半导体模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本说明书中所公开的技术涉及一种半导体模块。
【背景技术】
[0002]在专利文献I (日本特开2009-295794号公报)中公开了一种具备在上下方向上并排配置的一对半导体元件的半导体装置。一对半导体元件以使其各自的发射极对置的方式而配置。各半导体元件分别经由缆线而与控制用的端子连接。控制用的各端子在上下方向上以隔开间隔的方式而并排配置。
【发明内容】
[0003]发明所要解决的课题
[0004]由于在专利文献I中公开的技术中，各半导体元件的控制用的各端子以在上下方向上隔开间隔的方式而并排配置，因此存在有半导体装置整体的上下方向上的高度成为较高，从而使装置大型化的问题。因此本说明书的目的在于，提供一种能够实现小型化的半导体模块。
[0005]用于解决课题的方法
[0006]本说明书中所公开的半导体模块具备:第一半导体元件，其在表面上形成有第一信号用电极;第二半导体元件，其以相对于第一半导体元件而隔开间隔的方式配置，并且在第一半导体元件侧的表面上形成有第二信号用电极。此外，半导体模块具备:第一信号用引线，其与第一信号用电极电连接;第二信号用引线，其与第二信号用电极电连接。第一信号用引线与第二信号用引线在从第一半导体元件朝向第二半导体元件的高度方向上，以使各自的高度位置一致的方式而配置。
[0007]根据这种结构，由于第一信号用引线与第二信号用引线在从第一半导体元件朝向第二半导体元件的高度方向上，以使各自的高度位置一致的方式而配置，因此能够将该方向上的半导体模块的宽度设为较小。
[0008]上述半导体模块还具备:绝缘部件，其被配置在第一半导体元件与第二半导体元件之间；第一信号用图案，其被形成在绝缘部件的第一半导体元件侧的表面上;第二信号用图案，其被形成在绝缘部件的第二半导体元件侧的表面上。第一信号用电极经由第一信号用图案而与第一信号用引线电连接，第二信号用电极经由第二信号用图案而与第二信号用引线电连接。
【附图说明】
[0009]图1为实施方式的半导体模块的纵剖视图。
[0010]图2为图1的Π-Π剖视图。
[0011 ]图3为将半导体模块的结构元件的一部分放大表示的立体图。
[0012]图4为将半导体模块的结构元件的一部分放大表示的立体图。
[0013]图5为其他实施方式的半导体模块的与图2对应的剖视图。
[0014]图6为另一其他实施方式的半导体模块的纵剖视图。
[0015]图7为图6的VH-W剖视图。
[0016]图8为将半导体模块的结构元件的一部分放大表示的立体图。
[0017]图9为另一其他实施方式的半导体模块的纵剖视图。
[0018]图10为另一其他实施方式的半导体模块的与图2对应的剖视图。
【具体实施方式】
[0019]以下，参照附图而对实施方式进行说明。如图1至图3所示，实施方式所涉及的半导体模块2具备:一对半导体元件3(第一半导体元件31以及第二半导体元件32)、多个信号用引线5(第一信号用引线51以及第二信号用引线52)。另外在图3中，为了使附图便于观察，以使第一半导体元件31与第二半导体元件32、及第一信号用引线51与第二信号用引线52在上下方向(z方向)上分离的状态而进行了图示。此外，半导体模块2具备与各半导体元件3对应的发射极用引线53以及集电极用引线54。此外，半导体模块2具备对整体进行密封的密封树脂6。
[0020]在本实施方式中作为半导体元件3而使用了 IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor:绝缘栅双极性晶体管)。第一半导体元件31以及第二半导体元件32以在上下方向(z方向)上隔开间隔的方式而配置。在图1所示的示例中，第一半导体元件31被配置在与第二半导体元件32相比靠上侧处。一对半导体元件3(第一半导体元件31以及第二半导体元件32)分别具有表面33以及背面34，并且以使其各自的表面33对置的方式而配置。即，第一半导体元件31的表面33朝向下方，第二半导体元件32的表面33朝向上方(第一半导体元件31的背面34朝向上方，第二半导体元件32的背面34朝向下方。)。在半导体元件3的表面33上形成有发射极(省略图示)，在背面34上形成有集电极(省略图示)。在与各发射极邻接的位置处，配置有发射极用引线53 ο各发射极通过焊锡22而与邻接的发射极用引线53连接。在与各集电极邻接的位置处，配置有集电极用引线54。各集电极通过焊锡23而与邻接的集电极用引线54连接。即，各半导体元件3被配置在发射极用引线53与集电极用引线54之间。集电极用引线54作为散热装置而发挥功能。从各半导体元件3(第一半导体元件31以及第二半导体元件32)所产生的热量经由集电极用引线54(散热装置)而被释放至外部。
[0021]在上下发射极用引线53之间配置有板状的绝缘部件7。在绝缘部件7的表面以及背面上形成有金属层。绝缘部件7的表面以及背面的金属层通过焊锡24而被固定在各发射极用引线53上。上下发射极用引线53之间通过绝缘部件7而被绝缘。
[0022]在各集电极用引线54的外侧处配置有用于对半导体元件3进行冷却的冷却器(省略图示)。此外，在上下集电极用引线54之间填充有对半导体元件3进行密封的密封树脂6。
[0023]上侧的第一半导体元件31具有被形成在其表面33上的多个第一信号用电极41，下侧的第二半导体元件32具有被形成在其表面33上的多个第二信号用电极42。各信号用电极4(第一信号用电极41以及第二信号用电极42)以与发射极邻接的方式而形成。信号用电极4为，用于在半导体元件3与外部装置(省略图示)之间实施控制信号的发送接收的电极。如图2所示，多个信号用电极4在俯视观察时以隔开间隔的方式而并排形成。第一信号用电极41以及第二信号用电极42在俯视观察时以相互不重叠的方式而于横向上错开形成。在本实施方式中，在俯视观察时，第一信号用电极41与第二信号用电极42被交替地排列配置。由此，第一信号用电极41以及第二信号用电极42以在上下方向(z方向)上不重叠的方式而构成。
[0024]各信号用引线5局部性地被密封树脂6覆盖，并且其一部分从密封树脂6向外部突出。各信号用引线5(第一信号用引线51以及第二信号用引线52)通过金属的缆线(第一缆线43以及第二缆线44)而与各信号用电极4(第一信号用电极41以及第二信号用电极42)连接。第一信号用引线51经由第一缆线43而与第一信号用电极41电连接，第二信号用引线52经由第二缆线44而与第二信号用电极42电连接。信号用引线5以隔开间隔而平行延伸的方式配置。第一信号用引线以及第二信号用引线被交替地排列配置。因此，第一缆线43以及第二缆线44被交替地配置。如图3所示，第一缆线43以向下侧凸起的方式而弯曲。第一缆线43的一端从第一信号用电极41的下侧与第一信号用电极41连接，而另一端从第一信号用引线51的下侧与第一信号用引线51连接。第二缆线44以向上侧凸起的方式而弯曲。第二缆线44的一端从第二信号用电极42的上侧与第二信号用电极42连接，而另一端从第二信号用引线52的上侧与第二信号用引线52连接。
[0025]如图4所示，各信号用引线5(第一信号用引线51以及第二信号用引线52)在横向(y方向)上并排配置为一列。此外，各信号用引线5(第一信号用引线51与第二信号用引线52)从密封树脂6的外侧朝向被各半导体元件3所夹着的区域(即沿着X方向)而延伸(参照图1)。此外，各信号用引线5(第一信号用引线51与第二信号用引线52)在上下方向(z方向)上、SP从第一半导体元件31朝向第二半导体元件32的高度方向上，以使各自的高度位置一致的方式而配置。在本说明书中，使高度位置一致并非严格地限定于相同的高度，而是也包括高度在一定程度上不同的状态的概念。从实现半导体模块的小型化的观点出发，优选为多个信号用引线5的高度位置上的偏差收敛于制造误差的范围内。制造误差的范围优选为O?100μm的范围。即，优选为，各信号用引线5的高度位置上的偏差最大也收敛于ΙΟΟμπι以内。此外，各信号用引线5(第一信号用引线51与第二信号用引线52)在沿着各信号用引线5排列的方向(y方向)进行观察时，优选为第一信号用引线51与第二信号用引线52至少局部重叠。通过使各信号用引线5在沿着y方向进行观察时重叠，从而使z方向上的各信号用引线5的高度位置的偏差变小。
[0026]根据具备上述构成的半导体模块2，由于多个信号用引线5的上下方向(z方向)上的高度位置一致，因此能够使上下方向上的宽度较小。因此，能够实现半导体模块2的小型化。
[0027]虽然在上文中对一个实施方式进行了说明，但具体的方式并不限定于上述实施方式。例如，虽然在上述实施方式中第一信号用电极41以及第二信号用电极42在俯视观察时交替地排列，但并不限定于该结构，如图5所示，也可以采用如下结构，即，在俯视观察时使多个第一信号用电极41集中形成于一侧，使第二信号用电极42集中形成于另一侧。另外，在图5中，对于与图2相同的结构标注相同的符号并省略其说明。在这种结构中，第一信号用电极41以及第二信号用电极42在上下方向(z方向)上也不会重叠。