基板布置在TFT基板上方并且面向TFT基板。
[0108] 上部基板是指其中用于显示预定颜色的RGB滤色器通过薄膜形成工艺形成并且 由ΙΤ0形成的公共电极沉积在滤色器上的基板。
[0109] 当将电力施加到TFT的栅极端子和源极端子以接通TFT时，在上部基板的公共电 极与像素电极之间产生电场。
[0110] 所产生的电场改变所注入的液晶的取向角度并且随后透光率根据改变的取向角 度而改变，从而产生期望的图像。
[0111] 偏光器（未示出）附接于液晶面板75的外部。
[0112] 每个偏光器具有透射轴。
[0113] FPC板79产生用于驱动液晶显示器100的诸如图像信号和扫描信号的驱动信号以 及用于在合适的时刻施加这些信号的多个时序信号，并且将图像信号和扫描信号分别施加 至液晶面板75的栅极线和数据线。
[0114] 上面已经描述了液晶面板75的结构。
[0115] 然而，不同于上述实例实施方式，可使用液晶面板75的各种其他实例实施方式。
[0116] 例如，形成在上部基板上的公共电极和滤色器可形成在TFT基板上。
[0117] 此外，可包括额外的印刷电路板（PCB)，并且PCB和TFT基板可通过FPC板耦接。
[0118] 此外，可使用非发射显示面板的各种其他实例实施方式。
[0119] 照明单元20被设置成将均匀的光供应至在液晶面板组件70下方的液晶面板75 并且被布置在底盘28上。
[0120] 顶盘60设置在液晶面板组件70上以弯曲在模具框架22外部的FPC板79并且防 止液晶面板组件70从底盘28脱离。
[0121] 照明单元20包括固定到模具框架22并且将光供应至液晶面板组件70的一个或 多个光源40、用于将电力供应至光源40的基板41、引导从光源40发射的光以将其供应至 液晶面板组件70的导光板50、定位在导光板50下方以覆盖其整个表面从而反射光的反射 片26、以及确保从光源40发射的光的亮度特性以将光提供至液晶面板组件70的光学片24 和荧光片10。
[0122] 光学片24可包括具有棱镜结构的棱镜片和均匀地扩散光的扩散片中的至少一 种。
[0123] 此外，光学片24可进一步包括亮度增强膜，诸如反射某些偏振方向的光而传输垂 直于其的其他偏振方向的光的双亮度增强膜（DBEF)。
[0124] 荧光片10可定位在光学片24上面或下面，或者如果使用多个光学片24,则荧光片 10可定位在光学片24之间。
[0125] 图3的实例实施方式使用发光二极管（LED)作为光源40。
[0126] LED可以是用于发射蓝光或紫外线的二极管。
[0127] 此外，可使用用于发射特定波长的光的二极管。
[0128] 如上所述，当光源40不发射白光而是发射特定波长的光、蓝光或紫外线时，因为 在LED封装件中不另外形成用于光源40的荧光体来将特定波长的光变为白光，所以光源40 的制造成本降低。
[0129] 如上所述，可使用用于发射特定波长的光的光源40的原因是荧光片10可放大或 产生不同波长的光以将其供应至在照明单元20上方的液晶面板75。
[0130] 即，尽管被定位成与LED光源40间隔开预定的距离，荧光片10用作将从LED光源 40发射的光转换为白光并将其朝向液晶面板组件70发射的光转换层。
[0131] 当从LED光源40发射的光穿过包括荧光点的荧光片10时，可产生其中混合了蓝 光、绿光和红光的白光。
[0132] 在这种情况下，当形成荧光片10的荧光点的组成和尺寸改变时，使得可控制蓝 光、绿光和红光的期望比率，从而产生呈现优异的颜色再现性和纯度的白光。
[0133] 在这种情况下，荧光点可以是从有机化合物、无机化合物和半导体纳米晶体中选 择的一种或者其组合。
[0134] 在有机化合物中，绿色有机荧光体可包括例如香豆素类、荧光素类、花青类、硼二 吡咯亚甲基类、丹酰类、吖啶类、SYBR绿类、和若丹明类化合物中的一种或多种，并且红色 有机荧光体可包括若丹明类、二氰甲烷（DCM)类、苯并吩噁嗪类、硼二吡咯亚甲基（B0DIPY) 类、二萘嵌苯类、和尼罗红类化合物中的一种或多种，但是它们并不限于此。
[0135] 在无机化合物中，绿色无机荧光体可包括氧化物类、硫化物类、和氮化物类化合物 中的一种或多种。
[0136] 氧化物类绿色无机荧光体可包括诸如具有M2Si04组分的（Sr，Ba，Ca，Mg) 2Si04:Eu2+ 和具有M3Si05组分的（Sr，Ba，Ca，Mg) 3Si05:Eu2+的硅酸盐类化合物、具有SrGa2S4:Eu组分的 硫化物类化合物、或者具有β-SiAlON组分的氮化物类化合物中的一种。
[0137] 氮化物类绿色无机荧光体可包括掺杂Eu的氮化物的晶体（β-SiA10N:Eu2+)或者 晶体中的具有β型Si3N4的晶体结构的氮氧化物。
[0138] 氮氧化物类绿色无机荧光体可包括诸如（Sr，Ba)Si202N2:Eu2+、 (Ba,Sr,Ca)2Si04:Eu2+、或Ba3Si6012N2:Eu2+的荧光体。
[0139] 红色类无机荧光体可包括一种或多种氮化物类化合物，并且可使用从（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+和（Ba，Sr，Ca) 2Si5Ns:Eu2+中选择的一种或多种。
[0140] 半导体纳米晶体可选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物 及其组合。
[0141] II-VI族化合物可选自以下项的组：选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、 HgSe、HgTe、MgSe、MgS的两元素化合物、及其混合物；选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、 ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、 HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS的三元素化合物、及其混合物；以及选自HgZnTeS、 CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe的 四元素化合物、及其混合物。
[0142] III-V族化合物可选自以下项的组：选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AIN、A1P、AlAs、 AlSb、InN、InP、InAs、InSb的两元素化合物、及其混合物；选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、 GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP的三元 素化合物、及其混合物；以及选自GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GalnNP、GalnNAs、 GalnNSb、GalnPAs、GalnPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb的四元素化合 物、及其混合物。
[0143] IV-VI族化合物可选自以下项的组：选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe的两元 素化合物、及其混合物；选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、 SnPbTe的三元素化合物、及其混合物；以及选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe的四元素化合 物、及其混合物。
[0144] IV族元素可选自Si、Ge及其混合物的组。
[0145] IV族化合物可以是从SiC、SiGe及其混合物的组中选择的两元素化合物。
[0146] 在根据本公开的实例实施方式的荧光片10中，优选地，排他地使用单个有机化合 物或无机化合物、或者使用有机化合物或无机化合物的组合，并且可另外地包括半导体纳 米晶体。
[0147] 因为半导体纳米晶体的成本与有机和无机化合物的成本相比较高并且通常用作 半导体纳米晶体的形成材料的镉Cd因为其是重金属而对环境是有害的，所以半导体纳米 晶体由有机或无机化合物部分地或全部地取代，从而增强成本效益和环保。
[0148] 为了获得具有期望颜色的光，颜色转换膜12可基于其总重量包括0.4wt%至 0.8wt%的荧光点13和15,并且其可形成为具有20μπι至150μπι的厚度，并且值优选地是 0· 5wt%和 100μm。
[0149] 这是因为，当包括太多的荧光点13和15时，荧光点13和15可彼此相互作用而引 起光淬灭的负面效应，并且当颜色转换膜的厚度太薄地形成时，不能实现具有期望的光颜 色的荧光。
[0150] 可替换地，荧光片10可由包括第一层（其包括红色荧光点13)和第二层（其包括 绿色荧光点15)的多层构成。
[0151] 在这种情况下，多个层可被布置为使得当它们越靠近LED光源40时具有越低能量 的发光波长。
[0152] 例如，如果LED光源40是蓝色LED光源，则荧光片10可由沿着远离LED光源40 的方向顺序地层压的红光转换层和绿光转换层构成。
[0153] 根据本公开的实例实施方式的荧光片10包括设置在颜色转换膜12的顶部表面以 保护颜色转换膜12免受外部环境损害的阻挡膜27、以及设置在颜色转换膜12的底部表面 以将从颜色转换膜12的横和后侧发射的光反射至其前侧的半透膜17。
[0154] 半透膜17是氧化硅和氧化钛的电介质多层，允许蓝色波长范围的光被透射同时 允许绿色和红色波长范围的光被