的平坦面，也并不影响本发明技术的实施。
[0035]当然，熟悉本技术领域人士可以轻易理解，凹槽221的尺寸必须是大于发光二极管晶粒4。一旦彼此贴合，不仅将影响发光二极管晶粒4的置放，也将影响部分角度出光时，黄色荧光的比例会偏低。另方面，由于荧光胶3在填入凹槽221而尚未完全固化前，掺入树脂中的荧光粉会因重力影响而逐渐往图式下方沉淀，因而远离发光二极管晶粒4，这也使得未来操作过程中，较多的荧光粉是远离发光二极管晶粒4发热，从而降低荧光粉受热劣化的情况，延长LED装置的使用寿命。
[0036]在所有发光二极管晶粒4放置完成后，同一行排列的晶粒会将其致能端子依照例如两行对齐，请参考图3及图4所示，在本例中，会将一个遮罩板6设置于透光基材2的下表面22上方，遮罩板6上并以絹网形成有例如两行彼此平行的可通透图案；随后将导电胶置入遮罩板6内并经由例如网版印刷的方式，以刮刀(未标号)将导电胶均匀涂抹，将可藉由通透图案部分，使导电胶依照前述预定图案，直接在透光基材2的下表面22及各LED晶粒的致能端子上，形成串联各致能端子的电路布局；接着加热而让导电胶固化，形成一个具有完整电回路的致能电路5。当然，熟悉本技术领域人士可以轻易推知，本例中的致能电路虽然是以串联电路为例，但改为并联电路或综合两者，均不影响本发明技术的实施。
[0037]另一方面，一并参考图5所示，由于前述致能电路5会导接各发光二极管晶粒4导接面42上的两个致能端子421，并藉由致能电路5最终端的一对焊接端子51作为向外取得电能的界面，而致能各发光二极管晶粒4;使得本发明并不存在以往所见的印刷电路基板或陶瓷基板，而是直接将电路成形于透光的玻璃下表面处，藉此可以大幅简化整体结构。此外在本例中，上表面21为一粗糙面，使得多晶粒无基板LED装置1中，各单独LED晶粒所发散出的蓝光及荧光粉所释放的黄光会在经过时被反射、折射及漫反射，因此在多晶粒无基板LED装置1前方观看时，将不易发现个别点光源，而可将发光来源扩散为面光源，让本例的多晶粒无基板LED装置1的照明不会产生明显的光点，让整体发光更均匀。当然，熟悉本技术领域人士可以轻易推知，本例中的致能电路虽然是藉由网版印刷的方式，但也可采用其他印刷或溅镀、电镀等方式成形，均不影响本发明的实施。
[0038]其后，在发光二极管晶粒4的导接面42上额外设置一层荧光胶3，使得本例中的发光二极管晶粒4都是被完整包覆在荧光胶3中，因此，发光二极管晶粒4在主出光角度外，少量以大角度发出、以及从上述上表面21所反射或漫反射返回的蓝光，也能由下表面22侧出光，其中仍会有部分可以在后方的荧光胶中被吸收，并转换为黄色荧光再次向外发散，让整体发光方向更全面性；最后，在下表面22及后侧荧光胶层的外侧，更设置一层保护层7，在本例中是例释为一种透光的硅胶材料层，藉以达到防范发光二极管晶粒或导电胶与外界大气接触而氧化的保护效果。当然，熟悉本技术领域人士所能轻易推知，此处的保护层也可以采用如绝缘导热胶等散热材料，除提供保护的效果外，更可以将发光二极管晶粒所产生出的废热排出LED装置的外部，避免废热堆积在多晶粒无基板LED装置内，影响发光效率。
[0039]本发明所揭示的一种多晶粒无基板LED装置，将过往的印刷电路板或陶瓷基板结构去除，仅提供一片形成凹槽的透光基材，在凹槽中填入荧光胶并放置发光二极管晶粒，使得荧光胶的安装面可与透光基材的下表面齐平，让多晶粒无基板LED装置具备可供导电胶以印刷的方式，形成致能电路而布局于下表面上，以此致能发光二极管晶粒，藉此简化LED装置的制作程序，减少制作成本，整体制造良率获得提升；另一方面，由于基板的结构简化，进一步使得LED装置完全透光，为实现全角度发光、且确保出光色彩的均匀，以点胶的方式将混合黄光荧光粉的荧光胶附着在发光二极管晶粒的导接面上，使发光二极管晶粒的出光角度可达到360度，获得更好的使用弹性并在下表面额外压印一层保护层，以达到防范发光二极管晶粒及导电胶与外界大气接触而金属氧化的保护效果；同时有效地降低LED装置的操作温度，据此结构改良公知的LED装置，防范高温影响发光二极管晶粒的出光效率。
[0040]本发明的多晶粒无基板LED装置1’的第二较佳实施例，请参考图6、图7所示，与前一实施例的差异在于本例中透光基材2’例释为亚克力，荧光胶3’则例释为预先填入凹槽221’中的一层黄色突光粉末(未标号)搭配一层透明环氧树脂，发光二极管晶粒4’仍是放置于凹槽221’中，而致能电路5’则改以溅镀(Sputter)的方式布局在下表面22’上，在溅镀的过程中，一般是利用惰性气体(例如:氩气)当作电浆，通过高压电场的作用，使得氩气电离产生氩离子束轰击银靶阴极，被溅出的银靶材料中的银原子沉淀积累在如同第一实施例中具有预定图案的光罩6’，移除光罩6’后，再以电镀方式将银原子成形的电路增厚，构成完整的致能电路5’。
[0041 ] 此外，如图8所示，在批次的制造过程中，本例中的透光基材2，可以是大片长方形材料，并且在各行之间形成有预留的牺牲段24’，以例如工具切割或镭射切割，令制造完成后的透光基材2’易于分离，简化制程，一次制成大量本例中的多晶粒无基板LED装置1’，每一个分离出来的多晶粒无基板LED装置1’同样具有前一实施例的结构态样，进一步降低制造成本，并且提升产出效率。
[0042]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，不能以此限定本发明实施的范围，凡是依本发明申请专利范围及发明说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。
【主权项】
1.一种多晶粒无基板LED装置，包括: 一片透光基材，具有一个上表面、一个下表面、及连接前述上下表面的侧面，其中该下表面形成有至少一个凹槽；一层填充于前述凹槽中的荧光胶，该荧光胶形成有一个对应前述下表面的安装面；至少一个发光二极管晶粒，具有一个发光面及一个相反于该发光面的导接面，该导接面上形成有至少两个致能端子；前述发光二极管晶粒是以该发光面朝向前述上表面，以及该导接面是与前述下表面及前述安装面相对应的方式，至少部分容置于上述荧光胶中；及一个布局在该下表面及前述致能端子的致能电路，该致能电路更包括一对焊接端子。2.如权利要求1所述的多晶粒无基板LED装置，更包括一层设置于下表面上的保护层。3.如权利要求1所述的多晶粒无基板LED装置，其中该安装面是与该下表面齐平。4.如权利要求1所述的多晶粒无基板LED装置，其中该凹槽具有大于上述发光二极管晶粒的尺寸。5.如权利要求1所述的多晶粒无基板LED装置，其中该致能电路是一层导电胶。6.如权利要求5所述的多晶粒无基板LED装置，其中该致能电路是一印刷电路。7.如权利要求1所述的多晶粒无基板LED装置，其中该上表面为一粗糙面。8.如权利要求1所述的多晶粒无基板LED装置，其中该透光基材还形成有预留的牺牲段。
【专利摘要】一种多晶粒无基板LED装置，包括：一片透光基材，具有一个上表面、一个下表面、及连接前述上下表面的侧面，其中该下表面形成有至少一个凹槽；一层填充于前述凹槽中的荧光胶，该荧光胶形成有一个对应前述下表面的安装面；至少一个发光二极管晶粒，具有一个发光面及一个相反于该发光面的导接面，该导接面上形成有至少两个致能端子；前述发光二极管晶粒是以该发光面朝向前述上表面，该导接面与前述下表面及前述安装面相对应的方式，至少部分容置于上述荧光胶中；及一个布局在该下表面及前述致能端子的致能电路，该致能电路更包括一对焊接端子。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/54
【公开号】CN105449073
【申请号】CN201410474632
【发明人】庄弘毅, 曾国书, 蒋诚光
【申请人】阳升应用材料股份有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2014年9月17日