106。其中，第三切割道区域2013露出部分阻挡层105,第二P孔区域2032露出 部分P扩散层的反射镜层104和部分阻挡层105。本实施例中的N电极扩散层用于N区域的电 性引出，增加电流在发光层的扩散。接着执行步骤S3。
[0042] 如图10和图11所示，在步骤S6中，在N电极扩散层106上表面形成一钝化层107。具 体来说，首先于N电极扩散层106上沉积一钝化层107，再匀胶、覆盖形成一光刻胶层305，如 图10所示，于光刻胶层上定义出第一预留区域401和第二预留区域402,本实施例中，位于P 电极区域501的第一预留区域为字母"P"的形状，位于N电极区域502的第二预留区域为字母 "N"的形状。然后，通过显影的方式去除预留区域401和402的光刻胶。接着，通过腐蚀或刻蚀 的方式去除钝化层107的预留区域401和402。最后，如图11所示，去除光刻胶层305，获得钝 化层107,其中，位于P电极区域501的第一预留区域401露出反射镜层104,位于N电极区域 502的第二预留区域402露出N电极扩散层层106。本实施例中的钝化层107的材料可以为氧 化娃、氮化娃或者氮氧化娃。接着执行步骤S7。
[0043] 如图12和图13所示，在步骤S7中，在钝化层107上表面形成电极层108,第一预留区 域401设置于P电极区域501，第二预留区域402设置于N电极区域501，用于区别电极。具体来 说，首先，匀胶、覆盖形成一光刻胶层306,如图3所示，于光刻胶层306上定义出P型电极区域 501和N型电极区域502。然后，通过显影的方式去除电极区域501和502的光刻胶，蒸镀金属。 本实施例中，金属填充第一预留区域401与ρ扩散反射镜层104连接形成P型电极;金属填充 第二预留区域402与N电极扩散层106连接形成N型电极，其中，N电极扩散层106通过N孔区域 与发光外延层102的N型层连接。最后，通过金属剥离的方式去除电极区域501和502以外的 金属，获得金属电极层108。
[0044]电极材料可以为Au或CrAu。值得一提的是，由于芯片中预留区域的深度有2000~ 15000μπι，因此在后续蒸镀金属电极时，金属电极上也会显示出预留区域，预留区域足够的 高度差保证形成可视的图案。通过将预留区域设置于不同电极区域的特定位置，从而可以 实现区别芯片电极的目的。如图14所示，在Ν型电极区域502标记字母"Ν"，在Ρ型电极区域 501标记字母"Ρ"，可以更直观更有效的区分芯片的Ρ电极和Ν电极，使之能适用于各种芯片， 方便芯片生产、检测流程中进行图形识别，显著提高芯片鉴别率和生产效率，降低废品率和 生产成本。
[0045] 值得一提的是，第一预留区域及第二预留区域包含字母、数字、图形或符号其中的 一种或多种构成的标识信息，用于标记芯片，不以图示为限定。而且，预留区域设置的位置 可以根据实际需要来确定其在芯片各层中的位置，例如，当标识信息主要用于芯片的识别 时，那么预留区域的设置不需要与电极相对应，只要是设计在便于识别的位置即可。通过将 预留区域的信息设置为产品信息或公司信息(例如，公司的LOG)并设计在芯片的阻挡层、扩 散层和钝化层中的一层或多层形成不同的预留区域，这样不仅可以增加产品品牌识别度， 让使用者轻易识别芯片的生产厂家，而且可以实现芯片的防伪功能。此外，本实用新型不仅 能在识别芯片的阻挡层、扩散层和钝化层中的一层或多层形成不同的预留区域，也可以根 据芯片的不同，在芯片的任意一层或多层(例如，衬底、发光外延层和透明导电层中的一层 或多层)形成包含标识信息的预留区域，将特定标识信息承载于芯片中。
[0046] 实施例二
[0047] 本实用新型还提供一种识别芯片，如图14所示，识别芯片1包括:生长衬底101，发 光外延层102,透明导电层103,反射镜层104,阻挡层105，N电极扩散层106,钝化层107,电极 层 108〇
[0048]为便于理解，敬请再参阅图1至图14,如图所示，识别芯片包含：
[0049] 生长衬底101，本实施例中，生长衬底101可以为蓝宝石(Al2〇3)、硅(Si)或碳化硅 (SiC)中的一种。
[0050] 发光外延层102,形成于生长衬底101上表面。本实施例中，发光外延层102包含N-GaN发光外延层。发光外延层102包含的第一切割道区域2011和第一 N孔区域2021，至少一第 一 N孔区域2021位于P电极区域内。
[0051 ] 透明导电层103,形成于发光外延层102上表面，本实施例中，透明导电层103可以 为ΙΤ0层。透明导电层103包含第一切割道区域2011和第一N孔区域2021。
[0052]反射镜层104,形成于透明导电层103上表面，反射镜层104包含反射镜层区域，反 射镜层区域由除第二切割道区域2012和第二N孔区域2022以外的区域形成。第二切割道区 域2012的面积比第一切割道区域的面积2011大。本实施例中，阻挡层105可以为Si0 2阻挡 层。本实施例中的反射镜层104可以为反射镜P扩散层。第一 N孔区域2021位于于第二N孔区 域2022内。
[0053]阻挡层105,形成于反射镜层104上表面，阻挡层105包含第三N孔区域2023和第一 P 孔区域2031。第三N孔区域2023位于于第一N孔区域2021内。本实施例中，阻挡层105可以为 Si〇2阻挡层。本实施例中，N孔区域为两个分别位于P电极区域和N电极区域的圆形凹槽，深 度为直至透明导电层或反光镜层。
[0054] N电极扩散层106,形成于阻挡层105上表面，N电极扩散层106包含第三切割道区域 2013和第二P孔区域2032。本实施例中，P孔区域为位于P电极区域的长方形凹槽。第一 P孔区 域2031位于第二P孔区域2032内。
[0055] 钝化层107,形成于N电极扩散层106上表面，所述钝化层包含第一预留区域401及 第二预留区域402,第一预留区域401对应P孔区域，第一预留区域401位于第一 P孔区域2031 内。第二预留区域402位于N型电极区域502内，形状为字母"N"的形状。本实施例中的钝化层 107可以为Si02钝化层。
[0056] 电极层108包含P型电极和N型电极，分别形成于钝化层107上表面的P型电极区域 501和N型电极区域502。第一预留区域401和第二预留区域402分别设置于与P型电极区域 501和N型电极区域502相对应的特定位置。
[0057]值得一提的是，第一预留区域401及第二预留区域402用于区分实现芯片的识别功 能或防伪功能时，不以图示为限定，预留区域设置的位置可以根据实际需要来确定，其可以 位于在芯片各层中的一层或多层。
[0058]综上所述，（1)本实用新型于识别芯片的阻挡层、扩散层或钝化层中通过腐蚀、刻 蚀或剥离的方式形成不同的预留区域，可以将特定标识信息承载于芯片中，从而实现芯片 的识别功能。（2)通过将预留区域的信息设置为产品信息或公司信息(例如，公司的L0G)，这 样不仅可以让使用者轻易识别芯片的不同类型和生产厂家，而且可以增加产品品牌识别 度。（3)通过将预留区域设置于不同电极区域的特定位置，从而实现对芯片不同电极的标 识，可以更直观更有效的区分芯片的P电极和N电极，使之能适用于各种芯片，方便芯片生 产、检测流程中进行图形识别，以判别芯片的正确位置并引导机台动作，显著提高芯片鉴别 率和生产效率，降低废品率和生产成本。（4)通过将预留区域的信息设置为防伪信息（例如 编码），由于该防伪信息承载于芯片的内部，使得造假者难以轻易仿制，可以实现芯片的防 伪功能。（5)制作N电极扩散层，用于N孔区域的电性引出，增加电流在发光层的扩散。
[0059] 所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0060] 上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新 型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行 修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中包含通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精 神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
【主权项】
1. 一种识别芯片，其特征在于，所述识别芯片包含： 生长衬底； 发光外延层，形成于所述衬底上表面； 透明导电层，形成于所述发光外延层上表面； 反射镜层，形成于所述透明导电层上表面； 阻挡层，形成于所述反射镜层上表面，所述阻挡层具有N孔区域和P孔区域； N电极扩散层，形成于所述阻挡层上表面，所述N电极扩散层具有N孔区域； 钝化层，形成于所述阻挡层上表面，所述钝化层具有第一预留区域及第二预留区域，所 述第一预留区域对应P电极区域； 电极层，形成于所述钝化层上表面； 其中，所述第一预留区域、第二预留区域包含标识信息。2. 根据权利要求1所述的一种识别芯片，其特征在于:所述第一预留区域及第二预留区 域深度为 2000-15000μπι。3. 根据权利要求1所述的一种识别芯片，其特征在于:所述第一预留区域及第二预留区 域包含字母、数字、图形和符号其中的一种或多种构成的标识信息。4. 根据权利要求1至3任一所述的一种识别芯片，其特征在于:所述电极层包含Ρ型电极 和Ν型电极，形成于所述钝化层上表面，所述第一预留区域设置于Ρ电极区域，所述第二预留 区域设置于Ν电极区域，用于区别电极;所述第一预留区域的深度为直至透明导电层或反光 镜层，所述第二预留区域的深度为直至所述Ν电极扩散层。
【专利摘要】本实用新型提供一种识别芯片，所述识别芯片自下而上依次包含：生长衬底，发光外延层，透明导电层，反射镜层，阻挡层，N电极扩散层，钝化层，电极，所述钝化层具有第一预留区域及第二预留区域，所述第一预留区域对应所述P电极区域，所述第一预留区域、第二预留区域包含特定的标识信息。本实用新型提供一种识别芯片及其制作方法可用于解决现有技术中不同芯片或者芯片电极难以识别的问题。
【IPC分类】H01L33/48
【公开号】CN205194732
【申请号】CN201520864286
【发明人】杨杰, 常文斌, 林宇杰
【申请人】上海博恩世通光电股份有限公司
【公开日】2016年4月27日
【申请日】2015年11月2日