在娃片表面生长一层1 nm的薄氧化娃层；
(4)大N2气氛下将温度降低至800°C，N2气氛中出舟。
[0019]形成的前表面场表面浓度在7E17cm—3，结深在0.15μπι。形成的前表面场在覆盖SiNx膜钝化后，绒面上的Jo低至5 fA/cm2-10fA/cm2。应用所得超低表面浓度前表面场的IBC电池，其短波段的内量子效率高达95%以上。
[0020]实施例2
全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成，包括一步空管运行饱和步骤及紧接一步空管运行饱和步骤之后的氧化步骤。
[0021 ] 一步空管运行饱和步骤包括:
(DSOO0C，大他加小氧气气氛下空舟进舟；
(2)800°C磷源沉积，小犯携带磷源，流量为200sCCm，同时通小氧气与磷源反应，小氧气流量为lOOsccm，并调节大N2流量来维持通过炉管的气体总量，沉积时间30min;
(3)吹扫，关闭磷源阀门，只通小他吹扫磷源管路，大N2维持炉管气体总量；
(4)大N2气氛下将温度降低至800°C，N2气氛中出舟。
[0022]氧化步骤包括:(I)800°C，大他加小氧气气氛下装硅片进舟；
(2 )氧化，在800°C于氮气加氧气气氛下维持30min进行残余磷源扩散和氧化，使炉管内和石英舟上的残留磷源沉积到硅片表面，磷原子扩散进入硅片里面形成N+掺杂区，同时由于氧气的存在会在娃片表面生长一层5 nm的薄氧化娃层；
(3)大N2气氛下将温度降低至800°C，N2气氛中出舟。
[0023]形成的前表面场表面浓度在3E17cm—3，结深在Ο.?μπι。形成的前表面场在覆盖SiNx膜钝化后，绒面上的Jo低至5 fA/cm2-10fA/cm2。应用所得超低表面浓度前表面场的IBC电池，其短波段的内量子效率高达95%以上。
[0024]实施例3
全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成，包括一步空管运行饱和步骤及紧接一步空管运行饱和步骤之后的氧化步骤。
[0025]一步空管运行饱和步骤包括:
(1)810°C，大他加小氧气气氛下空舟进舟；
(2)大他加小氧气气氛下升温至磷源沉积温度950°C;
(3)950°C磷源沉积，小犯携带磷源，流量为lOOOsccm，同时通小氧气与磷源反应，小氧气流量为500sccm，并调节大N2流量来维持通过炉管的气体总量，沉积时间1min;
(4)吹扫，关闭磷源阀门，只通小他吹扫磷源管路，大N2维持炉管气体总量；
(5)大N2气氛下将温度降低至810°C，N2气氛中出舟。
[0026]氧化步骤包括:(1)810°C，大他加小氧气气氛下装硅片进舟；
(2)大N2加小氧气气氛下升温至950°C ；
(3 )氧化，在950°C于氮气加氧气气氛下维持30min进行残余磷源扩散和氧化，使炉管内和石英舟上的残留磷源沉积到硅片表面，磷原子扩散进入硅片里面形成N+掺杂区，同时由于氧气的存在会在娃片表面生长一层15 nm的薄氧化娃层；
(4)大N2气氛下将温度降低至810°C，N2气氛中出舟。
[0027]形成的前表面场表面浓度在lE18cm—3，结深在0.2μπι。形成的前表面场在覆盖SiNx膜钝化后，绒面上的Jo低至5 fA/cm2-10fA/cm2。应用所得超低表面浓度前表面场的IBC电池，其短波段的内量子效率高达95%以上。
[0028]本发明全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成方法中参数的变化并不影响全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备，因此本发明形成方法中任意参数的组合均可实现全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备，得到表面浓度在3E17cnf3-lE18cm—3、结深为0.1ym-0.2μηι的前表面场。在此不再赘述。
【主权项】
1.一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成方法，其特征在于，包括一步空管运行饱和步骤及紧接一步空管运行饱和步骤之后的氧化步骤； 所述一步空管运行饱和步骤包括:在800°c-810°c于氮气和氧气气氛中空舟进舟，再在800°C_950°C于氧气、氮气以及携带磷源的氮气气氛中进行磷源沉积，然后在氮气气氛中于800°C_810°C 出舟； 所述氧化步骤包括:在800°C_810°C于氮气和氧气气氛中装硅片进舟，再在800°C_950°C于氧气和氮气气氛中进行残余磷源扩散和氧化，然后在氮气气氛中于800°C_810°C出舟。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述一步空管运行饱和步骤中磷源沉积过程，其中携带磷源的氮气流量为200sccm-1000sccm，氧气流量为10sccm _500sccm。3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述一步空管运行饱和步骤中磷源沉积的时间为1min _30min。4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述一步空管运行饱和步骤中空舟进舟过程，其中氮气的流量远大于氧气的流量。5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氧化步骤中残余磷源扩散和氧化白勺时间为10min_50min。6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氧化步骤中装硅片进舟过程，其中氮气的流量远大于氧气的流量。
【专利摘要】本发明公开了一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的形成方法，采用间接磷源法形成前表面场和钝化氧化层，包括一步空管运行饱和步骤及紧接一步空管运行饱和步骤之后的氧化步骤；该方法所得前表面场的表面浓度可达3E17cm-3到1E18cm-3，结深为0.1μm-0.2μm，所得前表面场同时覆盖了一层5nm到15nm的热氧化硅薄层。应用本发明所述超低表面浓度前表面场的IBC电池，其短波段的内量子效率高达95%以上。
【IPC分类】H01L31/0216, H01L31/18
【公开号】CN105514219
【申请号】CN201610050192
【发明人】李中兰
【申请人】常州天合光能有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2016年1月26日