用正装芯片成型csp led的方法和成型倒装芯片的方法及csp led的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及用正装芯片成型CSPLED的方法和成型倒装芯片的方法及CSPLED。
【背景技术】
[0002] 对于正装芯片来说，在使用时，现将正装芯片固定到基板上，然后打金线，最后封 装荧光胶，由于其在封装过程中需要打金线以及固定晶片，工序比较复杂，且正装芯片的电 极焊盘较小，容易出现连接不可靠的情况。为了解决这类问题，倒装芯片应运而生，但是倒 装芯片的价格比较昂贵，且倒装芯片的电极较小不便于与基板可靠连接。
[0003]近年来，随着倒装芯片的出现，人们开始研究芯片级封装(CSP)技术。目前，这种封 装技术形成的封装级芯片，体积最小、重量轻、电性能好。但是现有CSP由于结构限制一般使 用倒装芯片，而倒装芯片制造成本较高，进而导致单颗CSP芯片成本较高，且倒装芯片的电 极较小，从而出现连接不可靠的问题。
[0004]目前的正装芯片因需要打金线没有得到更好的利用，当然，也有人利用正装芯片 倒装进行360°发光，如在中国专利申请号为201410426391.3申请日为2014.8.27公开日为 2014.11.19的专利文献中公开了一种正装芯片倒装360度发光可任意环绕LED灯丝，包括 薄片基底，所述的薄片基底上覆盖一层软性绝缘层，所述的绝缘层上制备有连接线路，所述 的连接线路的两端位置形成有电极，所述的连接线路在电极之间位置形成有多个焊盘，每 对焊盘之间安装一正装LED芯片，所述的正装LED芯片为透明封装的全角度出光LED芯片， 每个所述的正装LED芯片的下方对应设置用于将光线出射的出光部位。本发明的有益效果 是提供了一种全新结构的LED灯丝结构，并且实现了高效率批量化生产，生产成本低。
[0005]虽然其实现了360°发光，但如果需要封装荧光胶，还是需要在固定了正装芯片后 封装。另外，在固定正装芯片时，利用正装芯片的电极与基板的焊盘电性连接，而由于正装 芯片的电极面积小，因此，不方便固定正装芯片，而且电连接性能不可靠；另外，在焊接过程 中，由于电极的侧面与正装芯片的侧面基本平齐，因此，锡膏很容易沿着电极上爬到正装芯 片上，容易出现短路的现象。
[0006]再有，如果将正装芯片直接作为倒装芯片使用，正装芯片本身是由具有电极的一 面出光，当正装芯片固定到基板上后，向下的光基本上由基板进行反射，而目前的基板反射 率不高，因此，出光率受到了一定的影响。
【发明内容】
[0007] 为了能将正装芯片作为倒装芯片使用，减小CSPLED的体积和质量，为了方便组 装，让组装更加的可靠，为了提高电连接的可靠性，为了有效的防止锡膏上爬，防止出现短 路的现象，为了提高反射率，从而提高出光率，为了简化成型工艺，本发明提供了一种利用 正装芯片成型CSPLED的方法、利用正装芯片成型倒装芯片的方法及CSPLED。为达到上述 目的，用正装芯片成型CSPLED的方法，包括如下步骤： (1) 让封装胶包裹在多个正装芯片的侧面和顶面上； (2) 提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜;将封装胶的顶面固定到第二隔离膜 上，让正装芯片的电极朝上;让第一隔离膜与正装芯片分离； (3) 在正装芯片电极的一侧涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版； (4) 曝光； (5) 显影:通过显影液溶解掉不需要的光刻胶，不需要的光刻胶为正装芯片电极对应的 溶解区域，溶解区域的面积大于电极的面积； (6) 在溶解区域内蒸镀金属层形成延伸电极； (7) 清洗掉光刻胶； (8) 切割成CSPLED; (9) 将第二载台与第二隔离膜分离； (10) 将第二隔离膜与CSPLED分离。
[0008] 通过上述成型方法成型的CSPLED，在固定正装芯片前，已经在正装芯片上封装了 封装胶，而且封装胶是封装在正装芯片的侧面和与电极相对的顶面上，改变了原有的正装 芯片的使用方式。减小了CSPLED的体积和质量。
[0009] 由于成型了面积大于电极的延伸电极，使得该CSPLED与基板等连接时，电连接的 面积大，因此，方便固定本发明的倒装芯片级LED，即CSPLED，固定的可靠性和牢固性高，而 且电连接性也好。由于在电极的下方成型了延伸电极，而且面积相对较大，因此，焊接的锡 膏不容易上爬到正装芯片本体上，避免出现短路的现象。
[0010] 本发明还提供一种利用正装芯片成型倒装芯片的方法，包括如下步骤： (1) 提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜;将正装芯片的顶面固定到第二隔离 膜上，让正装芯片的电极朝上； (2) 在正装芯片电极的一侧涂光刻胶，在光刻胶上盖掩膜版； (3) 曝光； (4) 显影:通过显影液溶解掉不需要的光刻胶，不需要的光刻胶为正装芯片电极对应的 溶解区域，溶解区域的面积大于电极的面积； (5) 在溶解区域内蒸镀金属层形成延伸电极； (6) 清洗掉光刻胶； (7) 切割成倒装芯片； (8) 将第二载台与第二隔离膜分离； (9) 将第二隔离膜与倒装芯片分离。
[0011]通过正装芯片的电极上形成延伸电极，从而使得利用正装芯片形成倒装芯片使 用，节约成本，且提高连接可靠性。
[0012] 一种CSPLED，包括正装芯片，在正装芯片的侧面和顶面封装有封装胶；正装芯片 包括正装芯片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在正 装芯片本体的下方设有白胶层。
[0013] 在固定正装芯片前，已经在正装芯片上封装了封装胶，而且封装胶是封装在正装 芯片的侧面和与电极相对的顶面上，改变了原有的正装芯片的使用方式。减小了倒CSP的 体积和质量。
[0014]由于延伸电极的面积大于电极的面积，使得该倒装芯片级LED与基板等连接时，电 连接的面积大，因此，方便固定本发明的CSPLED，固定的可靠性和牢固性高，而且电连接性 也好。由于在电极的下方成型了延伸电极，而且面积相对较大，因此，焊接的锡膏不容易上 爬到正装芯片本体上，避免出现短路的现象。由于成型了白胶层，白胶层的反射率高，当CSP LED安装后，由于正装芯片本身是靠具有电极的一面出光，当设置了白胶层后，正装芯片本 体向下的大部分光被白胶反射出去，因此，出光率高。经试验，将本发明的CSPLED固定到黑 色基板上和将普通的CSPLED固定到基板上，前者的出光率高出了后者的18%-22%。
【附图说明】
[0015]图1为实施例1CSPLED的示意图。图2为图1的A-A剖视图。图3为延伸电极金属层的 示意图。图4为将实施例1中的CSPLED安装到基板上的示意图。图5为实施例1第一载台的示 意图。图6为实施例1在第一载台上铺设第一隔离膜的示意图。图7为实施例1在第一隔离膜 上固定正装芯片的示意图。图8为实施例1在第一载台上加入封装胶的示意图。图9为提供第 二载台和铺设第二隔离膜并放置封装有封装胶的正装芯片的示意图。图10为第一隔离膜与 正装芯片分离的示意图。图11为在正装芯片上涂光刻胶和铺设掩膜版的示意图。图12为光 刻胶被溶解掉的示意图。图13为蒸镀延伸电极的示意图。图14为清洗掉光刻胶的示意图。图 15为涂白胶的示意图。图16为白胶低于延伸电极的示意图。图17为实施例1白胶高于延伸电 极的CSPLED的示意图。图18为将实施例1白胶高于延伸电极的CSPLED安装到基板上的示 意图。图19为实施例1在中间未填充白胶的倒装芯片级LED。图20为实施例2CSPLED的示意 图。图21为实施例2第一载台的示意图。图22为实施例2在第一载台上铺设第一隔离膜的示 意图。图23为实施例2在第一隔离膜上固定正装芯片的示意图。图24为实施例2在第一载台 上加入封装胶的示意图。图25为实施例2用压板按压封装胶的示意图。图26为实施例2去掉 压板的示意图。图27为实施例2白胶层高于延伸电极的CSPLED的示意图。图28为第三载台 的示意图。图29为铺设第三隔离膜且加入封装胶的示意图。图30为在第一隔离膜上固定正 装芯片的示意图。图31为将正装芯片准备伸入到封装胶的示意图。图32为将正装芯片伸入 到封装胶的示意图。图33为将第三隔离膜与封装胶分离的示意图。图34为CSPLED三面出光 图26中B-B剖视图。图35为图36中C-C剖视图。图36为图34中的D-D剖视图。图37为三面出光 的荧光胶覆盖在挡光胶上的CSPLED的示意图。图38为三面出光的荧光胶覆盖在部分挡光 胶上的CSPLED的示意图。图39为三面出光的荧光胶包裹住正装芯片的CSPLED的示意图。 图40为三面出光的封装胶高于电极底面的CSPLED的示意图。图41为图40E-E的剖视图。图 42为CSPLED单面出光图44中F-F剖视图。图43为图44中G-G剖视图。图44为图41中的H-H剖 视图。图45为单面出光荧光胶全部覆盖挡光胶顶面的CSPLED。图46为单面出光荧光胶部分 覆盖挡光胶顶面的CSPLED。图47为单面出光在正装芯片全部包裹荧光胶的示意图。图48为 单面出光封装胶高于电极底面的CSPLED的示意图。图49为图48中I-Ι剖视图。
【具体实施方式】
[0016] 下面结合【具体实施方式】对本发明进行进一步详细说明。
[0017] 在本发明中，"正装芯片的顶面"是指正装芯片与基板固定的一面。正装芯片本体 底部是指正装芯片发光的一面，即设置电极的一面。CSP(chipscalepackage)LED即芯片 级封装LED。
[0018] 实施例1。
[0019] 如图1和图2所示，CSPLED100包括正装芯片1，正装芯片1包括正装芯片本体11和 设在正装芯片本体11底部的电极12,所述的电极包括正电极和负电极，正装芯片的顶面设 有透光层。
[0020] 在正装芯片1的侧面和顶面封装有封装胶2,所述的封装胶为荧光胶;封装胶2的底 面与电极12的