的，不应以此限制本实用新型的保护范围。
[0051]如图4至图5所示，本实用新型公开了一种光耦封装结构，包括塑封的第一、第二、第三和第四导电支架以及设置在导电支架上的基准电源芯片5、红外发射芯片6和光电三极管7。所述第二导电支架2上固定所述基准电源芯片5和红外发射芯片6;所述第一导电支架1与所述基准电源芯片5的电源正端电连接，其引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第一输入端;第二导电支架2与所述基准电源芯片5的电源负端电连接，其引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第二输入端;所述基准电源芯片5的输出端与所述红外发射芯片6的阳极电连接;所述红外发射芯片的阴极与第二导电支架2电连接。所述光电三极管7通过导电胶固定在第四导电支架4上;第四导电支架4通过导电胶与光电三极管7背面集电极连接，其引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第二输出端;第三导电支架3与光电三极管7的发射极电连接，其引出所封体外的部分作为该光耦封装结构的第一输出端;所述光电三极管7的基极接收所述红外6发射芯片发出的光电信号。所述外塑封体内充满绝缘透明介质。本方案中所述第一导电支架1、第二导电支架2、第三导电支架3和第四导电支架4均置于同一平面内，即所述光耦结构的输出端与输入端处于同一平面上;或者，所述第一导电支架1和第二导电支架置2于同一平面内，所述第三导电支架3和第四导电支架4置于另一同一平面内，即所述输出端与输入端上下对应的设置在该封装结构内。
[0052]如图6至图7所示，本方案公开了另一种光耦封装结构，包括塑封的第一、第二、第三和第四导电支架以及设置在导电支架上的基准电源芯片5、红外发射芯片6和光电三极管
7。所述基准电源芯片5的电源正端直接与第一导电支架1电连接，所述基准电源芯片5的电源负端与第二导电支架2电连接，所述基准电源芯片5的输出端与所述红外发射芯片6的阳极电连接;所述红外发射芯片6固定在第二导电支架2上，其阴极与第二导电支架2电连接；所述第一导电支架1和第二导电支架2引出塑封体外的部分分别作为该光耦封装结构的第一输入端和第二输入端。所述光电三极管7固定在第四导电支架3上;所述光电三极管7通过导电胶固定在第四导电支架4上;第四导电支架4通过导电胶与光电三极管7背面集电极连接，其引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第二输出端;第三导电支架3与光电三极管7的发射极电连接，其引出所封体外的部分作为该光耦封装结构的第一输出端;所述光电三极管7的基极接收所述红外发射芯片6发出的光电信号。所述外塑封体内充满绝缘透明介质。所述外塑封体内充满绝缘透明介质。本方案中所述第一导电支架1、第二导电支架2、第三导电支架3和第四导电支架4均置于同一平面内，即所述光耦结构的输出端与输入端处于同一平面上;或者，所述第一导电支架1和第二导电支架置2于同一平面内，所述第三导电支架3和第四导电支架4置于另一同一平面内，即所述输出端与输入端上下对应的设置在该封装结构内。
[0053]如图8所示，本实用新型进一步公开了一种电压反馈电路，该电路包括塑封在外塑封体内的转换电路;所述转换电路包括:用于对反馈电压进行放大的基准电源芯片5、用于将放大的反馈电压转换为电流信号的红外发射芯片6;和用于将所述电流信号传递给外部设备的光电三极管7;该电路进一步包括稳压电阻和滤波电容，所述稳压电阻的一端作为反馈电压输入端，其另一端与滤波电容连接，所述滤波电容的另一端接地;所述转换电路与所述滤波电容并联连接。
[0054]如图8所示，本实用新型进一步公开了一种开关电源电压反馈系统，该系统包括:用于对交流输入信号进行整流滤波的整流滤波电路、用于将整流滤波后的交流输入信号转换为相应的能量级的开关电源功率级、用于将所述能量级变压输出的变压电路、上述电压反馈电路和根据电压反馈电路反馈的电流信号，对功率级进行控制的调制级。
[0055]本实用新型进一步公开了一种包含上述开关电源电压反馈系统的设备。
[0056]本方案中进一步公开了一种光耦封装方法，该方法的步骤包括:
[0057]S1、将基准电源芯片5和红外发射芯片6固定在第二导电支架2上；
[0058]S21、将基准电源芯片5的电源正端与第一导电支架1电连接，该第一导电支架1引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第一输入端;将基准电源芯片5的电源负端与第二导电支架2电连接，该第二导电支架2引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第二输入端;将基准电源芯片5的输出端与红外发射芯片6的阳极电连接;所述红外发射芯片6的阴极与第二导电支架2电连接；
[0059]S3、将光电三极管7固定在第四导电支架4上;将光电三极管7的集电极与第四导电支架4电连接，第四导电支架4引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第二输出端;将光电三极管7的发射极与第三导电支架3电连接，第三导电支架3引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第一输出端;所述光电三极管7的基极接收所述红外发射芯片6发出的光电信号;或
[0060]S22、将基准电源芯片5固定在第一导电支架1上，将其电源正端与第一导电支架1电连接，将其输出端与红外发射芯片的阳极电连接;将红外发射芯片6固定在第二导电支架2上，其阴极与第二导电支架2电连接;第一导电支架1和第二导电支架2引出塑封体外的部分分别作为该光耦封装结构的第一输入端和第二输入端。
[0061]该方法中，所述第一导电支架1、第二导电支架2、第三导电支架3和第四导电支架4均置于同一平面内；或者，所述第一导电支架1和第二导电支架2置于同一平面内，所述第三导电支架3和第四导电支架4置于同一平面内，所述第一导电支架1和第二导电支架2与所述第三导电支架3和第四导电支架4上下对应的设置在该封装结构内。
[0062]开关稳压电源输出电压被本实用新型所述光耦内的基准电源芯片5采样，开关稳压电源输出电压与预设稳压值之差A V被电压基准芯片放大转换为电流信号Ιο，Ιο流过LED红外发射芯片6转换为红外光Lo，红外光Lo被光电三极管7感应生成光电流In，光电流In再反馈到开关稳压电源的控制级去控制开关稳压电源的功率级，从起到稳定开关稳压电源的输出级的作用。
[0063]下面通过一组实施例对本实用新型做进一步说明:
[0064]实施例1
[0065]如图4-a和4-b所示，本实用新型公开了一种光耦封装结构，本实用新型公开了一种光耦封装结构，包括塑封的第一、第二、第三和第四导电支架以及设置在导电支架上的基准电源芯片5、红外发射芯片6和光电三极管7;所述第二导电支架2上固定所述基准电源芯片5和红外发射芯片6，其中，所述基准电源芯片5采用N型衬底时，则可用导电胶固定在第二导电支撑架2上；当使用P型衬底时，可选用导电胶，也可用绝缘胶固定在第二导电支撑架2上。所述第一导电支架1与所述基准电源芯片5的电源正端电连接，其引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第一输入端;第二导电支架2与所述基准电源芯片5的电源负端电连接，其引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第二输入端;所述基准电源芯片5的输出端与所述红外发射芯片6的阳极电连接;所述红外发射芯片6的阴极与第二导电支架2电连接;所述光电三极管7固定在第四导电支架4上;第四导电支架4与所述光电三极管7的集电极电连接，其引出塑封体外的部分作为该光耦封装结构的第二输出端;第三导电支架3与光电三极管7的发射极电连接，其引出所封体外的部分作为该光耦封装结构的第一输出端;所述光电三极管7的基极接收所述红外发射芯片6发出的光电信号。所述外塑封体内充满绝缘透明介质。本方案中所述第一导电支架1、第二导电支架2、第三导电支架3和第四导电支架4均置于同一平面内，即所述光耦结构的输出端与输入端处于同一平面上。
[0066]实施例2
[0067]如图5-a和5-b所示，本实用新型公开了一种光耦封装结构，包括塑封的第一、第二、第三和第四导电支架以及设置在导电支架上的基准电源芯片5、红外发射芯片6和光电三极管7;所述基准电源芯片5的电源端直接固定在第一导电支架1上，所述红外发射芯片6固定在第二导电支架2上，所述红外发射芯片6的阴极与第二导电支架2电连接，所述基准电源芯片5的电源正端与第一导电支架1电连接，所述基准电源芯片5的电源负端与第二导电支架2电连接，所述基准电源芯片5的输出端与所述红外发射芯片6的阳极电连接，其中，所述基准电源芯片5采用N型衬底