光二极管与接收衬底上的各向异性导电层接触。例如，可以使得微发光二极管与接收衬底上的各向异性导电层粘接在一起。在这个步骤中，例如可以先将微发光二极管与接收衬底上对应的接垫对准。
[0088]在步骤S2400，从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管。
[0089]例如，可以分别针对红发光二极管、绿发光二极管、蓝发光二极管分别执行上述步骤。由于分别针对三种发光二极管执行上述转移可以看作是对上述步骤的简单重复，因此，在这里不再重复。只要上述步骤中的每一个在一个方案中被执行过，则该方案落入本发明的保护范围。
[0090]在步骤S2500，对各向异性导电层进行处理，使得微发光二极管(电极)与接收衬底上的接垫电连接。
[0091]在一个例子中，可以使用辅助衬底，从微发光二极管侧对各向异性导电层施加压力。例如，对各向异性导电层进行处理的温度可以在150°C至200°C之间。例如，所施加的压力是在IMPa至4MPa之间。例如，施加压力的时间是在1秒至30秒之间。
[0092]在一个例子中，辅助衬底可以是平板刚性衬底。本申请的发明人发现，通过采用刚性衬底可以减小微发光二极管可能出现的移位。这是本领域普通技术人员尚未注意到的地方。
[0093]例如，可以在辅助衬底的表面上涂覆有临时键合聚合物。在这种情况下，步骤S2500还可以包括:经由临时键合聚合物将辅助衬底与各向异性导电层键合；以及在施加压力之后，经由临时键合聚合物对辅助衬底进行解键合，以移除辅助衬底。将辅助衬底与微发光二极管临时键合的好处在于，可以相对固定微发光二极管的位置，并减小对各向异性导电层进行处理期间微发光二极管的移位。
[0094]在上述处理之后，可以对微发光二极管执行通常的后续处理。例如，后续处理可以包括:对临时键合聚合物进行蚀刻，以暴露微发光二极管的外延层;在微发光二极管的外延层上形成N电极；以及在N电极上进行封装。
[0095]例如，接收衬底可以是显示衬底。在接收衬底上可以预先设置引线以及接垫，以便与微发光二极管电连接。
[0096]在这个实施例中，通过各向异性导电层来连接微发光二极管和接收衬底。这种方式处理相对简单，并且更适合于大规模生产。
[0097]在该另一个实施例中，本发明还包括一种用于制造微发光二极管装置的方法。该制造方法包括使用根据本发明的用于微发光二极管转移的方法将微发光二极管转移到接收衬底上。所述接收衬底例如是显示屏面板或显示衬底。所述微发光二极管装置例如是显示屏装置。
[0098]在该另一个实施例中，本发明还包括一种微发光二极管装置，例如显示屏装置。可以使用根据所述实施例的用于制造微发光二极管装置的方法来制造所述微发光二极管装置。在根据所述实施例的微发光二极管装置中，微发光二极管通过各向异性导电层与接收衬底上的接垫电接触，这与现有技术中的微发光二极管装置是不同的。
[0099]在该另一个实施例中，本发明还包括一种电子设备。该电子设备包含根据所述实施例的微发光二极管装置。例如，该电子设备可以是手机、平板电脑等。
[0100]图4A至图4L示出了根据本发明的用于微发光二极管转移的另一个例子。
[0101]如图4A所示，在诸如蓝宝石衬底的原始衬底201上具有红色微发光二极管202。在诸如显示衬底的接收衬底204上具有各向异性导电膜(ACF)203。接收衬底204具有用于连接微发光二极管的信号引线205以及接垫205’。
[0102]如图4B所示，以较小的力将原始衬底201(红色微发光二极管202)与各向异性导电膜203接触。例如，可以把要转移的红色微发光二极管202与接收衬底204上的接垫对准。用激光206照射原始衬底201，以选择性地剥离红色微发光二极管。
[0103]图4C中示出了剥离后的红色微发光二极管202r。
[0104]图4D示出了原始衬底207及其绿色微发光二极管208。要剥离的绿色微发光二极管与接收衬底204上的接垫对准。
[0105]图4E示出了绿色微发光二极管208以较小的力与各向异性导电膜203接触。通过激光209选择性地剥离至少一个绿色微发光二极管。
[0106]图4F示出了剥离后的红色微发光二极管202r和绿色微发光二极管208g。
[0107]图4G示出了原始衬底210及其蓝色微发光二极管211。要剥离的蓝色微发光二极管与接收衬底204上的接垫对准。
[0108]图4H示出了蓝色微发光二极管211以较小的力与各向异性导电膜203接触。通过激光212选择性地剥离至少一个蓝色微发光二极管。
[0109]图41示出了剥离后的红色微发光二极管202r、绿色微发光二极管208g和蓝色微发光二极管211b。
[0110]在转移了三种颜色的发光二极管之后，可以检查是否存在缺陷，并进行修补。
[0111]图4J中示出了辅助衬底213。辅助衬底213是平板刚性衬底，例如玻璃衬底。在辅助衬底213上涂覆有聚合物214，例如3M LC5200/5320聚合物。该聚合物例如可以通过紫外线固化，并且可以通过红色激光解键合。
[0112]在图4K中，通过辅助衬底213对ACF 203进行处理。例如，处理条件为，温度在150°C至200°C之间，所施加的压力是在IMPa至4MPa之间，施加压力的时间是在10秒至30秒之间。通过所述处理，ACF 203在垂直方向上将微发光二极管与对应的接垫互连。
[0113]之后，(通过聚合物214)对辅助衬底213进行解键合。
[0114]在图4L中，执行通常的后续处理:对聚合物214进行蚀刻，以暴露微发光二极管的外延层;在微发光二极管的外延层上形成N电极215(例如，ITO材料电极)；以及在N电极上进行封装216 (例如，进行PET层叠)。
[0115]图5示出了根据本发明的用于微发光二极管转移的方法的又一个示意性实施例的流程图。
[0116]如图5所示，在步骤S3100，将至少一个微发光二极管从原始衬底转移到支撑体。例如，原始衬底是激光透明的。
[0117]在一个例子中，该步骤可以包括:将原始衬底安装到支撑体，其中，在原始衬底上形成有微发光二极管，在支撑体的表面上有光释放粘合剂，微发光二极管通过光释放粘合剂粘合到支撑体上;从原始衬底侧用激光照射原始衬底，用于从原始衬底剥离所述至少一个微发光二极管；以及从支撑体侧照射光，以释放未被剥离的微发光二极管。在这个例子中，支撑体是透光的。
[0118]例如，光释放粘合剂可以是紫外线照射胶带(UVTape)。例如，支撑体是硬性的。在转移过程中微发光二极管的移位会影响最终产品的质量。本申请的发明人发现通过采用硬性的支撑体，可以减小这种移位。这是本领域普通技术人员尚未注意到的地方。例如，支撑体的材料可以是PET。
[0119]通常，红色微发光二极管很难在诸如蓝宝石衬底的激光透明衬底上形成。因此，在一个例子中，可以预先形成红色微发光二极管，然后将红色微发光二极管转移到原始衬底上，以用于最终转移到接收衬底上。例如，在该实施例中，可以在生长衬底上形成红色微发光二极管。接着，将红色微发光二极管转移到中间衬底上。之后，将红色微发光二极管从中间衬底转移到原始衬底上。
[0120]在步骤S3200，将所述至少一个微发光二极管从支撑体转移到备用衬底。
[0121]例如，备用衬底在其表面上具有弹性体或聚合物。例如，通过弹性体或聚合物将所述至少一个微发光二极管键合到备用衬底。
[0122]在一个例子中，该步骤还可以包括:将具有所述至少一个微发光二极管的支撑体键合到备用衬底，以及从支撑体侧照射光，以释放所述至少一个微发光二极管。
[0123]在步骤S3300，将所述至少一个微发光二极管从备用衬底转移到接收衬底上。
[0124]在一个例子中，该步骤还可以包括:将所述至少一个微发光二极管与接收衬底上的接垫对准；以及通过弹性体或聚合物剥离所述至少一个微发光二极管。
[0125]例如，可以分别针对红色微发光二极管、蓝色微发光二极管和绿色微发光二极管执行上述转移步骤。在这里不再重复描述。
[0126]在上述处理之后，