背接触太阳能电池的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种背接触太阳能电池，属于电池设计技术领域。
【背景技术】
[0002]目前，背接触太阳能电池的效率已经突破了 25%，这种高效电池正受到更多的关注。现在晶体硅电池的效率不断突破，全背电极电池在未来势必会成为主流。传统背接触电池的电极主栅设计会造成较高的串阻和电流损失，不利于大规模生产高效的背接触电池。
【发明内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种背接触太阳能电池，它减少了栅线的串阻和电流损失，提高了电池效率的同时，降低了成本。
[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是:一种背接触太阳能电池，包括电池本体，所述电池本体含有基体、栅线层和设置于基体背面的掺杂层，所述栅线层包括分别设置有多条的P+主栅线、P+细栅线、N+主栅线和N+细栅线，所述掺杂层包括P+发射极和N+背表面场，P+细栅线与P+发射极欧姆接触，N+细栅线与N+背表面场欧姆接触，所述P+主栅线和N+主栅线呈交替状并列设置，所述P+主栅线上设置有多个P+点状金属接触区域，P+主栅线通过P+点状金属接触区域对应接触连接多条P+细栅线，所述N+主栅线上设置有多个N+点状金属接触区域，N+主栅线通过N+点状金属接触区域对应接触连接多条N+细栅线。
[0005]进一步，所述电池本体还包括背面钝化层，所述背面钝化层设置在所述栅线层和掺杂层之间，并且背面钝化层上设置有多个接触槽，所述P+细栅线穿过相应的接触槽后欧姆连接于所述P+发射极，所述N+细栅线穿过相应的接触槽后欧姆连接于所述N+背表面场。
[0006]进一步，所述电池本体还包括前表面场FSF层，所述前表面场FSF层设置于基体的受光面上，并且前表面场FSF层的上表面上镀有钝化减反膜层。
[0007]进一步，所述P+主栅线上还设置有多个P+金属焊接区域，所述P+主栅线上设置的P+金属焊接区域为4?40个，所述N+主栅线上还设置有多个N+金属焊接区域，所述N+主栅线上设置的N+金属焊接区域为4?40个，同时P+主栅线和N+主栅线分别有4-40条。
[0008]进一步，所述的P+金属焊接区域和/或N+金属焊接区域为正方形或圆形，当为正方形时，其边长为500?2000 μ m ;当为圆形时，其直径为500?2000 μ m。
[0009]进一步，所述的P+点状金属接触区域和/或N+点状金属接触区域的直径为10?300 μ mD
[0010]进一步，同一条P+主栅线上相邻的两个P+点状金属接触区域和/或同一条N+主栅线上相邻的两个N+点状金属接触区域之间的间隔为50?300 μ m。
[0011]进一步，所述P+细栅线和/或N+细栅线的宽度为80?500 μ m。
[0012]进一步为了有利于电流的收集，同时提供焊接的位置，所述P+主栅线和/或N+主栅线由多段菱形段衔接而成。
[0013]进一步，在位于电池本体边缘的P+主栅线中，P+主栅线通过一个P+点状金属接触区域对应接触连接一条P+细栅线；在位于电池本体边缘的N+主栅线中，N+主栅线通过一个N+点状金属接触区域对应接触连接一条N+细栅线；在位于电池本体中间的P+主栅线中，P+主栅线通过一个P+点状金属接触区域对应接触连接两条P+细栅线，并且该两条P+细栅线对称设置；在位于电池本体中间的N+主栅线中，N+主栅线通过一个N+点状金属接触区域对应接触连接两条N+细栅线，并且该两条N+细栅线对称设置。
[0014]采用了上述技术方案后，由于主栅线很多，细栅也被分为很多段，从而减少了细栅上的串阻；有主栅较多，使得每条主栅变窄，减小了主栅覆盖区域中载流子横向移动造成的串阻和电流的损失，从而提高了电池的效率，并且栅线只需要进行一次印刷和烧结，降低成本。
【附图说明】
[0015]图1为本实用新型的背接触太阳能电池的结构剖视图；
[0016]图2为本实用新型的背接触太阳能电池的透视图；
[0017]图3为本实用新型的背接触太阳能电池的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明。
[0019]如图1?3所示，一种背接触太阳能电池，包括电池本体，所述电池本体含有基体
3、栅线层和设置于基体3背面的掺杂层，所述栅线层包括分别设置有多条的P+主栅线13、P+细栅线9、N+主栅线15和N+细栅线10，掺杂层包括P+发射极4和N+背表面场5，P+细栅线9与P+发射极4欧姆接触，N+细栅线10与N+背表面场5欧姆接触，P+主栅线13和N+主栅线15呈交替状并列设置，P+主栅线13上设置有多个P+点状金属接触区域7，P+主栅线13通过P+点状金属接触区域7对应接触连接多条P+细栅线9，N+主栅线15上设置有多个N+点状金属接触区域8，N+主栅线15通过N+点状金属接触区域8对应接触连接多条N+细栅线10 ;基体3为N型硅片，N+背表面场5为均匀分布点状结构，所占面积为4-20%，其余为P+发射极4。
[0020]如图1所示，电池本体还包括背面钝化层6，背面钝化层6设置在所述栅线层和掺杂层之间，并且背面钝化层6上设置有多个接触槽，所述P+细栅线9穿过相应的接触槽后欧姆连接于所述P+发射极4，N+细栅线10穿过相应的接触槽后欧姆连接于N+背表面场5。
[0021]如图1所示，电池本体还包括前表面场FSF层2，前表面场FSF层2设置于基体3的受光面上，并且前表面场FSF层2的上表面上镀有钝化减反膜层I ;前表面场FSF层2为金字塔绒面；
[0022]如图2、3所示，P+主栅线13上还设置有多个P+金属焊接区域11，P+主栅线13上设置的P+金属焊接区域11为4?40个，N+主栅线15上还设置有多个N+金属焊接区域12，N+主栅线15上设置的N+金属焊接区域12为4?40个，同时P+主栅线和N+主栅线分别有4-40条。
[0023]如图1所示，P+金属焊接区域11和/或N+金属焊接区域12为正方形或圆形，当为正方形时，其边长为500?2000 μ m ;当为圆形时，其直径为500?2000 μ m。
[0024]P+点状金属接触区域7和/或N+点状金属接触区域8的直径为10?300 μ m。