薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示 装置。
【背景技术】
[0002] 金属铜（Cu)具有低电阻、导电性好的特点，在高分辨率的TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）中有着广泛的应用。
[0003] TFT-IXD -般包括对盒的彩膜基板和阵列基板，如图1所示，阵列基板包括栅极 10、栅绝缘层20、有源层30、源极40和漏极50。其中，铜作为电极材料形成源极40和漏极 50。但是铜容易被氧化，从而影响其导电性能，进而影响TFT-LCD的性能。
【发明内容】
[0004] 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶 体管的源极和漏极不易被氧化，从而使得该薄膜晶体管具有较高的稳定性。
[0005] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0006] -方面，提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：源漏金属层图案，该薄膜晶 体管还包括：覆盖所述源漏金属层图案的金属氧化物绝缘层，且所述金属氧化物绝缘层与 所述源漏金属层图案相接触。
[0007] 可选的，所述金属氧化物绝缘层的材料为氧化铝。
[0008] 可选的，所述薄膜晶体管还包括：
[0009] 位于所述源漏金属层图案之下的有源层图案；所述金属氧化物绝缘层还覆盖所述 有源层图案、且与所述有源层图案中用于形成沟道的部分相接触。
[0010] 可选的，所述金属氧化物绝缘层的厚度范围是20 A.-5 00A。
[0011] 可选的，所述源漏金属层图案的材料为铜或铜合金。
[0012] 可选的，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、锌锡氧化物或氮氧化 锌。
[0013] 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：源漏金属层图案，该 薄膜晶体管还包括：覆盖源漏金属层图案的金属氧化物绝缘层，且金属氧化物绝缘层与源 漏金属层图案相接触。那么，金属氧化物绝缘层可以将源漏金属层图案与外界环境隔绝，进 而避免源漏金属层图案被氧化，从而增强了该薄膜晶体管的稳定性。
[0014] 另一方面，提供了一种阵列基板，该阵列基板包括上述任一项的薄膜晶体管。
[0015] 本发明的实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括上述薄膜晶体管，该薄膜 晶体管包括：源漏金属层图案，该薄膜晶体管还包括：覆盖源漏金属层图案的金属氧化物 绝缘层，且金属氧化物绝缘层与源漏金属层图案相接触。那么，金属氧化物绝缘层可以将源 漏金属层图案与外界环境隔绝，进而避免源漏金属层图案被氧化，从而增强了该薄膜晶体 管的稳定性，进而提高了该阵列基板的性能。
[0016] 另一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任一项的阵列基板，该显示 装置可以为液晶显示器、电子纸、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管） 显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显 示功能的产品或者部件。
[0017] 另一方面，提供了一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：
[0018] 形成源漏金属层图案；
[0019] 形成覆盖所述源漏金属层图案的金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层与所 述源漏金属层图案相接触。
[0020] 可选的，若所述薄膜晶体管包括有源层图案，则在形成源漏金属层图案之前，所述 方法还包括：
[0021] 形成有源层图案；其中，所述有源层图案位于所述源漏金属层图案之下，所述金 属氧化物绝缘层还覆盖所述有源层图案、且与所述有源层图案中用于形成沟道的部分相接 触。
[0022] 可选的，若所述金属氧化物绝缘层的材料为氧化铝，则形成覆盖所述源漏金属层 图案的金属氧化物绝缘层具体包括：
[0023] 在所述源漏金属层图案之上形成铝层；
[0024] 通过氧化工艺将所述铝层转化为氧化铝层。
[0025] 可选的，所述在所述源漏金属层图案之上形成铝层；通过氧化工艺将所述铝层转 化为氧化铝层具体包括：
[0026] 在所述源漏金属层图案之上形成第一铝金属薄膜；
[0027] 通过氧化工艺将所述第一铝金属薄膜转化为第一氧化铝薄膜；
[0028] 在所述第一氧化铝薄膜之上再形成第二铝金属薄膜；
[0029] 通过氧化工艺将所述第二铝金属薄膜转化为第二氧化铝薄膜。
[0030] 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，通过该方法形成的薄膜晶体 管包括：源漏金属层图案，该薄膜晶体管还包括：覆盖源漏金属层图案的金属氧化物绝缘 层，且金属氧化物绝缘层与源漏金属层图案相接触。那么，金属氧化物绝缘层可以将源漏金 属层图案与外界环境隔绝，进而避免源漏金属层图案被氧化，从而增强了该薄膜晶体管的 稳定性。
【附图说明】
[0031] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0032] 图1为现有技术中提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0033] 图2为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0034] 图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0035] 图4为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制作方法的流程示意图。
[0036] 附图标记：
[0037] I-薄膜晶体管；IO-栅极；20-栅绝缘层；30-有源层；40-源极；50-漏极；100-衬 底；101-源漏金属层图案；102-金属氧化物绝缘层；103-栅极图案；104-栅绝缘层图案； 105-有源层图案；106-扩散阻挡层图案；107-钝化层；108-缓冲层；109-过孔；200-像素 电极。
【具体实施方式】
[0038] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0039] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语"上"、"下"等指示的方位或位置关系为基 于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示 所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本 发明的限制。进一步需要理解的是，术语"图案"指的是经过构图工艺后形成的薄膜或者层 结构。构图工艺是指将薄膜形成包含至少一个图案的层的工艺，包括掩膜、曝光、显影、刻蚀 和剥离等工艺。
[0040] 实施例一
[0041] 本发明的实施例提供了一种薄膜晶体管，参考图2所示，该薄膜晶体管1包括：源 漏金属层图案101，还包括：覆盖源漏金属层图案101的金属氧化物绝缘层102,且金属氧化 物绝缘层102与源漏金属层图案101相接触。
[0042] 需要说明的是，本发明实施例中仅详细介绍薄膜晶体管中与发明点相关的结构， 本领域技术人员能够根据公知常识以及现有技术获知，薄膜晶体管还可以包含其他的部 件，例如：还可以包含栅极、栅绝缘层等。示例的，参考图2所示，上述薄膜晶体管还可以包 括栅极图案103、栅绝缘层图案104和有源层图案105,以形成完整的薄膜晶体管，其中，栅 极图案包括栅极。本发明实施例对于该薄膜晶体管包括的其他图案的结构不作限定。
[0043] 上述薄膜晶体管中，参考图2所示，源漏金属层图案101是指对金属薄膜构图后形 成的图案，该源漏金属层图案101包括源极40和漏极50。
[0044] 这里需要说明的是，薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，一般源极、漏极是对称结 构，所以其源极、漏极是没有区别的。在本发明实施例中，为区分薄膜晶体管除栅极之外的 两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。此外，按照薄膜晶体管的特性可以将薄膜晶 体管分为N型和P型，本发明实施例对此不作限定。
[0045] -般的，根据电极的位置关系可以将薄膜晶体管分为两类：一类是栅极位于源极 和漏极的下面，这类称之为底栅型薄膜晶体管；一类是栅极位于源极和漏极的上面，这类称 之为顶栅型薄膜晶体管。上述薄膜晶体管可以是底栅型薄膜晶体管，也可以是顶栅型薄膜 晶体管，本发明实施例对此不做限定。本发明实施例以及附图均以底栅型薄膜晶体管为例 进行说明。
[0046] 上述薄膜晶体管中，本发明实施例对于源漏金属层图案和金属氧化物绝缘层的材 料均不作限定。示例的，由于铜具有极强的导电性和较小的电阻，经常用于形成源漏金属 层图案，但是铜容易被氧化，从而会降低源漏金属层图案的导电性；氧化铝比较致密，可以 有效阻挡氢离子、水、氧等对于源漏金属层图案的腐蚀，因而可以用于形成金属氧化物绝缘 层，以保护铜形成的源漏金属层图案。
[0047] 本发明的实施例提供了一种薄膜晶