[0063]9.8321dBi
[0064]920MHz
[0065]34.135dB
[0066]9.9115dBi
[0067]940MHz
[0068]35.232dB
[0069]9.9960dBi
[0070]950 MHz
[0071]36.0OOdB
[0072]10.200dBi
[0073]如上表所示，其在800MHz至950MHz频段均表现出优良的通信电气参数性能，具体的，单个辐射单元最低频点前后比均大于31dB，在950MHz，单个辐射单元最低频点前后比均为36dB ;而低频点增益均大于9.35dBi,频带内平均增益大于9.8dBi。
[0074]具体从实验数据中截取四个频段的前后比数据图以及三个频段的增益数据图，如图5至图11，在800MHz至950MHz实现了优良的前后比特性，其中，在800MHz时，如图5，其频带内前后比为31.225dB ;在890MHz时，如图6，其频带内前后比为33.635dB ；在920MHz时，如图7，其频带内前后比为34.135dB ;在950MHz时，如图8，其频带内前后比为36.0OOdB ;而在增益上的表现:如图9，其在800MHz时，其增益达到:9.3521 dBi ;如图10，其在890MHz时，其增益达到:9.7550 dBi ;如图11，其在950MHz时，其增益达到:
10.200dBi ;可以得知，其平均内前后比大于33dB，其增益平均大于9.8dBi。
[0075]本实施例所述的一种高增益单极性微带振子，还包括两条微带馈电线；所述微带馈电线的一端与对应的微带辐射区2的第一微带单元41电连接，另一端与主PCB板I上的对应的过孔31电连接；通过此结构，可以方便的将馈电线与主PCB板1，即微带电路实现融合一体化。
[0076]本实施例所述的一种高增益单极性微带振子，所述每个微带单元的导电层厚度d为0.5mm-1.5mm之间。如图4所述，所述d的厚度即蚀刻PCB上单层覆铜层的厚度；位于此厚度，其能有效增加PCB板稳固性，即微带电路的稳定性，有能保证实现上述实验数据的实现；又不至于过厚，而增加的互干扰性。
[0077]本实施例所述的一种高增益单极性微带振子，所述微带馈电线包括有一个N字形的N形隔离部32以及从N形隔离部32 —端延伸出的连接部33 ;所述N形隔离部32的另一端与过孔31电连接；所述两个N形隔离部32的拱处均向外。增加N形隔离部32且拱处均向外在实验上增加了馈电线之间的隔离度，降低互相干扰，降低因为馈电线互扰产生的假耦合。
[0078]本实施例所述的一种高增益单极性微带振子，所述第三微带单元43与第四微带单元44之间还设有一 T字形的微带T形隔离部5 ;此结构可以有效增加产品隔离度，在软件仿真中，隔离度可达30dB。
[0079]本实施例所述的一种高增益单极性微带振子，所述微带上弧边21的弧度角α I为90° -120°。在此弧度角α I时，通过实验和仿真以及最终测试发现，在此弧度角范围内，实现上述实验数据的稳定性最佳。
[0080]本实施例所述的一种高增益单极性微带振子，所述每个微带单元的中间设有一两头为弧形中间为矩形的通孔6。所述通孔6内填充有二氧化硅半导体。此结构，在单个微带单元中增加了电流路径长度，间接的增加了辐射增益及前后比，通信性能进一步提高。
[0081]本实施例所述的一种高增益单极性微带振子，所述主PCB板I的边缘设有一圈微带隔离环线11。此结构可以有效增加产品隔离度，在软件仿真中，隔离度可达30dB。
[0082]本实施例所述的一种高增益单极性微带振子，所述主PCB板I的上下两侧设有锯齿状的微带隔离齿线12;此结构可以有继续效增加产品隔离度，在软件仿真中，隔离度可达 30dB。
[0083]本实施例所述的一种高增益单极性微带振子，所述主PCB的微带辐射区2的上部和下部均设有两段在同一水平线上的微带隔离直线13，所述两段微带直线的靠近的两端设有隔离微带电容；隔离微带电容可以有效去除靠近微带隔离齿线12在隔离时产生的偶信号，增加信号纯净。
[0084]本实施例所述的一种高增益单极性微带振子，所述微带单元的中间部分的边缘呈锯齿状；如图3所示，此结构实现了微带单元的辐射程度和增益程度，此结构，在单个微带单元中增加了电流路径长度，间接的增加了辐射增益及前后比，通信性能进一步提高；在软件仿真以及实际测算当中，增益明显增强，在原有增益上增加0.2-0.6dB1
[0085]以上所述仅是本实用新型的一个较佳实施例，故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，包含在本实用新型专利申请的保护范围内。
【主权项】
1.一种高增益单极性微带振子，其特征在于:包括有主PCB板(I )，所述主PCB板(I)上对称设置有两个微带辐射区(2);所述每个微带辐射区(2)包括有微带上弧边(21)以及微带下弧边(22)，所述微带上弧边(21)和微带下弧边(22)闭合形成一个封闭的区域；所述每个微带辐射区(2)内设有多个独立的二分之一波长的微带单元；所述每个微带单元两端宽中间窄呈哑铃状；所述多个独立的二分之一波长微带单元分为一个第一微带单元(41)、两个第二微带单元(42)、两个第三微带单元(43)、两个第四微带单元(44)以及一个第五微带单元(45)； 所述第一微带单元(41)设于靠近微带下弧边(22)的一侧，第五微带单元(45)设于靠近微带上弧边(21)的一侧，所述两个第二微带单元(42)分别设于第一微带单元(41)的上方的两侧且在同一水平线上，所述两个第三微带单元(43)分别设于两个第二微带单元(42)的上方的两侧且在同一水平线上，所述两个第四微带单元(44)分别设于第三微带单元(43)的上方且在同一水平线上；所述第一微带单元(41)的一端与一个第二微带单元(42)的一端电连接，所述第一微带单元(41)的另一端与另一个第二微带单元(42)的一端电连接，所述一个第二微带单元(42)的另一端与一个第三微带单元(43)的一端电连接，所述另一个第二微带单元(42)的另一端与另一个第三微带单元(43)的一端电连接，所述一个第三微带单元(43)的另一端与一个第四微带单元(44)的一端连接，所述另一个第三微带单元(43)的另一端与另一个第四微带单元(44)的一端连接，所述一个第四微带单元(44)的另一端和另一个第四微带单元(44)的另一端分别与第五微带单元(45)的两端电连接； 所述每个微带单元的中间设有一两头为弧形中间为矩形的通孔(6);所述通孔(6)内填充有二氧化娃半导体。
2.根据权利要求1所述的一种高增益单极性微带振子，其特征在于:还包括两条微带馈电线；所述微带馈电线的一端与对应的微带辐射区(2)的第一微带单元(41)电连接，另一端与主PCB板(I)上的对应的过孔(31)电连接。
3.根据权利要求1所述的一种高增益单极性微带振子，其特征在于:所述每个微带单元的导电层厚度为0.5mm-1.5mm之间。
4.根据权利要求2所述的一种高增益单极性微带振子，其特征在于:所述微带馈电线包括有一个N字形的N形隔离部(32)以及从N形隔离部(32)—端延伸出的连接部(33);所述N形隔离部(32)的另一端与过孔(31)电连接；所述两个N形隔离部(32)的拱处均向外。
5.根据权利要求1所述的一种高增益单极性微带振子，其特征在于:所述第三微带单元(43)与第四微带单元(44)之间还设有一 T字形的微带T形隔离部(5)。
6.根据权利要求1所述的一种高增益单极性微带振子，其特征在于:所述微带上弧边(21)的弧度角α I为90° -120°。
7.根据权利要求1所述的一种高增益单极性微带振子，其特征在于:所述主PCB板(I)的边缘设有一圈微带隔离环线(11)。
8.根据权利要求1所述的一种高增益单极性微带振子，其特征在于:所述主PCB板(I)的上下两侧设有锯齿状的微带隔离齿线(12)。
9.根据权利要求1所述的一种高增益单极性微带振子，其特征在于:所述主PCB的微带辐射区(2)的上部和下部均设有两段在同一水平线上的微带隔离直线(13)，所述两段微带直线的靠近的两端设有隔离微带电容。
10.根据权利要求1所述的一种高增益单极性微带振子，其特征在于:所述微带单元的中间部分的边缘呈锯齿状。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高增益单极性微带振子；通过设置包括有主PCB板，所述主PCB板上对称设置有两个微带辐射区；所述每个微带辐射区包括有微带上弧边以及微带下弧边，所述微带上弧边和微带下弧边闭合形成一个封闭的区域；所述每个微带辐射区内设有多个独立的二分之一波长的微带单元；所述每个微带单元两端宽中间窄呈哑铃状；其在800MHz至950MHz频段均表现出优良的通信电气参数性能，具体的，单个辐射单元最低频点前后比均大于31dB，在950MHz,单个辐射单元最低频点前后比均为36dB；而低频点增益均大于9.35dBi,频带内平均增益大于9.8dBi。
【IPC分类】H01Q1-38, H01Q13-08, H01Q1-50, H01Q1-52
【公开号】CN204464470
【申请号】CN201520167533
【发明人】李同芬
【申请人】李同芬
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年3月24日