一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。
【背景技术】
[0002]随着工艺技术的进步，薄膜晶体管已被大量应用在显示器之中，以适应显示器的薄型化和小型化等需求。在显示器的工作过程中，薄膜晶体管很容易被光照射到，而当光照射到其有源层时，会导致其关态漏电流增加，从而造成薄膜晶体管特性的劣化。
[0003]现有一种常见的薄膜晶体管，包括栅极、形成在栅极上的栅极绝缘层、形成在栅极绝缘层上的有源层、以及形成在有源层上并相互隔开的源极和漏极。在该结构中，栅极位于有源层的下方，能够阻挡从有源层下方照射的光，而从有源层上方照射的光没有被阻挡，可以从源极和漏极之间照射到有源层上，进而导致薄膜晶体管的特性劣化。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，其可以防止有源层被光照射，进而提高薄膜晶体管的特性。所述技术方案如下:
[0005]第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括:基板、以及形成于所述基板上的有源层、源极、栅极和漏极，所述有源层的两端分别与所述源极和所述漏极连接，所述栅极包括顶栅和底栅，所述顶栅包括顶栅顶部和与所述顶栅顶部连接的顶栅侧部，所述有源层夹设于所述顶栅顶部和所述底栅之间，所述顶栅包括顶栅顶部和与所述顶栅顶部连接的顶栅侧部，所述有源层的侧壁至少部分被所述顶栅侧部围绕，所述栅极、所述源极和所述漏极均采用非透明的导电材料制成。
[0006]优选地，所述漏极包括漏极底层，所述漏极底层、底栅和所述源极同层间隔形成在所述基板上，且所述底栅位于所述源极和漏极底层之间。
[0007]进一步地，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层形成在所述基板上且覆盖所述漏极底层、所述底栅和所述源极，所述栅极绝缘层对应所述漏极底层和所述源极的位置分别形成有第一过孔，所述有源层形成在所述栅极绝缘层上，所述有源层通过所述第一过孔分别与所述漏极底层和所述源极连接。
[0008]优选地，所述薄膜晶体管还包括钝化层，所述钝化层形成在所述栅极绝缘层上且覆盖所述有源层，所述钝化层和所述栅极绝缘层内对应所述漏极底层形成有连通的第二过孔，而对应所述基板形成有连通的第三过孔，所述漏极还包括漏极顶层，所述漏极顶层通过第二过孔与所述漏极底层连接，所述顶栅侧部通过所述第三过孔从所述钝化层至少延伸到所述栅极绝缘层，所述第三过孔和所述第二过孔间隔设置，所述第三过孔和所述第二过孔一起围绕在所述有源层的侧壁周围。
[0009]在一种实施方式中，所述第三过孔的横截面和所述第二过孔的横截面一起形成矩形框状结构。
[0010]优选地，所述钝化层和所述栅极绝缘层内还形成有连通的第四过孔，所述顶栅和所述底栅通过所述第四过孔连接。
[0011]在一种实施方式中，所述有源层呈矩形结构，所述顶栅侧部包围所述矩形结构的三个侧边。
[0012]可选地，所述有源层为氧化物半导体层。
[0013]可选地，所述氧化物半导体层的材料包括IGZO、ITZO或ZnON。
[0014]可选地，所述氧化物半导体层的厚度为10-150nm。
[0015]优选地，所述栅极、所述源极和所述漏极均采用不透明的金属制成。
[0016]第二方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制造方法，包括:
[0017]提供基板；
[0018]在所述基板上形成有源层、源极、栅极和漏极，所述有源层的两端分别与所述源极和所述源极连接，其中，所述栅极包括顶栅和底栅，所述顶栅包括顶栅顶部和与所述顶栅顶部连接的顶栅侧部，所述顶栅顶部和所述底栅在垂直于所述基板的方向上相对设置，所述有源层夹设于所述顶栅顶部和所述底栅之间，所述顶栅侧部从所述顶栅顶部朝向所述基板延伸，所述有源层的侧壁至少部分被所述顶栅侧部围绕，所述栅极、所述源极和所述漏极均采用非透明的导电材料制成。
[0019]优选地，在所述基板上形成有源层、源极、栅极和漏极，包括:
[0020]在基板上形成底栅、源极和漏极底层，所述漏极底层、所述底栅和所述源极同层间隔形成在所述基板上，且所述底栅位于所述源极和所述漏极底层之间；
[0021]在所述基板上以覆盖所述底栅、源极和漏极底层的形式形成所述栅极绝缘层，并在所述栅极绝缘层中对应所述源极和所述漏极底层分别形成第一过孔；
[0022]在栅极绝缘层上形成所述有源层；
[0023]以覆盖所述有源层的方式在所述栅极绝缘层上形成所述钝化层，并在所述钝化层和所述栅极绝缘层中对应所述漏极底层形成连通的第二过孔并对应所述基板形成连通的第三过孔；
[0024]在所述钝化层上形成所述顶栅和所述漏极顶层，在所述钝化层上形成所述顶栅和所述漏极顶层，所述漏极顶层通过所述第二过孔与所述漏极底层连接，所述顶栅侧部通过所述第三过孔从所述钝化层至少延伸到所述栅极绝缘层。
[0025]第三方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，其特征在于，所述衬底基板上设有栅线、数据线、像素电极层和前述薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极层连接，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线连接。
[0026]第四方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述阵列基板。
[0027]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0028]在本发明实施例中，有源层下方的底栅可以阻挡从氧化物半导体层下方照射的光，围绕在有源层侧壁的顶栅侧部可以阻挡从有源层侧壁照射的光，而位于有源层上方的顶栅顶部可以阻挡从有源层上方照射的光，从而可以减少有源层被光照射的情况，进而可以避免薄膜晶体管的特性由于光照而劣化。
【附图说明】
[0029]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的截面结构示意图；
[0031]图2是本发明实施例提供的薄膜晶体管去掉顶栅和部分漏极后的俯视结构示意图；
[0032]图3是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制造方法的流程图；
[0033]图4a_4d是本发明实施例提供的薄膜晶体管的制备工艺图；
[0034]图5是本发明实施例提供的又一薄膜晶体管的截面结构示意图；
[0035]图6是图5所示薄膜晶体管的又一截面结构示意图；
[0036]图7是本发明实施例提供的又一薄膜晶体管的制造方法的流程图。
【具体实施方式】
[0037]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。附图中各层薄膜的厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
【发明内容】
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[0038]本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括:基板、以及形成于所述基板上的有源层、源极、栅极和漏极，所述有源层的两端分别与所述源极和所述漏极连接，所述栅极包括顶栅和底栅，所述顶栅包括顶栅顶部和与所述顶栅顶部连