微带陶瓷滤波器及其陶瓷基板的制备方法
【专利摘要】本发明提供一种微带陶瓷滤波器，包括矩形的具有开口的环形谐振器，所述环形谐振器上与开口相对的一侧设有向环形谐振器内部延伸的短截线，本发明还提供一种上述微带陶瓷滤波器的陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：陶瓷粉料的制备、球磨、预烧、造粒、烧结、制作基板；本发明利用高介电常数的陶瓷基板，将滤波器的尺寸小型化；在电路结构中，使四个环形谐振器对称，上层两个谐振器采用电耦合，两层相邻的谐振器采用混合耦合，下层两个谐振器采用磁耦合，引入传输零点，将通带边缘的抑制能力提高。
【专利说明】
微带陶瓷滤波器及其陶瓷基板的制备方法
技术领域
[0001] 本发明涉及电子元器件，特别是一种微带陶瓷滤波器及其陶瓷基板的制备方法。
【背景技术】
[0002] 随着无线通信系统的高速发展，现今社会已经进入一个信息高速传播的时代，信 息时刻在我们的身边进行传递，无线通信网络已经被广泛应用于社会生活的各个领域，比 如移动通信、雷达导航的电子对抗。微波滤波器在整个无线通信系统中有着不可替代的重 要作用，在通信的过程中对进行通信的频率进行选择。滤波器是用来对信号进行加重或衰 减的器件，它的主要作用是：让有用信号尽可能无损耗的通过，对无用信号尽可能大的衰 减。它的性能的好坏直接影响整个无线通信系统的性能。
[0003] 滤波器按类型可分为：LC滤波器、声表面波滤波器、微带陶瓷滤波器、基片集成波 导滤波器、缺陷地结构滤波器等。由于陶瓷基微带滤波器具有体积小、损耗低、可靠性高等 特点，在电子对抗技术、雷达技术、电子侦察技术、导弹导引、火力控制、海空探测等多方面 均有广泛应用，组成了未来滤波器不可或缺的重要部分。
[0004] 目前微带陶瓷滤波器是基于介电常数小于10的基板材料制作而成的，比如罗杰斯 公司生产的有机复合基板，它的介电常数在2.2与10之间，制作而成的滤波器具有介电常数 低、损耗低、较高机械强度特点；另外常用的基板是氧化铝陶瓷基板，其介电常数为9到10之 间，制作成的滤波器具有良好的机械性能、绝缘性能好、损耗低优点。
[0005] 近年来，通信技术的不断发展，对微带陶瓷滤波器的要求越来越高，不仅要求良好 的性能，即损耗低，可靠性高，同时还希望其体积尽可能小，温度稳定性尽可能高，以便于集 成和小型化。而滤波器尺寸在同一谐振频率下跟k成反比，高^值有利于器件小型化，采用 高高温度稳定性的介电材料是将陶瓷滤波器小型化的重要技术手段。
【发明内容】
[0006] 鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种尺寸小、温度稳定性 好、电损耗低的微带陶瓷滤波器及其陶瓷基板的制备方法。
[0007] 为实现上述发明目的，本发明技术方案如下：
[0008] -种微带陶瓷滤波器，包括矩形的具有开口的环形谐振器，所述环形谐振器上与 开口相对的一侧设有向环形谐振器内部延伸的短截线。
[0009] 加入中间短截线，使整个谐振器更加紧凑，减小了单个谐振器所需体积，从而使得 进一步小型化滤波器得到实现。
[00?0] 作为优选方式，短截线的长度为〇 · 4-0 · 6mm。若低于0 · 4mm親合过强，若大于0 · 6mm 则耦合太弱。
[0011]作为优选方式，包括信号输入端、信号输出端和耦合电路，耦合电路包括4个所述 环形谐振器，所述4个环形谐振器分为上下两层并排列成矩形，上层为采用电耦合的左、右 主谐振器，下层为采用磁耦合的左、右主谐振器，两层之间的谐振器采用混合耦合，下层相 邻的两个主谐振器开口方向水平相背，上层相邻的两个主谐振器开口方向水平相向，信号 输入端与输出端分别与上层两个谐振器联接，并在信号输入端与输出端完成阻抗变换;所 述4个主谐振器为带有短截线的具有开口的环形谐振器。
[0012] 作为优选方式，在上层左主谐振器与信号输入端之间设置一开口方向向下的第一 副谐振器，第一副谐振器与上层左主谐振器采用混合耦合;在信号输出端与上层右主谐振 器之间设置一开口方向向下的第二副谐振器，第二副谐振器与上层右主谐振器之间采用混 合耦合。所述两个副谐振器为带有短截线的具有开口的环形谐振器。
[0013] 作为优选方式，在信号输入端与上层左主谐振器之间设置第一副谐振器、第三副 谐振器，其中第一副谐振器开口方向向上，第三副谐振器开口方向向下，第三谐振器与上层 左主谐振器采用混合耦合;在信号输出端与上层右主谐振器之间设置第二副谐振器、第四 副谐振器，其中第二副谐振器开口方向向下，第四副谐振器开口方向向上，第二副谐振器与 上层右主谐振器采用混合耦合。所述四个副谐振器为带有短截线的具有开口的环形谐振 器。
[0014] 作为优选方式，在信号输入端与上层左主谐振器之间分别设置有两个开口方向相 反的第一副谐振器、第三副谐振器，第一副谐振器与上层左主谐振器开口方向相同，第一副 谐振器位于第三副谐振器的正上方，第三副谐振器开口方向与上层左主谐振器开口方向相 反，第一副谐振器与第三副谐振器之间采用混合耦合，第三副谐振器与上层左主谐振器采 用磁耦合;在信号输出端与上层右主谐振器之间分别设置有两个开口方向相反的第二副谐 振器、第四副谐振器，第二副谐振器与上层右主谐振器开口方向相同，第二副谐振器位于第 四副谐振器的正上方，第四副谐振器开口方向与上层右主谐振器开口方向相反，第二副谐 振器与第四副谐振器之间采用混合耦合，第四副谐振器与上层右主谐振器采用磁耦合。所 述四个副谐振器为带有短截线的具有开口的环形谐振器。
[0015] 本发明还提供一种上述微带陶瓷滤波器的陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：
[0016] A)陶瓷粉料的制备：采用非化学计量配比，将碱式碳酸镁（xMg⑶3 · yMg(0H)2 · zH2〇，x:y:z = 4:1(4-7))、氢氧化|丐Ca(0H)2、氧化镧La2〇3、氧化锌ZnO按照0.8:0.09:0.02: 0.05的摩尔比在电子天平上进行称量，混合；
[0017] B)球磨:将粉料和氧化错球在尼龙罐中，粉料、去离子水、氧化错球混合比例1:1: 5,混合球磨4-8小时；
[0018] C)预烧:将球磨过后的原料在85-120°C下干燥8-15分钟，用60目筛子过筛，过筛完 后，在1000-1200°C下进行预烧，预烧3-5小时，保温4-6小时，自然降温；
[0019] D)造粒:将预烧过后的粉料经60目筛子过筛，用10%PVA做粘合剂进行造粒；
[0020] E)烧结:造粒完后进行烧结，烧结温度1200-1350°C，烧结时间4-6小时，保温3-6小 时，自然降温；
[0021 ] F)制作基板：将样品经干压成型，烧结，乳磨成尺寸为50 · 8mm X 50 · 8mm X 0 · 8 土 0.05mm的片子，再经切割，高温处理，后续抛光过程，制作成基板，制作而成的基板尺寸50mm X 50mm X 0 · 381 ±0 · 05mm。
[0022] 作为优选方式，制作而成的陶瓷基板其性能如下：εΓ = 24-26，Q X f = 40000- 60000GHz，Tf = 〇± 2。
[0023] 该陶瓷体系制作成的微带陶瓷滤波器具有尺寸小、损耗低、温度稳定性好等特点。
[0024] 本发明的原理是:利用高介电常数的陶瓷基板，将滤波器的尺寸小型化;在电路结 构中，使四个环形谐振器对称，上层两个谐振器采用电耦合，两层相邻的谐振器采用混合耦 合，下层两个谐振器采用磁耦合，引入传输零点，将通带边缘的抑制能力提高。仿真结果如 图3所示，从图3看出，确实在通带边缘分别产生了一个传输零点，提高了通带边缘的抑制能 力。
[0025] 本发明的有益效果如下：
[0026] 该陶瓷体系制作成的微带陶瓷滤波器具有尺寸小、损耗低、温度稳定性好等特点。 [0027]表1是采用本发明陶瓷基板制作成的滤波器与目前其他基板材料制作的微带陶瓷 滤波器性能的对比：
[0028]表 1
[0030]其中，上述罗杰斯基板在纯聚四氟乙烯板材两面敷上经氧化处理的电解铜箱，然 后经高温、高压制成电路基板;氧化铝陶瓷基板则采用流延成型、扎膜成型、注浆成型、凝胶 注模成型工艺制作陶瓷基板。
[0031] 上述表格中三种基板采用同样谐振器模型，由上述表格得出：本发明采用的陶瓷 基板相对市面上的罗杰斯基板滤波器尺寸大大减小；相对氧化铝陶瓷基板，仍然使滤波器 的尺寸得到进一步小型化，且本陶瓷基板的温度系数、损耗角正切值均低于罗杰斯基板与 氧化铝陶瓷基板。
【附图说明】
[0032] 图1是本发明的实施例2的结构示意图；
[0033]图2是本发明的实施例2的工作原理示意图；
[0034]图3是本发明实施例2的仿真不意图；
[0035] 图4是本发明实施例3的结构示意图；
[0036] 图5是本发明实施例4的结构示意图；
[0037] 图6是本发明实施例5的结构示意图。
[0038] 其中，1为信号输入端，2为信号输出端，3为耦合电路，31为上层左主谐振器，34为 上层右主谐振器，32为下层左主谐振器，33为下层右主谐振器，35为第一副谐振器，36为第 二副谐振器，37为第三副谐振器，38为第四副谐振器。
【具体实施方式】
[0039]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书 所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实 施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离 本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0040] 实施例1
[0041] -种微带陶瓷滤波器，包括矩形的具有开口的环形谐振器，所述环形谐振器上与 开口相对的一侧设有向环形谐振器内部延伸的短截线。
[0042] 短截线的长度为0.4-0.6_。若低于0.4mm親合过强，若大于0.6mm则親合太弱。 [0043] 实施例2
[0044] 如图1所示，一种微带陶瓷滤波器，包括信号输入端1、信号输出端2和耦合电路3， 耦合电路3包括4个环形谐振器，环形谐振器为矩形并具有开口，所述4个环形谐振器上与开 口相对的一侧均设有向环形谐振器内部延伸的短截线。短截线的长度为0.4-0.6_。若低于 0.4mm耦合过强，若大于0.6mm则耦合太弱。所述4个环形谐振器分为上下两层并排列成矩 形，上层为采用电耦合的左、右主谐振器31、34,下层为采用磁耦合的左、右主谐振器32、33， 两层之间的谐振器采用混合耦合，下层相邻的两个主谐振器32、33开口方向水平相背，上层 相邻的两个主谐振器31、34开口方向水平相向，信号输入端与输出端分别与上层两个谐振 器联接，并在信号输入端与输出端完成阻抗变换。
[0045] 如图2所示，实线箭头指示主信号传输通道经信号输入端1，传输至上层左主谐振 器31，然后沿实线箭头往下层左主谐振器32方向，到达下层左主谐振器32后，沿实线箭头到 达下层右主谐振器33,经由实线箭头方向到达上层右主谐振器34,进入信号输出端2;虚线 箭头表示交叉耦合传输通道，即从输入端，经由上层左主谐振器31直接耦合至上层右主谐 振器34，抵达输出端口 2。需要抑制邻频干扰，除了从实线箭头主传输通道外还从虚线交叉 耦合通道传输，且主信号传输通道与交叉耦合传输通道相位相差180度，两路传输通道在输 出端汇合后实现尚的抑制。
[0046] 本实施例还提供一种上述微带陶瓷滤波器的陶瓷基板的制备方法，包括如下步 骤：
[0047] A)陶瓷粉料的制备：采用非化学计量配比，将碱式碳酸镁（xMg⑶3 · yMg(0H)2 · zH2〇，x:y:z = 4:1(4-7))、氢氧化|丐Ca(0H)2、氧化镧La2〇3、氧化锌ZnO按照0.8:0.09:0.02: 0.05的摩尔比在电子天平上进行称量，混合；
[0048] B)球磨:将粉料和氧化锆球在尼龙罐中，粉料、去离子水、氧化锆球混合比例1:1: 5,混合球磨4小时；
[0049] C)预烧：将球磨过后的原料在85 °C下干燥8分钟，用60目筛子过筛，过筛完后，在 1000°C下进行预烧，预烧3小时，保温4小时，自然降温；
[0050] D)造粒:将预烧过后的粉料经60目筛子过筛，用10%PVA做粘合剂进行造粒；
[00511 E)烧结:造粒完后进行烧结，烧结温度1200°C，烧结时间4小时，保温3小时，自然降 温；
[0052] F)制作基板：将样品经干压成型，烧结，乳磨成尺寸为50 · 8mm X 50 · 8mm X 0 · 8 土 0.05mm的片子，再经切割，高温处理，后续抛光过程，制作成基板，制作而成的基板尺寸50mm X 50mm X 0 · 381 ±0 · 05mm。
[0053] 制作而成的陶瓷基板其性能如下：εΓ = 24-26，QXf = 40000-60000GHz，Tf = 0土 2〇
[0054] 实施例3
[0055] 如图4所示，一种微带陶瓷滤波器，包括信号输入端1、信号输出端2和耦合电路3， 耦合电路3包括4个环形谐振器，环形谐振器为矩形的具有开口的谐振器，所述环形谐振器 上与开口相对的一侧设有向环形谐振器内部延伸的短截线。短截线的长度为0.4-0.6_。若 低于0.4_耦合过强，若大于0.6mm则耦合太弱。所述4个环形谐振器分为上下两层并排列成 矩形，上层为采用电耦合的左、右主谐振器31、34、下层为采用磁耦合的左、右主谐振器32、 33,两层之间的谐振器采用混合耦合，下层相邻的两个主谐振器32、33开口方向水平相背， 上层相邻的两个主谐振器31、34开口方向水平相向，信号输入端与输出端分别与上层两个 谐振器联接，并在信号输入端与输出端完成阻抗变换。
[0056] 在上层左主谐振器31与信号输入端1之间设置一开口方向向下的第一副谐振器 35,第一副谐振器35与上层左主谐振器31采用混合耦合;在信号输出端2与上层右主谐振器 34之间设置一开口方向向下的第二副谐振器36,第二副谐振器36与上层右主谐振器34之间 采用混合耦合。所述两个副谐振器35、36均为带有短截线的具有开口的环形谐振器。
[0057]本实施例还提供一种上述微带陶瓷滤波器的陶瓷基板的制备方法，包括如下步 骤：
[0058] A)陶瓷粉料的制备：采用非化学计量配比，将碱式碳酸镁（xMgC03 · yMg(0H)2 · zH2〇，x:y:z = 4:1(4-7))、氢氧化|丐〇3(0!1)2、氧化镧]^12〇3、氧化锌211〇按照0.8:0.09:0.02: 0.05的摩尔比在电子天平上进行称量，混合；
[0059] B)球磨:将粉料和氧化锆球在尼龙罐中，粉料、去离子水、氧化锆球混合比例1:1: 5,混合球磨4-8小时；
[0000] C)预烧:将球磨过后的原料在120 °C下干燥15分钟，用60目筛子过筛，过筛完后，在 1200°C下进行预烧，预烧5小时，保温6小时，自然降温；
[0061 ] D)造粒:将预烧过后的粉料经60目筛子过筛，用10%PVA做粘合剂进行造粒；
[0062] E)烧结:造粒完后进行烧结，烧结温度1350°C，烧结时间6小时，保温6小时，自然降 温；
[0063] F)制作基板：将样品经干压成型，烧结，乳磨成尺寸为50 · 8mm X 50 · 8mm X 0 · 8 土 0.05mm的片子，再经切割，高温处理，后续抛光过程，制作成基板，制作而成的基板尺寸50mm X 50mm X 0 · 381 ±0 · 05mm。
[0064] 制作而成的陶瓷基板其性能如下：εΓ = 24-26，QXf = 40000-60000GHz，Tf = 0土 2〇
[0065] 实施例4
[0066] 如图5所示，一种微带陶瓷滤波器，包括信号输入端1、信号输出端2和耦合电路3， 耦合电路3包括4个环形谐振器，环形谐振器为矩形的具有开口的谐振器，所述环形谐振器 上与开口相对的一侧设有向环形谐振器内部延伸的短截线。短截线的长度为0.4-0.6_。若 低于0.4mm親合过强，若大于0.6mm则親合太弱。
[0067] 所述4个环形谐振器分为上下两层并排列成矩形，上层为采用电耦合的左、右主谐 振器31、34、下层为采用磁耦合的左、右主谐振器32、33,两层之间的谐振器采用混合耦合， 下层相邻的两个主谐振器32、33开口方向水平相背，上层相邻的两个主谐振器31、34开口方 向水平相向，信号输入端与输出端分别与上层两个谐振器联接，并在信号输入端与输出端 完成阻抗变换。
[0068] 在信号输入端1与上层左主谐振器31之间设置第一副谐振器35、第三副谐振器37， 其中第一副谐振器35开口方向向上，第三副谐振器37开口方向向下，第三谐振器37与上层 左主谐振器31采用混合耦合;在信号输出端2与上层右主谐振器34之间设置第二副谐振器 36、第四副谐振器38,其中第二副谐振器36开口方向向下，第四副谐振器38开口方向向上， 第二副谐振器36与上层右主谐振器34采用混合耦合。所述四个副谐振器35、36、37、38均为 带有短截线的具有开口的环形谐振器。
[0069] 本实施例还提供一种上述微带陶瓷滤波器的陶瓷基板的制备方法，包括如下步 骤：
[0070] A)陶瓷粉料的制备：采用非化学计量配比，将碱式碳酸镁（XMgC〇3 · yMg(0H)2 · zH2〇，x:y:z = 4:1(4-7))、氢氧化|丐〇3(0!1)2、氧化镧]^12〇3、氧化锌211〇按照0.8:0.09:0.02: 0.05的摩尔比在电子天平上进行称量，混合；
[0071] B)球磨:将粉料和氧化锆球在尼龙罐中，粉料、去离子水、氧化锆球混合比例1:1: 5,混合球磨6小时；
[0072] C)预烧:将球磨过后的原料在100 °C下干燥12分钟，用60目筛子过筛，过筛完后，在 1100°C下进行预烧，预烧4小时，保温5小时，自然降温；
[0073] D)造粒:将预烧过后的粉料经60目筛子过筛，用10%PVA做粘合剂进行造粒；
[0074] E)烧结:造粒完后进行烧结，烧结温度1300°C，烧结时间5小时，保温4小时，自然降 温；
[0075] F)制作基板：将样品经干压成型，烧结，乳磨成尺寸为50 · 8mm X 50 · 8mm X 0 · 8 土 0.05mm的片子，再经切割，高温处理，后续抛光过程，制作成基板，制作而成的基板尺寸50mm X 50mm X 0 · 381 ±0 · 05mm。
[0076] 制作而成的陶瓷基板其性能如下：εΓ = 24-26，QXf = 40000-60000GHz，Tf = 0土 2〇
[0077] 实施例5
[0078] 如图6所示，一种微带陶瓷滤波器，包括信号输入端1、信号输出端2和耦合电路3， 耦合电路3包括4个环形谐振器，环形谐振器为矩形的具有开口的谐振器，所述环形谐振器 上与开口相对的一侧设有向环形谐振器内部延伸的短截线。短截线的长度为0.4-0.6_。若 低于0.4mm親合过强，若大于0.6mm则親合太弱。
[0079] 所述4个环形谐振器分为上下两层并排列成矩形，上层为采用电耦合的左、右主谐 振器31、34,下层为采用磁耦合的左、右主谐振器32、33,两层之间的谐振器采用混合耦合， 下层相邻的两个主谐振器32、33开口方向水平相背，上层相邻的两个主谐振器31、34开口方 向水平相向，信号输入端与输出端分别与上层两个谐振器联接，并在信号输入端与输出端 完成阻抗变换。
[0080] 在信号输入端1与上层左主谐振器31之间分别设置有两个开口方向相反的第一副 谐振器35、第三副谐振器37,第一副谐振器35与上层左主谐振器31开口方向相同，第一副谐 振器35位于第三副谐振器37的正上方，第三副谐振器37开口方向与上层左主谐振器31开口 方向相反，第一副谐振器35与第三副谐振器37之间采用混合耦合，第三副谐振器37与上层 左主谐振器31采用磁耦合;在信号输出端2与上层右主谐振器34之间分别设置有两个开口 方向相反的第二副谐振器36、第四副谐振器38,第二副谐振器36与上层右主谐振器34开口 方向相同，第二副谐振器36位于第四副谐振器38的正上方，第四副谐振器38开口方向与上 层右主谐振器34开口方向相反，第二副谐振器36与第四副谐振器38之间采用混合耦合，第 四副谐振器38与上层右主谐振器34采用磁耦合。所述四个副谐振器35、36、37、38为带有短 截线的具有开口的环形谐振器。
[0081] 本实施例还提供一种上述微带陶瓷滤波器的陶瓷基板的制备方法，包括如下步 骤：
[0082] A)陶瓷粉料的制备:采用非化学计量配比，将碱式碳酸镁(xMg⑶3 · yMg(0H)2 · zH20，X: y: z = 4:1 (4-7))、氢氧化(0H)2、氧化镧La203、氧化锌ZnO按照0 · 8:0 · 09:0 · 02: 0.05的摩尔比在电子天平上进行称量，混合；
[0083] B)球磨：将粉料和氧化锆球在尼龙罐中，粉料、去离子水、氧化锆球混合比例1:1: 5,混合球磨7小时；
[0084] C)预烧:将球磨过后的原料在100°C下干燥12分钟，用60目筛子过筛，过筛完后，在 1150°C下进行预烧，预烧4.5小时，保温5.5小时，自然降温；
[0085] D)造粒:将预烧过后的粉料经60目筛子过筛，用10%PVA做粘合剂进行造粒；
[0086] E)烧结:造粒完后进行烧结，烧结温度1250°C，烧结时间5.5小时，保温5小时，自然 降温；
[0087] F)制作基板：将样品经干压成型，烧结，乳磨成尺寸为50.8mm X 50.8mm X 0.8 土 0.05mm的片子，再经切割，高温处理，后续抛光过程，制作成基板，制作而成的基板尺寸50mm X 50mm X 0 · 381 ±0 · 05mm。
[0088] 制作而成的陶瓷基板其性能如下：εΓ = 24-26，QXf = 40000-60000GHz，Tf = 0土 2〇
[0089]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟 悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因 此，凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成 的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
【主权项】
1. 一种微带陶瓷滤波器，其特征在于:包括矩形的具有开口的环形谐振器，所述环形谐 振器上与开口相对的一侧设有向环形谐振器内部延伸的短截线。2. 根据权利要求1所述的微带陶瓷滤波器，其特征在于:短截线的长度为0.4-0.6mm。3. 根据权利要求1所述的微带陶瓷滤波器，其特征在于:包括信号输入端（1)、信号输出 端(2)和耦合电路(3)，耦合电路(3)包括4个所述环形谐振器，所述4个环形谐振器分为上下 两层并排列成矩形，上层为采用电耦合的左、右主谐振器(31、34)、下层为采用磁耦合的左、 右主谐振器(32、33)，两层之间的谐振器采用混合耦合，下层相邻的两个主谐振器(32、33) 开口方向水平相背，上层相邻的两个主谐振器(31、34)开口方向水平相向，信号输入端与输 出端分别与上层两个谐振器联接，并在信号输入端与输出端完成阻抗变换，所述4个主谐振 器为带有短截线的具有开口的环形谐振器。4. 根据权利要求3所述的微带陶瓷滤波器，其特征在于:在上层左主谐振器(31)与信号 输入端（1)之间设置一开口方向向下的第一副谐振器(35)，第一副谐振器(35)与上层左主 谐振器(31)采用混合耦合;在信号输出端（2)与上层右主谐振器(34)之间设置一开口方向 向下的第二副谐振器(36)，第二副谐振器(36)与上层右主谐振器(34)之间采用混合耦合， 所述两个副谐振器(35、36)为带有短截线的具有开口的环形谐振器。5. 根据权利要求3所述的微带陶瓷滤波器，其特征在于:在信号输入端（1)与上层左主 谐振器(31)之间设置第一副谐振器(35)、第三副谐振器(37)，其中第一副谐振器(35)开口 方向向上，第三副谐振器(37)开口方向向下，第三谐振器(37)与上层左主谐振器(31)采用 混合耦合;在信号输出端(2)与上层右主谐振器(34)之间设置第二副谐振器(36)、第四副谐 振器(38)，其中第二副谐振器(36)开口方向向下，第四副谐振器(38)开口方向向上，第二副 谐振器(36)与上层右主谐振器(34)采用混合耦合，所述四个副谐振器(35、36、37、38)为带 有短截线的具有开口的环形谐振器。6. 根据权利要求3所述的微带陶瓷滤波器，其特征在于:在信号输入端（1)与上层左主 谐振器(31)之间分别设置有两个开口方向相反的第一副谐振器(35)、第三副谐振器(37)， 第一副谐振器(35)与上层左主谐振器(31)开口方向相同，第一副谐振器(35)位于第三副谐 振器(37)的正上方，第三副谐振器(37)开口方向与上层左主谐振器(31)开口方向相反，第 一副谐振器(35)与第三副谐振器(37)之间采用混合耦合，第三副谐振器(37)与上层左主谐 振器(31)采用磁耦合;在信号输出端（2)与上层右主谐振器(34)之间分别设置有两个开口 方向相反的第二副谐振器(36)、第四副谐振器(38)，第二副谐振器(36)与上层右主谐振器 (34)开口方向相同，第二副谐振器（36)位于第四副谐振器（38)的正上方，第四副谐振器 (38)开口方向与上层右主谐振器（34)开口方向相反，第二副谐振器（36)与第四副谐振器 (38)之间采用混合耦合，第四副谐振器(38)与上层右主谐振器(34)采用磁耦合;所述四个 副谐振器(35、36、37、38)为带有短截线的具有开口的环形谐振器。7. 根据权利要求1至6任意一项所述的微带陶瓷滤波器的陶瓷基板的制备方法，其特征 在于包括如下步骤： A) 陶瓷粉料的制备:采用非化学计量配比，将碱式碳酸镁(xMgC〇3 · yMg(OH)2 · zH2〇，x: y: z = 4:1 (4-7))、氢氧化、氧化镧La2〇3、氧化锌ZnO按照0 · 8:0 · 09:0 · 02:0 · 05的摩 尔比在电子天平上进行称量，混合； B) 球磨：将粉料和氧化锆球在尼龙罐中，粉料、去离子水、氧化锆球混合比例1:1: 5，混 合球磨4-8小时； C) 预烧:将球磨过后的原料在85-120 °C下干燥8-15分钟，用60目筛子过筛，过筛完后， 在1000-1200 °C下进行预烧，预烧3-5小时，保温4-6小时，自然降温； D) 造粒:将预烧过后的粉料经60目筛子过筛，用10 %PVA做粘合剂进行造粒； E) 烧结：造粒完后进行烧结，烧结温度1200-1350°C，烧结时间4-6小时，保温3-6小时， 自然降温； F) 制作基板：将样品经干压成型，烧结，乳磨成尺寸为50 · 8mm X 50 · 8mm X 0 · 8 ± 0 · 05mm 的片子，再经切割，高温处理，后续抛光过程，制作成基板，制作而成的基板尺寸50mm X 50mm X0.381±0.05mm。8.根据权利要求7所述的微带陶瓷滤波器的陶瓷基板的制备方法，其特征在于:制作而 成的陶瓷基板其性能如下：εΓ = 24-26，Q X f = 40000-60000GHz，Tf = 〇 ± 2。
【文档编号】C04B35/622GK106025458SQ201610340961
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年5月20日
【发明人】钟朝位, 陈松, 陶煜, 刘稷, 张树人
【申请人】电子科技大学