封装件的对准标记设计的制作方法
【专利说明】封装件的对准标记设计
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求以下临时提交的美国专利申请的优先权:2014年5月29日提交的标题为“Through Integrated Fan-out Via Alignment Mark Structrure” 的美国专利申请第62/004，365号，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
[0003]本发明涉及封装件的对准标记设计。
【背景技术】
[0004]现代电路的制造通常包括多个步骤。首先在半导体晶圆上制造集成电路，该半导体晶圆包括多个重复的半导体芯片，每个半导体芯片均包括集成电路。然后将半导体芯片从晶圆上锯切且进行封装。封装工艺具有两个主要目的:用于保护易碎的半导体芯片以及将内部集成电路连接至外部弓I脚。
[0005]随着对更多功能的需求的不断增多，发展出接合两个以上的封装件以扩展封装件的集成能力的叠层封装(PoP)技术。基于高集成度，由于部件之间的缩短的连接路径，改善了产生的PoP封装件的电性能。通过使用PoP技术，封装件设计变得更为灵活和简单。也缩减了上市时间。
【发明内容】
[0006]为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种封装件，包括:器件管芯；模制材料，将所述器件管芯模制在所述模制材料中；通孔，穿透所述模制材料；对准标记，穿透所述模制材料；以及重分布线，位于所述模制材料的一侧上，其中，所述重分布线电连接至所述通孔。
[0007]在上述封装件中，所述对准标记是电浮动的。
[0008]在上述封装件中，所述对准标记和电连接至所述对准标记的导电部件在所述封装件内部完全绝缘。
[0009]在上述封装件中，所述对准标记包括与所述模制材料的表面共面的表面，其中，所述对准标记的所述表面的全部与介电材料接触。
[0010]在上述封装件中，所述对准标记包括与所述器件管芯的金属柱的表面共面的表面，其中，所述对准标记的所述表面的全部与介电材料接触。
[0011 ] 在上述封装件中，包括多个通孔，其中，所述多个通孔中的每个均与所述模制材料的相对两侧上的导电部件互连，并且其中，所述多个通孔限定设计区域，所述器件管芯位于所述设计区域中，并且所述对准标记位于所述设计区域外部。
[0012]在上述封装件中，所述对准标记的第一表面和所述通孔的第一表面共面，并且所述对准标记的第二表面和所述通孔的第二表面共面。
[0013]根据本发明的另一方面，还提供了一种封装件，包括:器件管芯，包括位于所述器件管芯的表面处的金属柱；多个通孔，围绕所述器件管芯；对准标记，其中，所述对准标记是电浮动的；模制材料，将所述器件管芯、所述对准标记以及所述多个通孔模制在所述模制材料中；多条第一重分布线，位于所述模制材料的第一侧上；以及多条第二重分布线，位于所述模制材料的第二侧上，所述第二侧与所述第一侧相对，其中，所述多条第一重分布线通过所述多个通孔电连接至所述多条第二重分布线。
[0014]在上述封装件中，所述对准标记包括与所述多个通孔的第一表面共面的第一表面以及与所述多个通孔的第二表面共面的第二表面。
[0015]在上述封装件中，所述对准标记的所述第一面的全部与介电材料接触。
[0016]在上述封装件中，所述对准标记的所述第二表面的全部与额外的介电材料接触。
[0017]在上述封装件中，所述对准标记的所述第二表面与所述封装件中的重分布线接触。
[0018]在上述封装件中，所述对准标记的表面与所述金属柱的表面共面。
[0019]在上述封装件中，与所述封装件中的所有通孔相比，所述对准标记最接近所述封装件的拐角。
[0020]根据本发明的又一方面，还提供了一种方法，包括:同时形成通孔和对准标记；布置邻近所述通孔和所述对准标记的器件管芯，其中，使用用于对准的所述对准标记来实施所述布置；将所述通孔、所述对准标记以及所述器件管芯模制在模制材料中；实施平坦化以暴露所述通孔和所述对准标记；以及形成电连接至所述通孔的多条第一重分布线。
[0021]在上述方法中，还包括:在形成所述多条第一重分布线之前，形成介电层以覆盖所述模制材料、所述器件管芯、所述通孔以及所述对准标记；以及形成暴露所述通孔的开口，其中，所述多条第一重分布线延伸到所述开口内以连接至所述通孔，并且其中，使用用于对准的所述对准标记来实施所述开口的形成。
[0022]在上述方法中，在形成所述多条第一重分布线之后，所述对准标记仍被所述介电层覆盖。
[0023]在上述方法中，所述平坦化导致暴露所述器件管芯的金属柱，并且所述多条第一重分布线中的一条电连接至所述金属柱。
[0024]在上述方法中，还包括实施锯切工艺以将所述模制材料分成多个封装件，所述器件管芯、所述对准标记以及所述通孔位于所述多个封装件的同一个封装件中。
[0025]在上述方法中，在所述锯切工艺之后，所述对准标记仍是电浮动的。
【附图说明】
[0026]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的各方面。应该注意的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。
[0027]图1至图14是根据一些实施例的封装件的在制造中的中间阶段的截面图和顶视图；
[0028]图15至图19是根据一些实施例的包括通孔和对准标记的示例性封装件的顶视图；以及
[0029]图20示出了根据一些实施例的形成封装件的工艺流程。
【具体实施方式】
[0030]为了实现本发明的不同特征，以下公开内容提供了多个不同实施例或实例。下面描述了部件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括以直接接触的方式形成第一部件和第二部件的实施例，并且也可以包括第一部件和第二部件之间可以形成额外部件，使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。另外，在各个实例中，本发明可以重复参考标号和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0031]此外，在此可使用诸如“在…之下”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、以及“上部”
等的空间相对术语，以容易地描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除图中所示的方位之外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
[0032]图1至图14示出了根据实施例的封装件的在制造中的中间阶段的截面图和顶视图。图20中所示的工艺流程300也示意性地示出了图1至图14中所示的步骤。在后续的论述中，参考图20中的工艺步骤论述了图1至图14中所示的工艺步骤。
[0033]图1示出了载体20和形成在载体20上的释放层22。载体20可以是玻璃载体、陶瓷载体等。载体20可以具有圆形的顶视形状且可以是硅晶圆的尺寸。例如，载体20可以具有8英寸的直径、12英寸的直径等。释放层22可以由聚合物基材料(诸如，光热转换(LTHC)材料)形成，该材料可以与载体20 —起从将在后续步骤中形成的上面的结构去除。在一些实施例中，释放层22由环氧树脂基热释放材料形成。在其他实施例中，释放层22由紫外线(UV)胶形成。可以以液体形成分配释放层22并且对其进行固化。在可选实施例中，释放层22是层压膜并且层压至载体20上。释放层22的顶面是水平的并且具有高共面度。
[0034]介电层24形成在释放层22上。在一些实施例中，介电层24由聚合物形成，聚合物也可以是诸如聚苯并恶唑(ΡΒ0)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等的光敏材料，使用光刻工艺可以容易图案化这些材料。在可选实施例中，介电层24由诸如氮化硅的氮化物、诸如氧化硅的氧化物、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、硼掺杂的磷硅酸盐玻璃(BPSG)等形成。
[0035]参考图2，重分布线(RDL) 26形成在介电层24上方。RDL 26也称为背侧RDL，因为他们位于器件管芯36的背侧上(图5A)。RDL 26可以包括RDL 26B并且可以或可以不包括RDL26A，如果形成RDL 26A，则它们将电连接至随后形成的对准标记。RDL 26的形成可以包括在介电层24上方形成晶种层(未示出)，在晶种层上方形成诸如光刻胶的图案化掩模(未示出)，并且然后在暴露的晶种层上实施金属镀。然后去除图案化的掩模和晶种层的被图案化掩模所覆盖的部分，从而留下如图2所示的RDL26。在一些实施例中，晶种层包括钛层和位于钛层上方的铜层。例如，可以使用物理气相沉积(PVD)来形成晶种层。例如，可以使用化学镀来实施镀工艺。
[0036]参考图3，在RDL 26上形成介电层28。介电层28的底面可以与RDL26和介电层24的顶面相接触。在一些实施例中，介电层28由聚合物形成，该聚合物可以是诸如ΡΒ0