一种晶圆生产用压环的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种用于生产晶圆的压环。
【背景技术】
[0002]在生产晶圆的过程中，湿法蚀刻没有方向性，缺乏导向，故而大多采用干法蚀刻。而干法蚀刻利用到射频，以此给予化学离子以方向性，射频的发生过程中会产生高温，故而我们需要在晶圆(产品)的背面施以气体经行冷却处理，如此两个方向的施压会造成晶圆的移动，所以我们工艺中需要固件来固定晶圆，而此固件就是压环(一部分陶瓷，一部分金属)。如图1所示，现有工艺采用的压环100呈圆形，即产品周边一圈都不能最终使用。图1中晶圆200上图形全覆盖，被压环100所影响的芯片有一百颗左右，按十元一颗，结果损失一千元。从而对工艺使用中的原材料浪费很多，工艺原材料(圆形)边圈全部浪费。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种晶圆生产用压环，只有八个点接触产品，并且均匀受力，将生产面积扩为最广。
[0004]实现上述目的的技术方案是:
[0005]一种晶圆生产用压环，包括环形的压环本体，该压环本体的内圆半径等于晶圆半径，所述压环本体沿内圆周边面向圆心地延伸有2N个压爪，N为正整数；该2N个压爪围绕圆心环形阵列。
[0006]在上述的晶圆生产用压环中，所述压爪长度为5mm。
[0007]在上述的晶圆生产用压环中，所述压爪的数量为8个。
[0008]在上述的晶圆生产用压环中，所述压环本体包括环形的金属压环，以及包裹该金属压环的陶瓷壳体。
[0009]本实用新型的有益效果是:本实用新型通过将金属压环从圆周型加工成八爪型，可以让同等产品原材料的情况下产出更多的最终成品，从而节约材料，减少原材料的浪费，制造更多的利润。
【附图说明】
[0010]图1是现有技术中压环的表面结构图；
[0011]图2是本实用新型的晶圆生产用压环的表面结构图。
【具体实施方式】
[0012]下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。
[0013]请参阅图2，本实用新型的晶圆生产用压环，包括环形的压环本体I。压环本体I包括环形的金属压环以及包裹该金属压环的陶瓷壳体，从而保护金属部分不被射频击穿而改变并产生金属离子。
[0014]压环本体I的内圆半径等于晶圆200半径。压环本体I沿内圆周边面向圆心地延伸有2N个压爪2，N为正整数。该2N个压爪2围绕圆心环形阵列。本实施例中，压爪2的数量为8个，压爪2的长度为5_。这样，压环接触产品点从一大圈，改造成八个接触点，可以让同等产品原材料的情况下产出更多的最终成品，从而节约材料，减少原材料的浪费，制造更多的利润。
[0015]如图1所示，现有的压环100为圆形全接触产品式，而晶圆200内图形为矩形，故而晶圆200周边一圈(从边缘向中心延伸5_，外加图形不能被接触到，最终向内延伸至少8mm不能有图形)，最终成图(以我们1*8模板为例)现有709个图形，图1中环形的第一重叠区域3为报废区。
[0016]而采用本实用新型，即:当我们改变金属压环接触式方式为八爪接触式后，(各向外延伸5_，最终直径延伸1mm)，图2中的8个凸出的第二重叠区域(压爪2的面积)4为报废区，最终成图(以我们1*8模板为例)至少增加100个图形。每片可以增产100个产品，按市场价十元人民币，就是增加产值一千元人民币。按月产量1000片，可以增产100000个产品，增加产值壹佰万元人民币。
[0017]以上实施例仅供说明本实用新型之用，而非对本实用新型的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本实用新型的范畴，应由各权利要求所限定。
【主权项】
1.一种晶圆生产用压环，其特征在于，包括环形的压环本体，该压环本体的内圆半径等于晶圆半径，所述压环本体沿内圆周边面向圆心地延伸有2N个压爪，N为正整数；该2N个压爪围绕圆心环形阵列。2.根据权利要求1所述的晶圆生产用压环，其特征在于，所述压爪长度为5_。3.根据权利要求1所述的晶圆生产用压环，其特征在于，所述压爪的数量为8个。4.根据权利要求1所述的晶圆生产用压环，其特征在于，所述压环本体包括环形的金属压环，以及包裹该金属压环的陶瓷壳体。
【专利摘要】本实用新型公开了一种晶圆生产用压环，包括环形的压环本体，该压环本体的内圆半径等于晶圆半径，所述压环本体沿内圆周边面向圆心地延伸有2N个压爪，N为正整数；该2N个压爪围绕圆心环形阵列。本实用新型只有八个点接触产品，并且均匀受力，将生产面积扩为最广。
【IPC分类】H01L21/687
【公开号】CN204668289
【申请号】CN201520355258
【发明人】黄惠良, 赵继鸿, 朱伟冬
【申请人】上海鸿辉光通科技股份有限公司
【公开日】2015年9月23日
【申请日】2015年5月28日