双重堆叠变容二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本公开内容的实施方式总体上涉及电路领域，尤其涉及变容二极管。
【背景技术】
[0002]变容二极管可以是充当压控电容器的二极管。当跨越变容二极管的层的控制电压变化时，变容二极管的电容也可以变化。该变化可以被称为“调谐”。一般来说，相比于在诸如钛酸锶钡(BST)的材料上实现的电介质变容二极管，半导体变容二极管可以具有更宽的调谐范围(即电容变化)和更低的控制电压要求。然而，半导体变容二极管通常获得比电介质变容二极管更低的每单位面积电容，从而需要更大的裸片(die)面积以实现给定的电容。
[0003]—般来说，可以认为变容二极管是二端口器件，即具有两个输入端子和两个输出端子。这样，变容二极管可能易于发生由所施加的射频(RF)电压导致的自调制失真。该自调制失真可能把非线性引入使用变容二极管的电路中。为了将这种非线性减小至可接受的水平，可以串联耦接一些单独的变容二极管以划分它们上的RF电压。如果串联的变容二极管的数量是n，那么如果变容二极管互相共面，则为了实现期望的净电容所需要的电路板上的裸片面积可能增加因子η2。如果使用相对大数量的变容二极管，那么该电路可能使所需的裸片面积对于当今器件中的使用来说大得惊人。
【发明内容】
[0004]根据本发明的一个方面，提供了一种封装，包括:第一变容二极管，其包括第一接触层、阳极层和位于所述第一接触层和所述阳极层之间的第一变容二极管层；以及第二变容二极管，其包括第二接触层、所述阳极层和位于所述第二接触层和所述阳极层之间的第二变容二极管层；其中所述阳极层位于所述第一变容二极管层和所述第二变容二极管层之间。
[0005]根据本发明的另一个方面，提供了一种封装，包括:第一变容二极管，其包括接触层、第一阳极层和位于所述接触层和所述第一阳极层之间的第一变容二极管层；以及第二变容二极管，其包括所述接触层、第二阳极层和位于所述接触层和所述第二阳极层之间的第二变容二极管层；其中所述接触层位于所述第一变容二极管层和所述第二变容二极管层之间。
[0006]根据本发明的另一个方面，提供了一种方法，包括:沉积第一变容二极管的第一接触层；在所述第一接触层上沉积所述第一变容二极管的第一变容二极管层；在所述第一变容二极管层上沉积所述第一变容二极管和第二变容二极管的公共接触层；在所述公共接触层上沉积所述第二变容二极管的第二变容二极管层；以及在所述第二变容二极管层上沉积所述第二变容二极管的第二接触层。
【附图说明】
[0007]在附图中的图中通过示例方式而不是限制方式来图示了实施方式，在附图中相同的附图标记指示相似的元件，并且在附图中:
[0008]图1图示了根据各种实施方式的示例复合变容二极管电路。
[0009]图2图示了根据各种实施方式的双重变容二极管堆叠的一般示例。
[0010]图3图示了根据各种实施方式的双重变容二极管堆叠的替代性一般示例。
[0011]图4图示了根据各种实施方式的双重变容二极管堆叠的特定示例。
[0012]图5图示了根据各种实施方式的双重变容二极管堆叠的替代性特定示例。
[0013]图6图示了根据各种实施方式的用于构造双重变容二极管堆叠的过程。
[0014]图7是根据各种实施方式的示例性无线通信装置的框图。
【具体实施方式】
[0015]实施方式包括与垂直堆叠(stack)的变容二极管有关的装置和方法。具体地可以由垂直堆叠的层构建两个变容二极管，所述层包括阳极层、接触层和变容二极管层。两个变容二极管可以共享公共的一个或更多个层。在一些实施方式中两个变容二极管可以共享公共的阳极层，而在其它实施方式中两个变容二极管可以共享公共的接触层。
[0016]将使用本领域技术人员通常采用的术语来描述示例性实施方式的各个方面，以向本领域的其他技术人员传达本领域技术人员的工作的实质。然而，本领域技术人员将明白可以仅使用所描述的诸方面中的一些方面来实践替选实施方式。为了说明的目的，阐述了具体装置和配置以提供示例性实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将明白可以实践替选实施方式而无需具体细节。在其它实例中，省略或简化了公知的特征以免模糊示例性实施方式。
[0017]进一步地，将以理解本公开内容最有帮助的方式，将各个操作依次描述为多个分立的操作；然而，描述的顺序不应被解读为表明这些操作必须是与顺序有关的。特别地，不需要以陈述的顺序来执行这些操作。
[0018]反复使用短语“在一个实施方式中”。该短语一般来说不指代同一实施方式；然而，它也可以指代同一实施方式。除非上下文另有所指，否则术语“包括”、“具有”和“包含”是同义的。
[0019]在对结合各实施方式所使用的语言提供一些澄清性上下文时，短语“A/B”和“A和/或^’是指㈧、⑶或(A和B);并且短语“A、B和/或C”是指㈧、⑶、(C)、(A和B)、(A 和 C)、(B 和 C)或(A、B 和 C)。
[0020]术语“与……耦接”以及它的派生词可以在本文中使用。“耦接”可以是指以下中的一个或多个。“耦接”可以是指两个或更多元件直接物理接触或电接触。然而，“耦接”也可以是指两个或更多元件彼此间接接触，但还仍彼此协作或交互，并且可以是指一个或更多个其它元件在所说的彼此耦接的元件之间耦接或连接。
[0021]图2-5描绘了可以外延沉积(epitaxially deposite)的层的各种垂直堆叠。各层的尺寸、宽度或高度不是按比例绘制，并且不应认为被限于相互相同或相互不同，除非在当前的说明书中明确地指示是这样。
[0022]图1图示了根据各种实施方式的复合变容二极管100的示例电路图。复合变容二极管100可以包括一般位于输入端110和输出端115之间的多个变容二极管，诸如变容二极管105&、10513、105(3、105(1、1056或105€(统称为变容二极管105)。在一些实施方式中，输入端110可以被配置成接收射频(RF)信号，该射频信号然后传播通过复合变容二极管100达到输出端115。在一些实施方式中，一个或更多个变容二极管105可以与输入端110和输出端115并联连接，在这种情况下RF信号可以不传播通过变容二极管达到输出端115。
[0023]在一些实施方式中，变容二极管105中的每个变容二极管可以具有“前”侧和“后”侦U。图1描绘了变容二极管105a的前侧107和后侧109。在实施方式中变容二极管105a的前侧107可以被称为变容二极管105a的“阴极”，并且变容二极管105a的后侧109可以被称为变容二极管105a的“阳极”。在图1中，变容二极管105中的每个变容二极管可以具有前侧和后侧(或阴极和阳极)，然而为了清楚起见对于每个变容二极管在图1中省略了具体标号。
[0024]在一些实施方式中，变容二极管105中的两个或更多个可以采用“后对后”配置互相耦接。具体地，变容二极管的阳极可以互相直接耦接。例如，如图1中示出的，可以认为变容二极管105b和105c是“后对后”配置。在其它实施方式中，变容二极管105可以采用如图1中示出的“前对前”配置互相耦接。具体地，变容二极管的阴极可以互相直接耦接。例如，如图1中示出的，可以认为变容二极管105a和105b是“前对前”配置。
[0025]在实施方式中，一个或更多个变容二极管105的前侧可以耦接至地120。另外，一个或更多个变容二极管105的后侧可以耦接至直流电源125。直流电源125可以被配置成提供负控制电压(VctrJ以反向偏置变容二极管105，这将在下面进一步详细说明。在一些实施方式中，V.可以在近似2伏(V)和近似18V之间，而在其它实施方式中V.可以在近似-1.2V和近似3V之间。
[0026]在实施方式中诸如电阻器135a、135b、135c、135d和135e(统称为电阻器135)的一个或更多个电阻器可以位于变容二极管105和地120或直流电源125之间。在一些实施方式中，诸如电阻器135a和/或135e的外部电阻器可以具有是电阻器135