的高度不同，在本实施方式中，第一半导体激光器210高于第二半导体激光器220，以使连续栗浦激光和脉冲栗浦激光的光路在垂直于基板200的方向上关于准直聚焦镜230的中心对称。
[0030]在本实施方式中，第一半导体激光器210包括热沉211、半导体激光芯片212及快轴压缩柱透镜213 ;半导体激光芯片212设置于热沉211的上方，快轴压缩柱透镜213设置于半导体激光芯片212上靠近准直聚焦镜230的一侧，另外，第二半导体激光器220的结构与第一半导体激光器210的结构相同，这里不再赘述。
[0031]在其他实施方式中，第一半导体激光器210的高度与第二半导体激光器220的高度也可以相同，即第一半导体激光器210与第二半导体激光器220左右放置，以使连续栗浦激光和脉冲栗浦激光的光路在平行于基板200的方向上关于准直聚焦镜的中心对称。
[0032]其中，全反镜240和输出镜270构成谐振腔；全反镜240用于反射连续激光及脉冲激光；输出镜270用于对脉冲激光部分透射部分反射。在其他实施方式中，全反镜270也可以是采用涂覆的方式形成于激光介质250的入射面的全反膜；另外输出镜270的输入面也可以涂覆一层半透半反膜271，用于使脉冲激光部分透射部分反射。
[0033]另外，第一半导体激光器210、第二半导体激光器220、准直聚焦镜230、全反镜240、激光介质250、Q开关组件260及输出镜270与基板200之间还包括底座，该底座一般采用散热性良好的材料。
[0034]下面以Q开关组件260由Cr = YAG晶体形成，激光介质250由激光晶体形成来举例说明:
[0035]第一半导体激光器110产生连续栗浦激光，第二半导体激光器120产生脉冲栗浦激光，通过准直聚焦镜230后两束栗浦光聚焦于激光晶体250内部，并且基本重合；第一半导体激光器210的激光阈值与激光介质250的栗浦阈值相匹配，也就是说激光介质250栗浦到刚刚准备输出激光山开关组件260按照脉冲电流的频率开始将连续激光转化为脉冲激光，经过全反镜240、输出镜270组成的谐振腔的振荡放大，形成稳定的连续激光输出。
[0036]参阅图3，本实用新型激光器第三实施方式的结构示意图，该激光器包括依次设置在基板300上的第一半导体激光器310、第二半导体激光器320、准直聚焦镜330、全反镜、激光介质、Q开关组件及输出镜；第一半导体激光器产生连续栗浦激光，用于激发激光介质产生连续激光；Q开关组件用于将连续激光转化为脉冲激光；第二半导体激光器产生脉冲栗浦激光，用于调制脉冲激光的频率，并通过输出镜输出调制后的脉冲激光。
[0037]其中，图3是图2的左视图，其与图2的区别在于第一半导体激光器310和第二半导体激光器320高度相同，两个激光器左右放置，并关于准直聚焦镜330对称，其他光学元件与图2相同，因此图3中未标识。
[0038]本实施方式与本实用新型激光器第二实施方式类似，区别仅在于第一半导体激光器310和第二半导体激光器320位置的变化，这里不再赘述。
[0039]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种激光器，其特征在于，所述激光器包括依次设置在基板上的第一半导体激光器、第二半导体激光器、准直聚焦镜、全反镜、激光介质、Q开关组件及输出镜； 所述第一半导体激光器产生连续栗浦激光，用于激发所述激光介质产生连续激光； 所述Q开关组件用于将所述连续激光转化为脉冲激光； 所述第二半导体激光器产生脉冲栗浦激光，用于调制所述脉冲激光的频率，并通过所述输出镜输出调制后的脉冲激光。2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一半导体激光器及第二半导体激光器均包括热沉、半导体激光芯片及快轴压缩柱透镜； 所述半导体激光芯片设置于所述热沉的上方，所述快轴压缩柱透镜设置于所述半导体激光芯片上靠近所述准直聚焦镜的一侧。3.根据权利要求2所述的激光器，其特征在于，所述第一半导体激光器的高度与所述第二半导体激光器的高度不同，以使所述连续栗浦激光和所述脉冲栗浦激光的光路在垂直于所述基板的方向上关于所述准直聚焦镜的中心对称。4.根据权利要求2所述的激光器，其特征在于，所述第一半导体激光器的高度与所述第二半导体激光器的高度相同，以使所述连续栗浦激光和所述脉冲栗浦激光的光路在平行于所述基板的方向上关于所述准直聚焦镜的中心对称。5.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述全反镜和所述输出镜构成谐振腔； 所述全反镜用于反射所述连续激光及脉冲激光； 所述输出镜用于对所述脉冲激光部分透射部分反射。6.根据权利要求5所述的激光器，其特征在于，所述全反镜为全反膜，所述全反膜采用涂覆的方式形成于所述激光介质的入射面。7.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一半导体激光器的激光阈值与所述激光介质的栗浦阈值相匹配。8.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述Q开关组件由Cr:YAG晶体形成。9.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述激光介质由激光晶体形成。10.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一半导体激光器、第二半导体激光器、准直聚焦镜、全反镜、激光介质、Q开关组件及输出镜与基板之间还包括底座。
【专利摘要】本实用新型公开了一种激光器，该激光器包括依次设置在基板上的第一半导体激光器、第二半导体激光器、准直聚焦镜、全反镜、激光介质、Q开关组件及输出镜；第一半导体激光器产生连续泵浦激光，用于激发激光介质产生连续激光；Q开关组件用于将连续激光转化为脉冲激光；第二半导体激光器产生脉冲泵浦激光，用于调制脉冲激光的频率，并通过输出镜输出调制后的脉冲激光。通过上述方式，本实用新型能够便于对激光器大电流的调制，使得对激光器的电流调制更加精确。
【IPC分类】H01S3/0941
【公开号】CN204809628
【申请号】CN201520429752
【发明人】高国栋
【申请人】深圳联品激光技术有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年6月19日