0051](效果)
根据如上那样构成的定向耦合器10a，能够降低厚度并同时减小主线路Μ与副线路S之间的耦合度。更具体而言，定向耦合器10a具备环状导体R1。环状导体R1接受在主线路部Ml有电流流过时主线路部Ml所产生的磁通Φ 1，并通过电磁感应产生通过副线路部S1的磁通Φ2的无源元件。具体而言，在从上侧俯视时，环状导体R1呈现为环状。此外，在从上侧俯视时，主线路Ml的中心位于被环状导体R1包围的区域内。由此，例如在主线路Μ使向下的磁通Φ 1增加的情况下，环状导体R1使向上的磁通Φ2增加。其结果是，磁通Φ 1的一部分被磁通Φ 2所抵消，通过副线路部S1的磁通Φ1减少。由此，主线路部Ml与副线路部S1之间的耦合度降低。此外，关于主线路部M3与副线路部S3之间的耦合度，可以说相同于主线路部Ml与副线路部S1之间的耦合度。如上所述，在定向耦合器10a中，不通过增加主线路部Μ与副线路部S在上下方向上的距离，而是通过设置环状导体Rl、R2来降低主线路部Μ与副线路部S之间的耦合度。由此，根据定向耦合器10a，能够降低厚度并同时减小主线路Μ与副线路S之间的耦合度。
[0052]本申请的发明人为了进一步明确定向耦合器10a所起到的效果，进行了如下说明的计算机模拟。本申请的发明人将从定向耦合器10a中去除环状导体R1、R2之后的定向耦合器制作为第1模型，而将定向耦合器10a制作为第2模型。然后，对第1模型以及第2模型的通过特性及耦合特性进行了计算机计算。所谓通过特性是指从外部电极14a(输入端口)输入的高频信号的功率与从外部电极14b(输出端口)输出的高频信号的功率的比值。所谓耦合特性是指从外部电极14c(耦合端口)输出的高频信号与从从外部电极14b(输出端口)输出的高频信号的功率的比值。
[0053]图4A是示出第1模型的模拟结果的曲线图。图4B是示出第2模型的模拟结果的曲线图。图4A及图4B中，纵轴表示衰减量，而横轴表示频率。
[0054]若将图4A与图4B相比较，则可知第2模型中的通过特性的衰减量要比第1模型中的通过特性的衰减量要小。这是由于主线路Μ与副线路S之间的耦合度变低，而导致插入损耗变小。
[0055]另外，若将图4Α与图4Β相比较，则可知第2模型中的耦合特性的衰减量要比第1模型中的耦合特性的衰减量要大。这是由于主线路Μ与副线路S之间的耦合度变低，而导致从外部电极14b输出的高频信号的频率变小。通过上述计算机模拟可知，通过设置环状导体Rl、R2，能降低主线路Μ与副线路S之间的耦合度。
[0056]另外，从上侧俯视时，主线路Μ具有与副线路S相同的形状，且主线路Μ与副线路S在彼此相一致的状态而相重叠。由此，能够使主线路Μ的结构与副线路S的结构相靠近。其结果是，能够使主线路Μ的特性阻抗等电特性与副线路S的特性阻抗等电特性相接近。由此，从外部电极14b输出的信号的相位与从外部电极14c输出的信号的相位之间的差变小。也就是说，定向耦合器10a的相位差特性得到了提高。
[0057]另外，引出导体18a与引出导体20a具有相同的长度，因此它们的电阻值及相位变化大致相等。由此，使外部电极14a、14b之间的特性阻抗等电特性与外部电极14c、14d之间的特性阻抗等电特性相接近。由此，定向耦合器10a的相位差特性进一步得到了提高。另夕卜，引出导体18b与引出导体20b可以说也相同。
[0058]另外，由于引出导体18a、18b、20a、20b呈直线状，因此能够以最短距离与外部电极相连，因此能够降低上述引出导体所具有的电阻值，能够降低不需要的磁耦合、电容耦合。由此，定向耦合器10a的插入损耗得以降低。
[0059]另外，在定向耦合器10a中，在外部电极14a与外部电极14e?14j之间设有电容器C1，在外部电极14b与外部电极14e?14 j之间设有电容器C2，在外部电极14c与外部电极14e?14j之间设有电容器C3，在外部电极14d与外部电极14e?14j之间设有电容器C4。由此，通过调整电容器C1?C4的电容值，从而能调整外部电极14a、14b之间的特性阻抗以及外部电极14c、14d之间的特性阻抗。由此，通过使上述特征阻抗相接近，从而能提高定向耦合器10a的相位差特性。
[0060]另外，接地导体22设置于主线路M、副线路S及引出导体18a、18b、20a、20b的上侦k由此，从上侧输入至定向耦合器10a的噪声会被接地导体22屏蔽。其结果是，噪声被输入至主线路M、副线路S及引出导体18a、18b、20a、20b的情况得到抑制。
[0061]另外，接地导体24设置于主线路M、副线路S及引出导体18a、18b、20a、20b的下侦k由此，从下侧输入至定向耦合器10a的噪声会被接地导体24屏蔽。其结果是，噪声被输入至主线路M、副线路S及引出导体18a、18b、20a、20b的情况得到抑制。
[0062]另外，接地导体24设置于主线路M、副线路S及引出导体18a、18b、20a、20b与电容器导体26a?26d之间。由此，主线路M、副线路S及引出导体18a、18b、20a、20b与电容器导体26a?26d之间产生不需要的电容的情况得到抑制。
[0063](实施方式2)
下面，参照附图，对实施方式2所涉及的定向耦合器10b进行说明。图5是实施方式2所涉及的定向耦合器10b的等效电路图。图6是实施方式2所涉及的定向耦合器10b的层叠体12的分解立体图。此外，对于定向耦合器10b的外观立体图援引了图2。
[0064]如图5及图6所示，定向耦合器10b与定向耦合器10a的不同点在于设置环状导体R1、R2的位置。更具体而言，在定向耦合器10b中，在上下方向上，环状导体R1、R2设置成使得副线路部S1、S3及中间线路部S2位于主线路部M1、M3与环状导体R1、R2之间。由此，在上下方向上，主线路部M1、副线路部S1及环状导体R1按照该顺序排列并配置，主线路部M3、副线路部S3及环状导体R2按照该顺序排列并配置。也就是说，环状导体R1、R2设置于副线路S1、S3及中间线路部S2的下侧。本实施方式中，副线路S1、S3及中间线路部S2设置于电介质层16e的表面上，环状导体Rl、R2设置于电介质层16f的表面上。
[0065]根据如上述那样构成的高频信号传输线路10b，与定向耦合器10a起到相同的作用效果。其中，定向耦合器10b的环状导体Rl、R2设置于比定向耦合器10a的环状导体R1、R2更靠远离主线路Μ的位置上。因此，定向耦合器10b的环状导体Rl、R2所产生的磁通Φ2、Φ4比定向耦合器10a的环状导体R1、R2所产生的磁通Φ2、Φ4要少。由此，在定向親合器10b中，比起定向親合器10a，磁通Φ1、Φ3的变动更不易被磁通Φ2、Φ4所干扰。由此，定向耦合器10b中的主线路Μ与副线路S之间的耦合度比定向耦合器10a中的主线路Μ与副线路S之间的耦合度要高。因此，根据所需的耦合度来选择定向耦合器10a或定向耦合器10b中的某一个即可。
[0066](实施方式3)
下面，参照附图，对实施方式3所涉及的定向耦合器10c进行说明。图7是实施方式3所涉及的定向耦合器10c的层叠体12的分解立体图。此外，在定向耦合器10c的电路结构与定向耦合器10a的电路结构相同，因此省略说明。
[0067]定向耦合器10c与定向耦合器10a的不同点在于还具备接地导体28及过孔导体vlO?vl3。以下，以上述不同点为主、对定向親合器10c进行说明。
[0068]接地导体28设置在层叠体12的下表面的中央处、即电介质层16j的背面的中央处。接地导体28呈现为十字形，具体而言，基地导体28由在通过电介质层16j的中央的前后方向上延伸的带状导体层以及沿左右方向延伸的带状导体层构成。另外，接地导体28被引出至电介质层16j的前后方向的短边及左右方向的长边，因此与外部电极14e?14j相连。其中，接地导体28不与外部电极14a?14d的在下表面折返的部分相接触。
[0069]过孔导体vlO?vl3分别在上下方向上贯通电介质层16h?16j，将接地导体24与接地导体28相连接。
[0070]根据如上述那样构成的高频信号传输线路10c，与定向耦合器10a起到相同的作用效果。
[0071]另外，根据定向耦合器10c，能够获得较高的散热性。更具体而言，在定向耦合器10c安装于电路基板的情况下，接地导体28与电路基板相接触。接地导体28由金属制成，因此具有比由电介质陶瓷制成的电介质层16j要高的热导率。因此，在定向耦合器10c产生的热经由接地导体28被高效地传递至电路基板。其结果是，定向耦合器10c的散热性得到了提尚。
[0072]另外，由于接地导体24与接地导体28通过过孔导体vlO?vl3而相连，因此，接地导体24的电位稳定，保持在接地电位。
[0073](实施方式4)
下面，参照附图，对实施方式4所涉及的定向耦合器10d进行说明。图8是实施方式4所涉及的定向耦合器10d的层叠体12的分解立体图。此外，在定向耦合器10d的电路结构与定向耦合器10a的电路结构相同，因此省略说明。另外，对于定向耦合器10d的外观立体图