所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0041]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0042]应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0043]下面参照附图来描述本发明的实施例和例子。
[0044]图1示出了根据本发明的用于微发光二极管转移的方法的一个示意性实施例的流程图。
[0045]如图1所示，在步骤S1100，在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管。
[0046]所述激光透明的原始衬底例如可以是蓝宝石衬底、SiC衬底等等。所述微发光二极管可以用于被安装到显示屏面板上。
[0047]本领域技术人员应当理解，可以在原始衬底上形成一个微发光二极管，或者也可以形成多个微发光二极管。例如，可以在激光透明的原始衬底上形成多个微发光二极管。所述多个微发光二极管可以形成阵列。
[0048]在一个例子中，在激光透明的原始衬底上形成多个微发光二极管的情况下，原始衬底还可以被分割或划分成多个片，用于更加灵活的转移。
[0049]在步骤S1200，使微发光二极管与接收衬底上预先设置的接垫接触。
[0050]例如，所述接收衬底是显示屏面板。
[0051]例如，所述接垫可以被设置成用于显示屏中的红色像素阵列、黄色像素阵列或蓝色像素阵列。
[0052]在一个例子中，在形成了多个微发光二极管的情况下，可以使多个微发光二极管中的至少一个微发光二极管与接收衬底上预先设置的至少一个接垫接触。所述至少一个微发光二极管可以是所述多个微发光二极管中的一个、多个或者全部。本领域技术人员应当理解，尽管在这里仅描述了希望被剥离的至少一个微发光二极管与接垫接触，但是，所述多个微发光二极管中的其他微发光二极管也可以与接垫接触。
[0053]例如，在接触的步骤中，可以使微发光二极管经由液体薄膜与接收衬底上预先设置的接垫接触。例如，所述液体薄膜例如可以包含助焊剂。在这里，通过液体薄膜(助焊剂)的表面张力，微发光二极管的剥离可以变得很容易，并且成功率很高。
[0054]在步骤S1300，从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管。
[0055]在一个例子中，在至少一个微发光二极管与接垫接触的情况下，可以从原始衬底侧用激光照射原始衬底上的至少一个区域，以从原始衬底剥离所述至少一个微发光二极管。例如，所述至少一个区域可以由技术人员选择。例如，所述至少一个区域可以分别与所述至少一个微发光二极管对应。所述至少一个区域可以仅是原始衬底上的部分区域，或者也可以是全部区域。
[0056]在另一个例子中，还可以偏移所述原始衬底，以用于转移另外的微发光二极管。
[0057]在另一个例子中，在使用原始衬底完成转移之后，为了应对在显示屏面板上的部分点处微发光二极管缺失的情况，可以使用另外的激光透明的备用衬底。例如，可以在另外的备用衬底上形成微发光二极管;使备用衬底上的微发光二极管与接收衬底上预先设置的接垫(在缺失位置)接触；以及从备用衬底侧用激光照射备用衬底，以从备用衬底剥离微发光二极管。以这种方式，可以进一步提高显示屏的质量。
[0058]在将微发光二极管转移到接收衬底之后，可以在接收衬底上形成微发光二极管阵列。
[0059]在将微发光二极管转移到接收衬底之后，还可以包括后续步骤。
[0060]例如，还可以在接收衬底上，对所剥离的微发光二极管进行回流焊接。还可以在微发光二极管上沉积负电极。可以在每种颜色的微发光二极管被转移之后进行回流焊。作为替代，也可以在所有颜色的微发光二极管被转移之后进行回流焊。
[0061]另外，还可以对所焊接的微发光二极管进行聚合物填充。例如，还可以用锥形电介质沉积来代替聚合物填充。
[0062]在另一个实施例中，本发明还包括一种用于制造微发光二极管装置的方法。该制造方法包括使用根据本发明的用于微发光二极管转移的方法将微发光二极管转移到接收衬底上。所述接收衬底例如是显示屏面板。所述微发光二极管装置例如是显示屏装置。
[0063]在另一个实施例中，本发明还包括一种微发光二极管装置，例如显示屏装置。可以使用根据本发明的用于制造微发光二极管装置的方法来制造所述微发光二极管装置。
[0064]相对于现有技术，在同等条件下，通过本发明的技术方案制造的微发光二极管更加简单、可靠并能够保持高性能，而且其生产率相对高且成本低。
[0065]在另一个实施例中，本发明还包括一种电子设备。该电子设备包含根据本发明的微发光二极管装置。例如，该电子设备可以是手机、平板电脑等。
[0066]在本发明的技术方案中，直接在原始衬底上形成微发光二极管，并通过激光剥离的方式将其转移到接收衬底上。本发明的技术方案是现有技术中没有想到的。
[0067]另外，通过本发明，可以选择性地转移微发光二极管。
[0068]另外，在本发明的技术方案中，可以进行仅一次转移，而在现有技术中需要进行两次转移。
[0069]另外，与现有技术相比，本发明的技术方案更加高效，成本更低，并且不会产生由于额外的热开销造成的产品性能劣化。
[0070]另外，与采用拾取头的现有技术相比，本发明不需要复杂的拾取系统，并因此通过本发明制造的产品的成本更低、更可靠。
[0071]另外，由于不需要现有技术中的微发光二极管与中间的承载衬底之间的临时键合，因此，通过本发明，可以进一步降低成本。
[0072]由于在本发明中不需要考虑采用拾取头的现有技术中所要考虑的键合层相位改变，因此，根据本发明的制造方法可以具有较高的生产率，额外的热负荷限制较小。因而，在同等条件下，所制造的微发光二极管具有更高的性能。
[0073]下面参照图2A至2G描述根据本发明的用于微发光二极管转移的一个例子。
[0074]如图2A所示，在诸如蓝宝石衬底的对激光透明的原始衬底I上形成微发光二极管
2。所述微发光二极管2例如具有垂直微发光二极管结构。微发光二极管2例如包括η型掺杂的GaN层、多个量子阱结构、P型掺杂的GaN层、P金属电极和微凸块等。
[0075]如图2Α所示，可以将多个微发光二极管2分割开来。
[0076]如图2Β所示，将原始衬底I翻转过来，并将其与具有液体薄膜(例如，包含助焊剂)5的接收衬底4对齐。微发光二极管2上的微凸块与助焊剂接触。接收衬底4上预先设置有接垫
3。例如，接垫3包括用于接收红色微发光二极管的接垫3r、用于接收蓝色微发光二极管的接垫3b和用于接收绿色微发光二极管的接垫3g。
[0077]如图2C所示，选择性地用激光6照射原始衬底上的部分区域7，从而将所形成的多个微发光二极管中的选定的微发光二极管2a、2b从原始衬底上剥离。
[0078]如图2D所示，将原始衬底I抬起。由于液体薄膜的表面张力的作用，很容易地将所选定的微发光二极管2a、2b剥离，而在原始衬底I上保留其他微发光二极管。
[0079]之后，可以移动原始衬底，并重复图2C至图2D的操作，这样可以将多个微发光二极管转移到接收衬底上。
[0080]如图2E所示，多个微发光二极管被转移到接收衬底4。
[0081]如图2F所示，例如通过回流焊将多个微光二极管焊接到接收衬底上。之后可以清洗助焊剂。
[0082]如图2G所示，在接收衬底上进行填充聚合物8并进行密封。之后，沉积N金属电极9，例如利用ITO材料。
[0083]图3示出了根据本发明的用于微发光二极管转移的方法的另一个示意性实施例的流程图。
[0084]如图3所示，在步骤S2100，在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管。
[0085]在步骤S2200，在接收衬底上设置各向异性导电层。
[0086]例如，各向异性导电层是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电浆(ACG)和各向异性导电胶带(ACT)中的至少一种。
[0087]在步骤S2300，使微发