一种监测下层金属层间是否桥连的测试结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体测试技术领域，特别是涉及一种监测下层金属层间是否桥连的测试结构。
【背景技术】
[0002]随着半导体器件尺寸的持续缩小，传统的生产工艺遭遇到很多挑战。同时，传统中的一些可以接受的生产误差在尺寸越来越小的情况下得到了恶化，该类误差已经开始影响半导体器件的良率。
[0003]目前28nm的产品正在北京厂建立BL的工艺条件，从现在已出的lot测试结果来看，依然面临着严峻的挑战，28nm工艺还有许多需要改进的地方。其中主要影响产率的因素是上层通孔/偏移或通孔过大造成下层金属之间的桥连(bridge)。由于桥连发生在下层金属层之间，所以不能在线上实时的探测到。
[0004]目前为止，这一问题只能等所有制程全都完成，并且测试过之后，通过DFT的测试找到相应的失效电路，FA进行逐层的分析才能解决。但是这样会浪费FAB和FA大量的时间，成功率低，并且会直接影响28nm工艺的推进。
[0005]因此，急需设计出能够实时反映下层金属层之间是否桥连的测试结构，以解决上述问题。
【实用新型内容】
[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种监测下层金属层间是否桥连的测试结构，用于解决现有技术中无法实时探测到下层金属层间发生桥连的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种监测下层金属层间是否桥连的测试结构，所述测试结构至少包括:
[0008]从内向外依次包围的至少两组下层金属封闭结构，其中一组下层金属封闭结构接地，与该接地的下层金属封闭结构相邻的一组下层金属封闭结构定义为金属接触层；
[0009]至少两组上层金属结构，所有上层金属结构均与所述金属接触层通过通孔电连，所述上层金属层处于电性悬空状态。
[0010]作为本实用新型的一种优化结构，所述测试结构中包括两组下层金属封闭结构。
[0011]作为本实用新型的一种优化结构，所述两组下层金属封闭结构构成“回”字形状，即所述下层金属封闭结构包括一“口 ”字形的内层金属封闭结构和一“ 口”字形外层金属封闭结构。
[0012]作为本实用新型的一种优化结构，将所述内层金属封闭结构接地，则外层金属封闭层为金属接触层，此时所述上层金属结构与外层金属封闭结构通过通孔电连。
[0013]作为本实用新型的一种优化结构，将所述外层金属封闭结构接地，则内层金属封闭层为金属接触层，此时所述上层金属结构与内层金属封闭结构通过通孔电连。
[0014]作为本实用新型的一种优化结构，所述测试结构包括四组上层金属结构，通过通孔分别与内层金属封闭结构或外层金属封闭结构的四条金属边电连。
[0015]作为本实用新型的一种优化结构，所述下层封闭结构之间的间距为15?50nm。
[0016]作为本实用新型的一种优化结构，所述测试结构还包括与所述下层金属封闭结构或上层金属结构位于同一层的虚拟金属层，所述虚拟金属层通过绝缘材料与所述下层金属封闭结构或上层金属结构隔离。
[0017]如上所述，本实用新型的监测下层金属层间是否桥连的测试结构，所述测试结构至少包括:从内向外依次包围的至少两组下层金属封闭结构，其中一组下层金属封闭结构接地，与该接地的下层金属封闭结构相邻的一组下层金属封闭结构定义为金属接触层；至少两组上层金属结构，所有上层金属结构均与所述金属接触层通过通孔电连，所述上层金属层处于电性悬空状态。利用本实用新型的测试结构，可以快速有效地实时探测到缺陷的位置，缩短28nm工艺的周期时间，降低线上及线下的成本。
【附图说明】
[0018]图1为本实用新型测试结构俯视图。
[0019]图2为本实用新型测试结构的下层金属封闭结构的俯视图。
[0020]图3为本实用新型测试结构的上层金属结构的结构俯视图。
[0021]图4为本实用新型测试结构中虚线部分的通孔偏移引起下层金属封闭结构间桥连的俯视图。
[0022]图5为沿图1中AA’方向的剖视图。
[0023]图6为沿图4中BB ’方向的剖视图。
[0024]图7为本实用新型测试结构中虚线部分的通孔偏移引起下层金属封闭结构间桥连的另一俯视图。
[0025]元件标号说明
[0026]1 下层金属封闭结构
[0027]11内层金属封闭结构
[0028]12外层金属封闭结构
[0029]2 上层金属结构
[0030]3 通孔
[0031]4 虚拟金属层
【具体实施方式】
[0032]以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
[0033]请参阅图1至图7。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
[0034]如图1所示，本实用新型提供一种监测下层金属层间是否桥连的测试结构，所述测试结构至少包括:
[0035]从内向外依次包围的至少两组下层金属封闭结构1，其中一组下层金属封闭结构接地，与该接地的下层金属封闭结构相邻的一组下层金属封闭结构定义为金属接触层；
[0036]至少两组上层金属结构2，所有上层金属结构2均与所述金属接触层通过通孔电连，所述上层金属层处于电性悬空状态。
[0037]为了方便说明本实用新型的监测下层金属层间是否桥连的测试结构，本实施例以两组下层金属封闭结构为例进行说明。
[0038]如图2所示为测试结构中具有两组下层金属封闭结构1的情况。本实施例中，所述两组下层金属封闭结构1构成“回”字形状，即所述下层金属封闭结构1包括一“ 口”字形的内层金属封闭结构11和一“口”字形外层金属封闭结构12。
[0039]需要说明的是，在其他实施例中，所述内层金属封闭结构11和外层金属封闭结构12也可以是其他形状，例如三角形、圆形等等，在此不限。本实施例以口字形内层金属封闭结构1111和口字形外层金属封闭结构12为例进行说明。
[0040]所述内层金属封闭结构11和外层金属封闭结构12之间的间距可以选择在15?50nm