微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于显示的微发光二极管，更具体地，涉及一种用于微发光二极管转移的方法、一种用于制造微发光二极管装置的方法、一种微发光二极管装置以及一种包含微发光二极管装置的电子设备。
【背景技术】
[0002]微发光二极管(MicroLED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。目前，微发光二极管技术正开始发展，工业界正期待有高品质的微发光二极管产品进入市场。高品质微发光二极管产品会对市场上已有的诸如LCD/0LED的传统显示产品产生深刻影响。
[0003]在制造微发光二极管的过程中，首先在施主晶圆上形成微发光二极管，接着将微发光二极管转移到接受衬底上。接受衬底例如是显示屏。
[0004]在制造微发光二极管过程中的一个困难在于如何将微发光二极管从施主晶圆上转移到接受衬底上。在现有技术中，一般通过静电拾取的方式来执行所述转移。在静电拾取的过程中需要使用转移头阵列。转移头阵列的结构相对复杂，并需要考虑它的可靠性。制造转移头阵列需要额外的成本。在利用转移头阵列的拾取之前需要产生相位改变。另外，在使用转移头阵列的制造过程中，微发光二极管用于相位改变的热预算受到限制，通常小于350°C，或者更具体地，小于200°C;否则，微发光二极管的性能会劣化。在使用转移头阵列的制造过程中通常需要两次转移，即，从施主晶圆到承载晶圆的转移以及从承载晶圆到接受衬底的转移。
[0005]美国专利US 8,333,860 BI公开了一种用于传送微器件的传送头阵列，其中通过向传送头中的电极施加电压来拾取微器件。该专利在此全部引入作为参考。
[0006]美国专利US8，426，227B1公开了一种用于形成微发光二极管阵列的方法，其中，使用传送头来将微发光二极管阵列转移到接受衬底上。该专利在此全部引入作为参考。
【发明内容】
[0007]本发明的一个目的是提供一种用于微发光二极管转移的新技术方案。
[0008]根据本发明的一个实施例，提供了一种用于微发光二极管转移的方法，包括:在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管;在接收衬底上设置各向异性导电层;使微发光二极管与接收衬底上的各向异性导电层接触;从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管；以及对各向异性导电层进行处理，使得微发光二极管与接收衬底上的接垫电连接。
[0009]优选地，对各向异性导电层进行处理的步骤还包括:使用辅助衬底，从微发光二极管侧对各向异性导电层施加压力。
[0010]优选地，对各向异性导电层进行处理的温度是在150°C至200°C之间，所施加的压力是在IMPa至4MPa之间，以及施加压力的时间是在10秒至30秒之间。[0011 ]优选地，辅助衬底是平板刚性衬底。
[0012]优选地，在辅助衬底的表面上涂覆有临时键合聚合物，以及对各向异性导电层进行处理的步骤还包括:经由临时键合聚合物将辅助衬底与各向异性导电层键合；以及在施加压力之后，经由临时键合聚合物对辅助衬底进行解键合，以移除辅助衬底。
[0013]优选地，所述方法还包括:对临时键合聚合物进行蚀刻，以暴露微发光二极管的外延层;在微发光二极管的外延层上形成N电极；以及在N电极上进行封装。
[0014]优选地，各向异性导电层是各向异性导电膜、各向异性导电浆和各向异性导电胶带中的至少一种。
[0015]根据本发明的另一个实施例，提供了一种用于制造微发光二极管装置的方法，包括使用根据本发明的方法将微发光二极管转移到接收衬底上。
[0016]根据本发明的另一个实施例，提供了一种使用根据本发明的方法制造的微发光二极管装置，其中，微发光二极管通过各向异性导电层与接收衬底上的接垫电接触。
[0017]根据本发明的另一个实施例，提供了一种电子设备，包含根据本发明的微发光二极管装置。
[0018]根据本发明的另一个实施例，提供了一种用于微发光二极管转移的方法，包括:将至少一个微发光二极管从原始衬底转移到支撑体上;将所述至少一个微发光二极管从支撑体转移到备用衬底上；以及将所述至少一个微发光二极管从备用衬底转移到接收衬底上。
[0019]优选地，原始衬底是激光透明的，以及将至少一个微发光二极管从原始衬底转移到支撑体的步骤包括:将原始衬底安装到支撑体，其中，在原始衬底上形成有微发光二极管，在支撑体的表面上有光释放粘合剂，微发光二极管通过光释放粘合剂粘合到支撑体上，从原始衬底侧用激光照射原始衬底，用于从原始衬底剥离所述至少一个微发光二极管，以及从支撑体侧照射光，以释放未被剥离的微发光二极管;其中，将所述至少一个微发光二极管从支撑体转移备用衬底的步骤包括:将具有所述至少一个微发光二极管的支撑体键合到备用衬底，以及从支撑体侧照射光，以释放所述至少一个微发光二极管。
[0020]优选地，光释放粘合剂是紫外线照射胶带，以及支撑体是硬性的。
[0021]优选地，支撑体的材料是PET。
[0022]优选地，备用衬底在其表面上具有弹性体或聚合物，以及将所述至少一个微发光二极管从支撑体转移备用衬底的步骤还包括:通过弹性体或聚合物将所述至少一个微发光二极管键合到备用衬底;其中，将所述至少一个微发光二极管从备用衬底转移到接收衬底上的步骤还包括:将所述至少一个微发光二极管与接收衬底上的接垫对准；以及通过弹性体或聚合物剥离所述至少一个微发光二极管。
[0023]优选地，所述方法还包括:在生长衬底上形成红色微发光二极管;将红色微发光二极管转移到中间衬底上；以及将红色微发光二极管从中间衬底转移到原始衬底上。
[0024]优选地，所述方法还包括:在具有微发光二极管的接收衬底上涂覆聚合物;对聚合物进行固化;对聚合物进行蚀刻，以暴露微发光二极管的外延层;在微发光二极管的外延层上形成N电极；以及在N电极上进行封装。
[0025]根据本发明的另一个实施例，提供了一种用于制造微发光二极管装置的方法，包括使用根据本发明的方法将微发光二极管转移到接收衬底上。
[0026]根据本发明的另一个实施例，提供了一种使用根据本发明的方法制造的微发光二极管装置。
[0027]根据本发明的另一个实施例，提供了一种电子设备，包含根据本发明的微发光二极管装置。
[0028]另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或权利要求的技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者【背景技术】中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。
[0029]通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
【附图说明】
[0030]被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
[0031 ]图1示出了根据本发明的方法的一个示意性实施例的流程图。
[0032]图2A至图2G示出了根据本发明的用于微发光二极管转移的一个例子。
[0033]图3示出了根据本发明的方法的另一个示意性实施例的流程图。
[0034]图4A至图4L示出了根据本发明的用于微发光二极管转移的另一个例子。
[0035]图5示出了根据本发明的方法的又一个示意性实施例的流程图。
[0036]图6A至图6F示出了根据本发明的用于红微发光二极管转移的例子。
[0037]图7A至图7L示出了根据本发明的用于微发光二极管转移的又一个例子。
【具体实施方式】
[0038]现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
[0039]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
[0040]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，