光照射装置的制造方法

文档序号:9732202阅读:455来源:国知局
光照射装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种光照射装置。更详细地说,本发明涉及例如适用于半导体及液晶等的制造工序中的抗蚀剂(Resist)的光灰化处理、纳米压印装置中的模板的图案面上所附着的抗蚀剂的去除或液晶用的玻璃基板及硅晶片等的干洗处理、印刷基板制造工序中的去污(Desmear)处理的光照射装置。
【背景技术】
[0002]当前,例如作为进行半导体及液晶等的制造工序中的抗蚀剂的光灰化处理、纳米压印装置中的模板的图案面上所附着的抗蚀剂的去除或液晶用的玻璃基板及硅晶片等的干洗处理、印刷基板制造工序中的去污(Desmear)处理的方法,周知有使用紫外线的干洗方法。尤其是,利用由从准分子灯放射的真空紫外线生成的臭氧及活性氧的方法能够更高效地短時间内进行预定的处理,因此被广泛利用。作为这种光照射装置,以往提出了各种结构(例如参照专利文献1?专利文献3)。
[0003]这种利用真空紫外线的光照射装置中的一种装置例如图3所示那样,经由光透射窗构件12对配置在例如氧气等处理气体的气氛下的被处理物(工件)W的被处理面Wa照射来自放射真空紫外线的紫外线灯41的光。
[0004]在该光照射装置中,由多个紫外线灯41构成光源单元40。该光源单元40具备在一方(图3中的下方)具有开口部的箱型状的外壳42,在该外壳42的开口部,以气密地闭塞该开口部的方式设置有平板状的光透射窗构件12。在外壳42内,多个棒状的紫外线灯41以灯中心轴在同一水平面内彼此平行地延伸的状态配置。此外,反射镜43被设置成包围这些紫外线灯41。
[0005]此外,在该光照射装置中,被处理物W配置在被处理物支撑台31的被处理物载置面31a上。该被处理物载置面31a具有比被处理物W的被处理面Wa大的纵横尺寸。此外,在被处理物支撑台31上设置有对被处理物W加热的加热机构(未图示),并且形成有气体供给用贯通孔32a及气体排出用贯通孔32b。气体供给用贯通孔32a及气体排出用贯通孔32b在被处理物载置面31a上具有开口,且以能够在这些开口之间放置被处理物W的方式,形成在彼此在面方向(灯的排列方向)上分离的位置。
[0006]在该图的例子中,34是用于在光透射窗构件12与被处理物支撑台31之间形成预定大小的空间的柱状的间隔构件。在该间隔构件34的上表面上配置有密封构件35。并且,光源单元40经由密封构件35气密地配置在被处理物支撑台31上,从而在光源单元40与被处理物支撑台31之间形成有处理室S。
[0007]此外,在图3中,用箭头表示气体的流通方向。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1:日本专利第2948110号公报
[0011]专利文献2:日本特开平11-231554号公报
[0012]专利文献3:日本特开2011-181535号公报

【发明内容】

[0013]发明要解决的课题
[0014]于是,本发明人为了实现处理的高效化,进行了以下分析,即向被处理物的被处理面与光透射窗构件之间所形成的间隙(以下,称为“被处理物上间隙”)沿着该被处理面朝向一个方向供给处理气体,并且缩短该被处理物上间隙的距离。结果,在被处理物上间隙的距离即被处理物与光透射窗构件的分离距离为1mm以下的情况下,明确了会产生无法以高均匀性对被处理物的被处理面进行处理的问题。
[0015]产生这种问题的原因被推测为,随着被处理物与光透射窗构件的分离距离减小,没有足够量的处理气体向被处理物的被处理面上流通。
[0016]具体说明的话,被处理物支撑台的被处理物载置面的纵横尺寸大于被处理物的被处理面,因此在该被处理物载置面上存在不放置被处理物的区域(以下,称为“被处理物周围区域”)。并且,在被处理物配置在被处理物支撑台上的状态下,在被处理物周围区域与光透射窗构件之间,以包围被处理物及被处理物上间隙的方式形成有间隙(以下称为“支撑台上间隙”)。该支撑台上间隙与被处理物上间隙相比,大被处理物W的厚度方向上的尺寸,因此传导性(Conductance)大,所以与该被处理物上间隙相比,处理气体更容易流动。因此,在光透射窗构件与被处理物的分离距离大的情况(具体地说,分离距离超过1mm的情况)下,向被处理物的被处理面上(被处理物上间隙)朝向一个方向供给的处理气体在该被处理面上流通的过程中,其一部分不会大致直线状地流动,而是向位于该被处理物的侧方的支撑台上间隙流出。然而,由于向支撑台上间隙流出的处理气体的量是少量,因此在被处理物的被处理面上流通有处理所需的足够的量的处理气体。而在将光透射窗构件与被处理物的分离距离设为1mm以下的情况下,在被处理物上间隙,传导性变得很小,处理气体难以流过。因此,从被处理物的被处理面上(被处理物上间隙)向位于该被处理物的侧方的支撑台上间隙流出的处理气体的量增多。因此,推测为在被处理物的被处理面上没有处理所需的足够量的处理气体流通。
[0017]此外,还确认了这种问题在被处理物W为大面积、具体地说横向尺寸为510mm以上且纵向尺寸为515mm以上,被处理面积为2.6X105mm2以上的情况下很明显。
[0018]本发明是基于以上情况而做出的,其目的在于提供一种能够以高处理效率均匀地处理被处理物的光照射装置。
[0019]用于解决课题的方案
[0020]本发明的一种光照射装置,具备:被处理物支撑台,配置被处理物;紫外线灯,对上述被处理物的被处理面照射真空紫外线;以及光透射窗构件,配置在上述被处理物与上述紫外线灯之间,使来自该紫外线灯的真空紫外线透射,上述光照射装置的特征在于,上述被处理物的被处理面与上述光透射窗构件之间所形成的间隙的距离被设为1mm以下,设置有向该间隙沿着该被处理面朝向一个方向供给处理气体的气体供给机构,在上述被处理物支撑台上的向上述处理气体的供给方向延伸、且不放置被处理物的区域,配设有遮风构件。
[0021]在本发明的光照射装置中,优选的是,上述遮风构件被设为与上述光透射窗构件接触的状态,与该光透射窗构件接触的部分由氟树脂形成。
[0022]发明效果
[0023]在本发明的光照射装置中,由于设置有遮风构件,因此成为被处理物的被处理面上的传导性比该被处理物的处理气体的供给方向上延伸的侧面侧即被处理物的侧方的传导性大的状态。因此,向被处理物的被处理面上从气体供给机构沿着该被处理物的被处理面朝向一个方向供给的处理气体从被处理物的被处理面上向侧方流出的情况得到防止或抑制。因此,能够在被处理物的被处理面上切实地流通处理所需的量的处理气体。并且,在被处理物的被处理面上,处理气体朝向一个方向大致直线状地流通,因此流速分布得到高均匀性。此外,被处理物的被处理面与光透射窗构件之间所形成的间隙的距离被设为1mm以下。因此,到达被处理物的被处理面的真空紫外线达到足够大小的强度(光量),并且在被处理物的被处理面上稳定地生成臭氧及活性氧。其结果,能够以高处理效率均匀地处理被处理物。
【附图说明】
[0024]图1是表示本发明的光照射装置的结构的一例中的与构成该光照射装置的紫外线灯的管轴方向垂直的方向上的截面的说明用截面图。
[0025]图2是表示图1的光照射装置中的紫外线灯的管轴方向上的截面的说明用截面图。
[0026]图3是表示现有的光照射装置的结构的一例的说明用截面图。
【具体实施方式】
[0027]以下,说明本发明的实施方式。
[0028]图1是表示本发明的光照射装置的结构的一例中的与构成该光照射装置的紫外线灯的管轴方向垂直的方向上的截面的说明用截面图,图2是表示图1的光照射装置中的紫外线灯的管轴方向上的截面的说明用截面图。
[0029]该光照射装置10具备:保持装置,具有配置被处理物(工件)W的被处理物支撑台11;以及光源单元20,配置在被处理物支撑台11的上方(图1及图2中的上方)。并且,构成光源单元20的多个(图例中为8根)紫外线灯21与载置在被处理物支撑台11的被处理物载置面11a上的被处理物W之间,设置有光透射窗构件12。
[0030]在光照射装置10中,被处理物支撑台11具有长方体状的形状,被处理物载置面11a为平坦面,具有比被处理物W的被处理面(上表面)Wa大的纵横尺寸。此外,光透射窗构件12具有矩形平板状的形状,由矩形环状的支撑构件13支撑,以与被处理物载置面11a平行的状态对置配置。支撑构件13具有窗构件夹持部13a,通过该窗构件夹持部13a紧密夹持光透射窗构件12的外周缘部。
[0031]此外,在光照射装置10中,以包围被处理物支撑台11的侧面的方式设置有矩形环状的光源单元支撑台14,在该光源单元支撑台14的上表面配置有光源单元20。此外,在光源单元支撑台14中,形成有将被处理物支撑台11以能够在上下方向(图1及图2中的上下方向)上滑动的方式收容的收容空间,并且通过在内周面的全周上延伸的凹部14a形成有窗构件配置部。
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