述方法实现。
[0036]相应地，本发明实施例还提供了一种交流驱动QLED的制备方法，包括以下步骤:
[0037]S01.提供阳极层基板，在所述阳极层基板上沉积第一介电层；
[0038]S02.在所述第一介电层上依次沉积第一 p-n结型电荷产生层、量子点发光层、第二 P-n结型电荷产生层、第二介电层和阴极层。
[0039]具体的，上述步骤SOl中，在所述阳极层基板上沉积第一介电层前，为了保证所述第一介电层的沉积效果，优选对所述阳极层基板进行清洗。作为具体优选实施例，所述清洗为:将所述阳极层基板依次浸泡在丙酮、洗液、去离子水和异丙醇中对其进行超声波清洗，每次超声清洗时间不少于15分钟，清洗结束后将基板取出至于干净的烘箱中干燥备用。
[0040]在所述阳极层基板上沉积第一介电层的方法可以有多种。作为优选实施例，沉积第一介电层以及后续沉积所述第二介电层的方法均可选自磁控溅射、化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积以及阳极氧化法中的一种。作为一个具体实施例，以磁控溅射氧化铪介电层为例，其方法可为:将洗净的所述阳极层基板置于5*10 3Hibar的高纯氩气气氛中，以2埃/秒的速度进行磁控溅射。
[0041]上述步骤S02中，所述第一 p-n结型电荷产生层、所述第二 p-n结型电荷产生层分别包括层叠设置的P型电荷产生层和η型电荷产生层，因此，需分别制备ρ型电荷产生层和η型电荷产生层。
[0042]其中，所述ρ型电荷产生层的制备方法方法可采用溶液法和真空蒸镀法中的一种。作为一个具体实施例，采用溶液法制备所述P型电荷产生层时，可将空穴传输材料与P型掺杂剂直接在液态条件下直接混合，然后成膜处理，所述成膜处理的方式包括但不限于旋涂或打印方式。作为一个具体实施例，采用真空蒸镀法制备所述P型电荷产生层时，采用共蒸镀的方法将空穴传输材料与掺P型掺杂剂进行热沉积。沉积完毕后，将得到的P型电荷产生层膜进行热处理去除多余的水分，所述热处理的方法具体可为:在120-180°C如150°C条件下，加热5-15min如lOmin。
[0043]与所述ρ型电荷产生层的制备方法类似，所述η型电荷产生层的制备方法方法可采用溶液法和真空蒸镀法中的一种。作为一个具体实施例，当采用中的ZnO纳米颗粒作为所述η型电荷产生层，其制备方法优选为:将所述ZnO纳米颗粒溶解在不腐蚀所述ρ型电荷产生层材料的溶剂如丙酮中，其中所述ZnO纳米颗粒的浓度可为12-18mg/mL-如15mg/mL，成膜处理后获得η型电荷产生层膜，所述成膜处理优选但不限于旋涂成膜。将所述η型电荷产生层膜进行热处理去除ZnO纳米颗粒中的有机物质，所述热处理的方法具体可为:在100-150。。如 120°C条件下，加热 5-15min 如 1min0
[0044]本发明实施例中，所述量子点发光层材料的沉积可采用本领域常规方法实现。作为优选实施例，以溶液法制备所述量子点发光层。具体的，其方法为:将量子点材料均匀分散在溶剂中，形成稳定的胶体溶液，成膜后对量子点进行热处理以除去多余的溶剂。具体以红色量子点的旋涂沉积为例，制膜的时候，将红色量子点以15mg/ml的浓度分散在甲苯中，以2000转/分钟的速度旋涂量子点溶液即可得到一层40nm左右的量子点发光层，随后80°C加热10分钟除去多余的溶剂。
[0045]本发明实施例所述阴极层的沉积，可采用本领域常规方法实现。作为具体实施例，所述阴极层的沉积方法为:沉积完所述第二介电层后，转至高真空镀仓(气压小于1*10 6mbar)内，通过掩膜板沉积一层10nm以上的金属电极。其中，金属的蒸发速度控制通过调节蒸发舟上的功率来实现，其速度不能超过10埃/秒，以免损害上一层材料。
[0046]进一步的，可对沉积完阴极层后的交流驱动QLED进行封装处理。所述封装处理可以为:在所述阴极层上均匀涂覆一层环氧树脂，盖上盖玻片后将器件放入紫外固化炉中固化处理。
[0047]本发明实施例提供的交流驱动QLED的制备方法，工艺简单、可控，且得到的QLED器件稳定性高，易于实现产业化。
[0048]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种交流驱动QLED，包括阳极层、量子点发光层和阴极层，其特征在于，还包括介电层第一介电层、第二介电层、第一 P-η结型电荷产生层和第二 P-η结型电荷产生层，所述第一介电层、第一 p-n结型电荷产生层、量子点发光层、第二 p-n结型电荷产生层、第二介电层和所述阴极层依次层叠设置在所述阳极层上， 其中，所述第一 P-n结型电荷产生层、第二 p-n结型电荷产生层均包括层叠设置的P型电荷产生层和η型电荷产生层，且所述量子点发光层上下表面分别层叠所述P型电荷产生层和所述η型电荷产生层；或 所述量子点发光层上下表面分别层叠所述η型电荷产生层和所述P型电荷产生层。2.如权利要求1所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述第一介电层、第二介电层的介电常数为1-50。3.如权利要求2所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述第一介电层、第二介电层由金属氧化物制成。4.如权利要求3所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述金属氧化物为氧化娃、氧化铝、氧化铪、氧化钽中的至少一种。5.如权利要求1-4任一所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述第一介电层和/或第二介电层的厚度范围为20-500nm。6.如权利要求1-4任一所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述P型电荷产生层和/或所述η型电荷产生层的厚度范围为5-50nm。7.如权利要求1-4任一所述的交流驱动QLED，其特征在于，所述P型电荷产生层为空穴迀移率〉10 4cm2/(V.S)的P型半导体材料；和/或 所述η型电荷产生层为电子迀移率> 10 4cm2/(V.S)的η型半导体材料。8.如权利要求1-4任一所述的交流驱动QLED，其特征在于，还包括空穴阻挡层和电子阻挡层，且所述空穴阻挡层层叠设置在所述量子点发光层和所述η型电荷产生层之间，所述电子阻挡层层叠设置在所述量子点发光层和所述P型电荷产生层之间。9.一种如权利要求1-8任一所述交流驱动QLED的制备方法，包括以下步骤: 提供阳极层基板，在所述阳极层基板上沉积第一介电层； 在所述第一介电层上依次沉积第一 P-n结型电荷产生层、量子点发光层、第二 p-n结型电荷产生层、第二介电层和阴极层。10.如权利要求10所述交流驱动QLED的制备方法，其特征在于，沉积第一介电层、所述第二介电层的方法分别选自磁控溅射、化学气相沉积、原子层沉积、脉冲激光沉积以及阳极氧化法中的一种；和/或 沉积所述第一 P-n结型电荷产生层、第二 P-n结型电荷产生层的方法分别为溶液法和真空蒸镀法中的一种。
【专利摘要】本发明适用于量子点二极管发光领域，提供了一种交流驱动QLED及其制备方法。所述交流驱动QLED包括阳极层、量子点发光层和阴极层，还包括第一介电层、第二介电层、第一p-n结型电荷产生层和第二p-n结型电荷产生层，所述第一介电层、第一p-n结型电荷产生层、量子点发光层、第二p-n结型电荷产生层、第二介电层和所述阴极层依次层叠设置在所述阳极层上，其中，所述第一p-n结型电荷产生层、第二p-n结型电荷产生层均包括层叠设置的p型电荷产生层和n型电荷产生层，且所述量子点发光层上下表面分别层叠所述p型电荷产生层和所述n型电荷产生层；或所述量子点发光层上下表面分别层叠所述n型电荷产生层和所述p型电荷产生层。
【IPC分类】H01L51/52, H01L51/56, H01L51/50
【公开号】CN105161629
【申请号】CN201510509338
【发明人】肖标, 付东, 谢相伟
【申请人】Tcl集团股份有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月18日