一种无金属电极的led芯片的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED芯片领域，尤指一种无金属电极的LED芯片。
【背景技术】
[0002]LED (Lighting Emitting D1de)即发光二极管，是一种半导体固体发光器件。当前节能环保是全球重要问题，低碳生活逐渐深入人心。在照明领域，功率LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代。LED具有节能、环保、寿命长、结构牢固，响应时间快等特点，可以广泛应用于各种普通照明、背光源、显示，指示和城市夜景等领域。
[0003]传统的LED芯片的导通线路P、N电极一般是金属的结构，该结构主要用于焊线，将芯片和外部导通线路连通，该结构的材料通常是金、银、铜、锡；上述结构存在以下缺点:
1.金属电极材料极易氧化，造成焊线不良或者无法焊线，导致LED芯片作废；2.金属电极材料不具透光性，遮挡了部分光源，影响发光效率；3.金属电极材料仅能通过焊线导通外部电路，加工效率慢，不利于工业化生产；4.焊线工艺产生环境污染，危害人体健康。
【实用新型内容】
[0004]为解决上述问题，本实用新型提供一种加工简易、加工速度快且稳定并可实现同步多线印制外部导通电路的无金属电极的LED芯片。
[0005]为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是:一种无金属电极的LED芯片，包括衬底、依序覆盖在所述衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、设置在N型GaN层上的N电极透明导电层以及设置在P型GaN层上的P电极透明导电层。
[0006]其中，所述N电极透明导电层和P电极透明导电层为氧化铟锡或氧化锑锡电极。
[0007]其中，所述N电极透明导电层和P电极透明导电层通过真空镀膜的方式分别固定连接在所述N型GaN层和P型GaN层上。
[0008]其中，所述N电极透明导电层和P电极透明导电层利用真空镀膜或导电胶印制线路导通外部电路。
[0009]其中，所述衬底为蓝宝石、硅或碳化硅。
[0010]本实用新型的有益效果在于:LED芯片的导电电极采用具有导电透光性的氧化铟锡或氧化锑锡材料，能够有效地代替传统的金属电极，具有良好的附着性和导电性，不会有氧化脱落的现象；具有较高的透光性，不会遮挡光源；电极通过真空镀膜或导电胶印制线路导通外部电路，快速有效，一次印刷便能导通电路，提高了 LED光源的生产加工效率；可以减少焊线工艺，减少环境的污染。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0012]请参阅图1所示，本实用新型关于一种无金属电极的LED芯片，包括衬底1、依序覆盖在所述衬底上的N型GaN层2、发光层3、P型GaN层4、设置在N型GaN层2上的N电极透明导电层21以及设置在P型GaN层4上的P电极透明导电层41。
[0013]具体地，所述N电极透明导电层21和P电极透明导电层41为氧化铟锡或氧化锑锡电极。N电极透明导电层21和P电极透明导电层41采用ITO (氧化铟锡)镀膜或ATO (氧化锑锡)镀膜具有良好的导电性、透光性、附着性，能够有效地解决传统金属电极易氧化脱落、不透光等问题，增强LED芯片的性能具体地，所述N电极透明导电层21和P电极透明导电层41通过真空镀膜的方式固定连接在所述P型GaN层4和N型GaN层2上。
[0014]采用上述技术方案，能够增N电极透明导电层21和P电极透明导电层41的附着性能，防止其脱落。
[0015]具体地，所述N电极透明导电层21和P电极透明导电层41利用导电胶印制线路导通外部电路。
[0016]采用上述技术方案，N电极透明导电层21和P电极透明导电层41通过导电胶印制线路导通外部电路，快速有效，一次印刷便能导通电路，提高了 LED光源的生产加工效率。具体导通外部电路的方式如下:利用印刷机将导电胶印刷在各LED芯片的电极上和导通外部电路的引线上，再将所述导电胶固化即可。
[0017]具体地，所述衬底I为蓝宝石、硅或碳化硅。
[0018]本实用新型的有益效果在于:LED芯片的导电电极采用具有导电透光性的氧化铟锡或氧化锑锡材料，能够有效地代替传统的金属电极，具有良好的附着性和导电性，不会有氧化脱落的现象；具有较高的透光性，不会遮挡光源；电极通过真空镀膜或导电胶印制线路导通外部电路，快速有效，一次印刷便能导通电路，提高了 LED光源的生产加工效率；可以减少焊线工艺，减少环境的污染。
[0019]以上实施方式仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通工程技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。
【主权项】
1.一种无金属电极的LED芯片，其特征在于，包括衬底、依序覆盖在所述衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、设置在N型GaN层上的N电极透明导电层以及设置在P型GaN层上的P电极透明导电层，所述N电极透明导电层和P电极透明导电层为氧化铟锡或氧化铺锡电极。
2.根据权利要求1所述的一种无金属电极的LED芯片，其特征在于，所述N电极透明导电层和P电极透明导电层通过真空镀膜的方式分别固定连接在所述N型GaN层和P型GaN层上。
3.根据权利要求1所述的一种无金属电极的LED芯片，其特征在于，所述N电极透明导电层和P电极透明导电层利用真空镀膜或导电胶印制线路导通外部电路。
4.根据权利要求1所述的一种无金属电极的LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅或碳化硅。
【专利摘要】本实用新型涉及一种无金属电极的LED芯片，包括衬底、依序覆盖在所述衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、设置在N型GaN层上的N电极透明导电层以及设置在P型GaN层上的P电极透明导电层。本实用新型的有益效果在于：LED芯片的导电电极采用具有导电透光性的氧化铟锡或氧化锑锡材料，能够有效地代替传统的金属电极，具有良好的附着性和导电性，不会有氧化脱落的现象；具有较高的透光性，不会遮挡光源；电极通过真空镀膜或导电胶印制线路导通外部电路，快速有效，一次真空镀膜或印刷便能导通电路，提高了LED光源的生产加工效率；可以减少焊线工艺，减少环境的污染。
【IPC分类】H01L33-42
【公开号】CN204303858
【申请号】CN201420464856
【发明人】叶逸仁, 郑香奕
【申请人】东莞保明亮环保科技有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年8月18日