一种led芯片的加工和清洗方法
【专利摘要】本发明提供一种LED芯片的加工和清洗方法，包括如下步骤：对芯片进行粗抛光加工，然后用沾有酒精的无尘布或无尘纸将芯片背面残留的钻石抛光液擦干净；再对芯片进行精抛光加工，然后用干毛巾将芯片背面残留的二氧化硅精抛液和水擦干净；往芯片的背面喷洒酒精，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净；重复前一步骤至少一次；用N2气枪吹扫芯片的背面，对芯片背面做进一步的清洁；在长条灯管的灯光下，用肉眼对芯片背面进行检查，得到清洁干净的LED芯片。该方法简单易行，可以更有效地去除芯片背面残留的精抛液，降低成品芯片的异常比例；同时在整个清洗过程用到的化学药品有且仅有酒精，无毒、成本低、安全性高，不会出现错用的情况。
【专利说明】
-种LED巧片的加工和清洗方法
技术领域
[0001] 本发明设及L邸忍片制造领域，具体地，设及一种L邸忍片的加工和清洗方法。
【背景技术】
[0002] 发光二极管化ight-Emitting Diode,简称LED)是一种能将电能转化为光能的半 导体电子器件，当电流通过时，其内部的电子和空穴在光源层复合而释放出光子，目前LED 照明已广泛应用于家具、装饰、办公、道路等照明领域。
[0003] 在L抓忍片的制作过程中，忍片在经过前段工艺加工并形成COW片后，还需经过后 段研磨、粗抛光、精抛光、切割、裂片、点测和分选，如此将一块完整的2英寸忍片最终制作成 一颗一颗微小的忍粒，而众多工序之间，尤W精抛光更显重要。精抛光的作业就是要将忍片 背面因研磨和粗抛光产生的刮痕或划痕去除干净，使忍片背面形成一个平整光滑的反射镜 面，有利于提高忍片的出光效率和亮度，为了达到上述目的，通常将W高纯度娃粉为原料制 成的二氧化娃抛光液作为精抛液使用，而在粗抛光过程中使用的是钻石抛光液。
[0004] 由于在作业完成后，残留的二氧化娃精抛液极易黏附在忍片背面，不仅会对忍片 本身造成污染，还会严重影响后续背锻工艺的质量，导致出现掉背锻等重大品质异常。为了 解决上述问题，通常采用大量有毒的、高腐蚀性的、易燃易爆的化学药品对残留的精抛液进 行擦洗，包括蓝药水（即浓度超过99.7%的甲紫与水按照1:5的体积比配制而成，具有高碱 性和潜在致癌性）、丙酬(浓度不低于99.7%)、酒精等，不仅对人体有损害，而且在长时间的 操作过程中容易出现用错洗剂的情况，影响忍L邸忍片的品质稳定性。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种能够安全有效地去除残留在Lm)忍片背面的二氧化娃 精抛液的方法，W解决【背景技术】中提出的问题。
[0006] 为实现上述目的，本发明提供了一种L邸忍片的加工和清洗方法，包括如下步骤：
[0007] 1)对忍片进行粗抛光加工，然后用沾有酒精的无尘布或无尘纸将忍片背面残留的 钻石抛光液擦干净；
[000引2)再对忍片进行精抛光加工，然后用干毛巾将忍片背面残留的二氧化娃精抛液和 水擦干净；
[0009] 3)往忍片的背面喷洒酒精，然后用无尘布或无尘纸将忍片背面擦干净；
[0010] 4)重复步骤3)至少一次；
[0011] 5)用化气枪吹扫忍片的背面，对忍片背面做进一步的清洁；
[0012] 6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对忍片背面进行检查，得到清洁干净的L邸忍片。
[0013] 优选地，用于放置所述L邸忍片的平台也用酒精进行擦洗。
[0014] 优选地，所使用的酒精的浓度大于或等于80%。更优选地，所使用的酒精的浓度为 99.9%。
[001引优选地，所使用的N2的纯度为99.99~99.999 %。
[0016] 优选地，步骤3)的重复次数为两次，即用酒精清洗精抛光后的LED忍片背面共S 次。
[0017] 本发明提供的技术方案具有如下有益效果:所述方法简单易行，可W更有效地去 除忍片背面残留的精抛液，降低成品忍片的异常比例；同时在整个清洗过程用到的化学药 品有且仅有酒精，无毒、成本低、安全性高，不会出现错用的情况。
【具体实施方式】
[0018] 下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施 例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范 围。
[0019]根据本发明所述的力旺和清洗方法得到如下实施例：
[0020] 实施例1
[0021 ] 1)对忍片进行粗抛光加工，然后用沾有99.9 %酒精的无尘布或无尘纸将忍片背面 残留的钻石抛光液擦干净；
[0022] 2)再对忍片进行精抛光加工，然后用干毛巾将忍片背面残留的二氧化娃精抛液和 水擦干净；
[0023] 3)往忍片的背面喷洒99.9%酒精，然后用无尘布或无尘纸将忍片背面擦干净；
[0024] 4)重复步骤3)两次；
[0025] 5)用化气枪吹扫忍片的背面，对忍片背面做进一步的清洁；
[0026] 6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对忍片背面进行检查，得到清洁干净的Lm)忍片。 实施例2
[0027] 1)对忍片进行粗抛光加工，然后用沾有99.9 %酒精的无尘布或无尘纸将忍片背面 残留的钻石抛光液擦干净；
[0028] 2)再对忍片进行精抛光加工，然后用干毛巾将忍片背面残留的二氧化娃精抛液和 水擦干净；
[0029] 3)往忍片的背面喷洒99.9%酒精，然后用无尘布或无尘纸将忍片背面擦干净；
[0030] 4)重复步骤3)-次；
[0031] 5)用化气枪吹扫忍片的背面，对忍片背面做进一步的清洁；
[0032] 6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对忍片背面进行检查，得到清洁干净的Lm)忍片。 实施例3
[0033] 1)对忍片进行粗抛光加工，然后用沾有90%酒精的无尘布或无尘纸将忍片背面残 留的钻石抛光液擦干净；
[0034] 2)再对忍片进行精抛光加工，然后用干毛巾将忍片背面残留的二氧化娃精抛液和 水擦干净；
[0035] 3)往忍片的背面喷洒90%酒精，然后用无尘布或无尘纸将忍片背面擦干净；
[0036] 4)重复步骤3)两次；
[0037] 5)用化气枪吹扫忍片的背面，对忍片背面做进一步的清洁；
[0038] 6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对忍片背面进行检查，得到清洁干净的Lm)忍片。 实施例4
[0039] I)对忍片进行粗抛光加工，然后用沾有80%酒精的无尘布或无尘纸将忍片背面残 留的钻石抛光液擦干净；
[0040] 2)再对忍片进行精抛光加工，然后用干毛巾将忍片背面残留的二氧化娃精抛液和 水擦干净；
[0041] 3)往忍片的背面喷洒80%酒精，然后用无尘布或无尘纸将忍片背面擦干净；
[0042] 4)重复步骤3)两次；
[0043] 5)用化气枪吹扫忍片的背面，对忍片背面做进一步的清洁；
[0044] 6)在长条灯管的灯光下，用肉眼对忍片背面进行检查，得到清洁干净的Lm)忍片。 对比例1
[0045] 1)对忍片进行粗抛光加工；
[0046] 2)再对忍片进行精抛光加工，然后用干毛巾将忍片背面残留的二氧化娃精抛液和 水擦干净；
[0047] 3)往忍片的背面喷洒蓝药水，并用软毛刷进行来回刷洗；
[0048] 4)往忍片的背面再次喷洒蓝药水，然后用无尘布或无尘纸将忍片背面擦干净；
[0049] 5)往忍片的背面喷洒酒精，然后用无尘布或无尘纸将忍片背面擦干净；
[0050] 6)往忍片的背面喷洒丙酬，然后用无尘布或无尘纸将忍片背面擦干净；
[0051] 7)在长条灯管的灯光下，用肉眼对忍片背面进行检查，得到清洁干净的L邸忍片。
[0052] 按照上述不同的加工和清洗方法，分别处理得到不同批次的成品L邸忍片，统计各 自的异常比例并将数据填入表1中。
[0化3] 表1 [0化4]
[0化5] 根据实施例1和对比例1的数据对比，可发现相比于同时使用蓝药水、酒精和丙酬， 使用酒精作为单一洗剂并加上的吹扫的方式对残留的二氧化娃精抛液具有更好的去除效 果，成品LH)忍片的异常比例有明显下降。
[0056] 根据实施例1和2的数据对比，可发现用酒精擦洗忍片背面时，擦洗=次的效果要 优于擦洗两次的效果。
[0057] 根据实施例1、3、4的数据对比，可发现随着酒精浓度的不断提高，残留的二氧化娃 精抛液去除得越干净，加工出来的成品L邸忍片的质量越好。
[0化引在实际生产过程中，将新旧工艺的品质对比数据填入表2中。
[0059] 表 2
[0060]
[0
[0062] 综上所述，本发明提供的加工和清洗方法具有如下优点：
[0063] 1、相比于旧工艺中要用S种不同的洗剂分四次擦洗忍片，本发明使用单一洗剂酒 精加上氮气吹扫的方法共同清洁忍片背面，且只需擦洗两次W上、优选擦洗=次即可取得 很好的效果，不仅明显提升了成品L邸忍片的品质，而且简化了操作。
[0064] 2、整个加工和清洗过程保持无毒、不刺激、高安全性的特点，可有效保护操作人员 的身体健康。
[0065] 3、所使用的无尘布或无尘纸可为循环使用的二次无尘布或二次无尘纸，既节约了 成本也不会出现交叉污染的问题。
[0066] 4、在完成粗抛光工艺后，用无尘布或无尘纸将钻石抛光液擦干净，减少忍片背面 钻石微粒的残留量，避免其再次对忍片造成磨损。
[0067] W上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利保护范围，对于 本领域的技术人员来说，本发明可W有各种更改和变化。在本发明的精神和原则之内，凡是 利用本发明说明书内容所作的任何改进或等同替换，直接或间接运用在其它相关的技术领 域，均应包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1. 一种LED芯片的加工和清洗方法，其特征在于，包括如下步骤： 1) 对芯片进行粗抛光加工，然后用沾有酒精的无尘布或无尘纸将芯片背面残留的钻石 抛光液擦干净； 2) 再对芯片进行精抛光加工，然后用干毛巾将芯片背面残留的二氧化硅精抛液和水擦 干净； 3) 往芯片的背面喷洒酒精，然后用无尘布或无尘纸将芯片背面擦干净； 4) 重复步骤3)至少一次； 5) 用他气枪吹扫芯片的背面，对芯片背面做进一步的清洁； 6) 在长条灯管的灯光下，用肉眼对芯片背面进行检查，得到清洁干净的LED芯片。2. 根据权利要求1所述的加工和清洗方法，其特征在于，用于放置所述LED芯片的平台 也用酒精进行擦洗。3. 根据权利要求2所述的加工和清洗方法，其特征在于，所使用的酒精的浓度大于或等 于 80 %。4. 根据权利要求3所述的加工和清洗方法，其特征在于，所使用的酒精的浓度为 99.9%〇5. 根据权利要求3所述的加工和清洗方法，其特征在于，所使用的犯的纯度为99.99~ 99.999%。6. 根据权利要求1~5中任意一项所述的加工和清洗方法，其特征在于，步骤3)的重复 次数为两次，即用酒精清洗精抛光后的LED芯片背面共三次。
【文档编号】H01L21/304GK106098868SQ201610527585
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年7月6日
【发明人】邹贤军, 廖颖钰
【申请人】湘能华磊光电股份有限公司