绝缘层。固化的作用主要是对外层无机硅薄膜进行固化，以弥补内层的硅氧烷材料的硬度，使AMOLED显示基板在与Mask贴附时更稳定，不宜弯曲变形，从而提高蒸镀工艺良率。通过控制氧化处理的时间，可以达到控制无机硅薄膜层的厚度。本发明中，所述氧化处理时间以15s-2min为宜，确保所述无机硅薄膜材质的硬度略高于硅氧烷材料层即可。
[0046]将所得AMOLED显示基板贴附于带有电磁模块装置的承载基台，由于配有电磁模块装置的承载基台103与带有功能层的AMOLED显示基板之间具有电磁力，在金属封装或聚合物膜层对位及封装过程中，较容易实现封装保护层106的制备，并通过控制电流大小来调整电磁模块对蒸镀基板的吸附力及准确对位。使基板在与Mask贴附时更稳定，不宜弯曲变形，从而提高蒸镀工艺良率。
[0047]当某些AMOLED显示基板的生产要求不含有功能层时，为了易于移除功能层，还可从步骤6)制得的AMOLED的基底底部一侧对功能层102做进一步氧化处理，如图8所示，将剩余的娃氧烧材料层1021进一步氧化形成无机娃薄膜1021S，以降低功能层和基底之间的结合强度，从而将功能层102从基板上剥离，如图9所示。其中，氧化处理时间为15s-2min。
[0048]本发明通过将纳米磁性无机物制作在基板背面，使基板具有磁性，改善了大尺寸AMOLED显示基板与Mask贴附方式，提升了工艺良率;并通过改善纳米磁性无机物在基板上的图案化设计，减小基板在生产过程中产生的静电，从而减少静电积累放电对TFT电路及AMOLED显不基板的性能的影响，所得AMOLED显不基板的良品率更尚，性能更稳定。
[0049]实施例1一种AMOLED的制作工艺(含有功能层102)
[0050]本实施例提供一种AMOLED显示基板的制作工艺，包括如下步骤:
[0051 ] 1.以玻璃或其它基底100上形成TFT器件101;
[0052]2.在基底100的另一侧形成功能层102;
[0053]所述功能层的形成方法如下:通过涂布工艺或者旋涂工艺在基底下表面形成硅氧烷材料层1021;将磁性纤蛇纹石纳米管材料1022分散在溶剂中，通过溶液制程法在硅氧烷材料层1021上形成图案化，如图2A或图2B所示，再对硅氧烷材料层1021进行低温固化成型，形成功能层102;
[0054]而且，对功能层102进行15s-2min紫外光照的氧化处理(如图3)，在聚二甲基硅氧烷材料层1021表面形成较聚二甲基硅氧烷材料层稍硬的S12膜层1021S，用以增加功能层102的机械强度；
[0055]3.如图4，由TFT器件101和功能层102组成蒸镀基板;将蒸镀基板贴附在蒸镀装置的承载基台103上，承载基台上分布有数个电磁模块装置，通过控制电流大小来控制电磁模块对蒸镀基板的吸附力、对位；
[0056]4.如图5，将贴附在承载基台103上的蒸镀基板通过蒸镀设备中的In-Line装置进行有机电致发光材料层104的蒸镀；
[0057]5.如图6，在封装基台105上有机电致发光材料层104上进行封装，由于配有电磁模块装置的封装基台105与蒸镀完成的基板间具有电磁力，可以应用于金属封装或聚合物膜层的对位和封装过程中，完成封装保护层106的制备；
[0058]6.形成如图7所示的AMOLED显示基板。
[0059]实施例2—种AMOLED的制作工艺(不含有功能层)
[0060]本实施例提供一种AMOLED显示基板的制作工艺，包括如下步骤:
[0061 ]步骤1-5:与实施例1相同；
[0062]步骤6:如图8，从基底底部一侧对功能层102进行15s-2min的紫外光照的氧化处理，将剩余的聚二甲基娃氧烧材料层1021进一步氧化形成Si02膜层1021S，以降低功能层102和基底100之间的结合强度，从而较为容易地将功能层102从AMOLED显示基板的基底100上进行剥离；
[0063]步骤7:形成如图9所示的由基底、TFT器件、有机电致发光材料层、封装保护层组成的AMOLED显示基板。
[0064]虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
【主权项】
1.一种AMOLED显示基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: 1)在基底上表面形成TFT器件； 2)在基底下表面形成功能层； 3)由TFT器件和功能层组成蒸镀基板，将蒸镀基板的功能层一侧贴附在承载基台上； 4)将贴附在承载基台上的蒸镀基板通过蒸镀设备中的In-Line装置，蒸镀处理后在器件表面形成有机电致发光材料层； 5)在封装基台上对有机电致发光材料层进行封装，形成保护层； 6)移除封装基台，得到AMOLED显示基板。2.根据权利要求1所述的制作方法中，其特征在于，步骤I)中，所述基底材料选自玻璃、聚酰亚胺或环氧树脂。3.根据权利要求1所述的制作方法中，其特征在于，步骤2)中，所述功能层的制备包括如下步骤: 521、通过涂布工艺或者旋涂工艺在基底下表面形成硅氧烷材料层； 522、将磁性纤蛇纹石纳米管材料分散在溶剂中，通过溶液制程法在硅氧烷材料层上形成图案化，再对硅氧烷材料层进行低温固化成型，形成功能层。4.根据权利要求3所述的制作方法中，其特征在于，所述硅氧烷材料层的材质选自聚二甲基硅氧烷或聚二甲基硅氧烷的改性聚合物。5.根据权利要求3所述的制作方法中，其特征在于，所述溶剂为乙醇溶液或水。6.根据权利要求1或3所述的制作方法中，其特征在于，步骤2)中，当功能层形成后，利用紫外线或臭氧对功能层进行氧化处理，以在功能层表面形成无机硅薄膜，固化，得到绝缘层。7.根据权利要求6所述的制作方法中，其特征在于，所述氧化处理时间为15s-2min。8.根据权利要求1或3所述的制作方法中，其特征在于，步骤3)中，所述承载基台上分布数个电磁模块装置，通过控制电流大小来控制电磁模块对蒸镀基板的吸附力及对位。9.根据权利要求1或3所述的制作方法中，其特征在于，从步骤6)制得的AMOLED显示基板的基底底部一侧对功能层进行氧化处理，将剩余的娃氧烧材料层进一步氧化形成无机娃薄膜，以降低功能层和基底之间的结合强度，从而将功能层从AMOLED显示基板上剥离下来，得到由基底、TFT器件、有机电致发光材料层、封装保护层组成的AMOLED显示基板;其中，所述氧化处理时间为15s_2min。10.权利要求1-9任一所述制作方法所得的AMOLED显示基板。
【专利摘要】本发明涉及一种AMOLED及其制作方法。所述AMOLED的制作工艺包括如下步骤：1)在基底上表面形成TFT器件；2)在基底下表面形成功能层；3)由TFT器件和功能层组成蒸镀基板，将蒸镀基板的功能层一侧贴附在承载基台上；4)将贴附在承载基台上的蒸镀基板通过蒸镀设备，蒸镀处理后在器件表面形成有机电致发光材料层；5)在封装基台上进行封装，形成保护层；6)移除封装基台，得到AMOLED显示基板。本发明通过溶液制程法将纳米磁性无机物制作在基板背面，使基板具有磁性，改善了大尺寸AMOLED基板与Mask贴附方式，提升了工艺良率；通过改善纳米磁性无机物在基板上的图案化设计，减小基板在生产过程中产生的静电，从而减少静电积累放电对TFT电路及AMOLED性能的影响。
【IPC分类】H01L51/56, H01L27/32
【公开号】CN105679799
【申请号】CN201610048621
【发明人】程磊磊, 王东方, 黄勇潮, 周斌, 丁录科, 何敏
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年1月25日