后再采用沉积的方法。当然，一般情况下，也可以直接采用沉积氧化层的方法制备第一沟槽氧化层，采用热氧化或沉积制备第一沟槽氧化层的过程均为本技术领域人员所熟知，此处不再赘述。
[0024]步骤b3、在与终端区域103对应的漂移区101内刻蚀得到若干均匀排布的第二终端过渡沟槽108，所述第二终端过渡沟槽108从漂移区101的上表面垂直向下延伸，第二终端过渡沟槽108在漂移区101内的延伸深度不小于漂移区101的厚度，且第二终端沟槽108与第一终端过渡沟槽107邻接；
本发明实施例中，在通过第一沟槽氧化层填充第一终端过渡沟槽107后，在与终端区域103对应的漂移区101其余区域刻蚀得到第二终端过渡沟槽108，即第二终端过渡沟槽108与第一终端过渡沟槽107与邻接，第二终端过渡沟槽108的深度与第一终端过渡沟槽107深度相一致，相邻第二终端过渡沟槽108间的间距也与第一终端过渡沟槽107相一致，具体不再赘述。
[0025]步骤b4、在第二终端过渡沟槽108内沉积第二沟槽氧化层，所述第二沟槽氧化层填满第二终端过渡沟槽108 ;
本发明实施例中，第二沟槽氧化层通过沉积方式填充在第二终端过渡沟槽108。
[0026]步骤b5、去除覆盖漂移区101上表面上的氧化层，以在漂移区101内得到耐压氧化体 109。
[0027]本发明实施例中，通过CMP工艺等去除覆盖漂移区101上的氧化层，通过第一沟槽氧化层、第二沟槽氧化层共同形成耐压氧化体109。
[0028]本发明在与终端区域103对应的漂移区101内设置耐压氧化体109，耐压氧化体109的厚度不小于漂移区101的厚度，通过耐压氧化体109实施终端的耐压，结构紧凑，工作操作方便，与现有工艺相兼容，提高终端结构的耐压能力，降低MOSFET器件的使用成本，安全可靠。
【主权项】
1.一种提高耐压能力的MOSFET终端结构，包括半导体基板，所述半导体基板包括衬底(100)以及位于所述衬底(100)上方且与衬底(100)邻接的漂移区(101 )，其特征是:在与终端区域(103)对应的漂移区(101)内设有耐压氧化体(109)，所述耐压氧化体(109)在垂直贯穿漂移区(101)。2.根据权利要求1所述的提高耐压能力的MOSFET终端结构，其特征是:所述耐压氧化体(102)为二氧化硅，耐压氧化体(109)延伸进入衬底(100)内。3.一种提高耐压能力的MOSFET终端结构的制备方法，其特征是，所述制备方法包括如下步骤: 步骤a、提供用于制备MOSFET器件的半导体基板，所述半导体基板包括衬底(100)以及用于形成器件区(102)、终端区域(103)的漂移区(101)，所述漂移区(101)位于所述衬底(100)上方且与衬底(100)邻接； 步骤b、在与终端区域(103)对应的漂移区(101)内设有耐压氧化体(109)，所述耐压氧化体(109)垂直贯穿漂移区(101)。4.根据权利要求3所述提高耐压能力的MOSFET终端结构的制备方法，其特征是，所述步骤b包括如下步骤: 步骤bl、在与终端区域(103)对应的漂移区(101)内刻蚀得到若干均匀排布的第一终端过渡沟槽(107)，所述第一终端过渡沟槽(107)从漂移区(101)的上表面垂直向下延伸，且第一终端沟槽(107)在漂移区(101)的延伸深度不小于漂移区(101)的厚度； 步骤b2、在第一终端过渡沟槽(107)内通过热氧化和/或淀积制备第一沟槽氧化层，所述第一沟槽氧化层填满第一终端过渡沟槽(107); 步骤b3、在与终端区域(103)对应的漂移区(101)内刻蚀得到若干均匀排布的第二终端过渡沟槽(108)，所述第二终端过渡沟槽(108)从漂移区(101)的上表面垂直向下延伸，第二终端过渡沟槽(108)在漂移区(101)内的延伸深度不小于漂移区(101)的厚度，且第二终端沟槽(108)与第一终端过渡沟槽(107)邻接； 步骤b4、在第二终端过渡沟槽(108)内沉积第二沟槽氧化层，所述第二沟槽氧化层填满第二终端过渡沟槽(108); 步骤b5、去除覆盖漂移区(101)上表面上的氧化层，以在漂移区(101)内得到耐压氧化体(109)。5.根据权利要求4所述提高耐压能力的MOSFET终端结构的制备方法，其特征是，所述第一终端过渡沟槽(107)的宽度为2 μ m~8 μ m，相邻第一终端过渡沟槽(107)间的距离为2 μ m~8 μ m。6.根据权利要求3所述提高耐压能力的MOSFET终端结构的制备方法，其特征是，所述耐压氧化体(102)为二氧化硅，耐压氧化体(109)延伸进入衬底(100)内。
【专利摘要】本发明涉及一种终端结构及制备方法，尤其是一种提高耐压能力的MOSFET终端结构及方法，属于功率MOSFET的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述提高耐压能力的MOSFET终端结构，包括半导体基板，所述半导体基板包括衬底以及位于所述衬底上方且与衬底邻接的漂移区，在与终端区域对应的漂移区内设有耐压氧化体，所述耐压氧化体在垂直贯穿漂移区。本发明在与终端区域对应的漂移区内设置耐压氧化体，耐压氧化体的厚度不小于漂移区的厚度，通过耐压氧化体实施终端的耐压，结构紧凑，工作操作方便，与现有工艺相兼容，提高终端结构的耐压能力，降低MOSFET器件的使用成本，安全可靠。
【IPC分类】H01L21/336, H01L29/78, H01L29/06
【公开号】CN105047718
【申请号】CN201510476926
【发明人】白玉明, 薛璐, 张海涛
【申请人】无锡同方微电子有限公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年8月6日