一种识别芯片的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种芯片，特别是一种识别芯片。
【背景技术】
[0002] 发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的生产、检测流程中使用的自动化机， 具体包括粘晶机(Die Bonder)、邦定机(Wire Bonder)及芯片检测机(Chip Prober)等均需 要图形识别(Pa11ern Recogni t ion)功能，以判别芯片的正确位置并引导机台动作。
[0003] LED芯片上的结构以金属电极最为明显易判读，因此在执行影像识别时一向以金 属电极的图形为依据。芯片表面粗化(Surface Roughen)及图案基板(Patterned Sapphire Substrate)等提高芯片亮度新技术的采用往往造成CCD影像灰阶的变化导致金属电极不易 区分。而且LED芯片的典型尺寸在0.22mm~0.35mm之间，LED芯片的电极结构更小，要进一步 快速区分N型和P型电极的难度更大，因此需要一个更好的方案识别LED芯片，区分芯片P、N 电极，并且适用于多种芯片。
[0004] 而且虽然芯片的厂家各有不同，但芯片尺寸规格基本一样，往往需要检测芯片的 各项电参、光参或者观测内部电路来区分品牌，鉴别起来比较麻烦。 【实用新型内容】
[0005] 鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种识别芯片及其制 作方法，用于解决现有技术中不同芯片或者芯片电极难以识别的问题。
[0006] 为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种识别芯片制作方法，包括 以下步骤：
[0007] 1)提供一外延结构，于所述外延结构上形成阻挡层，并于所述阻挡层刻蚀或腐蚀 形成N孔区域和P孔区域；
[0008] 2)制作N电极扩散层，用于N孔区域的电性引出；
[0009] 3)生长钝化层，对所述钝化层进行刻蚀或腐蚀形成第一预留区域及第二预留区 域，所述第一预留区域对应所述P孔区域；
[0010] 其中，所述第一预留区域及第二预留区域包含特定的标识信息。
[0011] 优选地，所述第一预留区域及第二预留区域深度为2000-15000μπι。
[0012] 优选地，所述第一预留区域及第二预留区域包含字母、数字、图形和符号其中的一 种或多种构成的标识信息。
[0013] 优选地，在步骤3)之后，还包括下列步骤：在所述钝化层上形成Ν型电极和Ρ型电 极，所述第一预留区域设置于所述Ρ电极区域，所述第二预留区域设置于所述Ν电极区域，用 于区别电极。
[0014] 优选地，所述第一预留区域的深度为直至透明导电层或反光镜层，所述第二预留 区域的深度为直至所述Ν电极扩散层。
[0015] 优选地，步骤3)包括步骤:3_1)于所述钝化层表面涂覆光刻胶;3-2)对所述光刻胶 进行图形化处理;3-3)依据图形化的光刻胶对所述钝化层进行刻蚀或腐蚀形成第一预留区 域及第二预留区域。
[0016]优选地，所述外延结构的制作方法包括以下步骤:1-1)提供一生长衬底，在所述衬 底上形成发光外延层；1-2)于所述发光外延层上形成透明导电层，然后刻蚀出切割道区域 和N孔区域;1-3)于所述透明导电层上制作反射镜层。
[0017] 优选地，步骤1-2)中，所述N孔区域的深度为直至所述发光外延层的N型层。
[0018] 本实用新型还提供了 一种识别芯片，自下而上依次包含：生长衬底；发光外延层， 形成于所述衬底上表面;透明导电层，形成于所述发光外延层上表面;反射镜层，形成于所 述透明导电层上表面;阻挡层，形成于所述外延结构上表面，所述阻挡层包含N孔区域和位 于P孔区域;N电极扩散层，形成于所述阻挡层上表面，所述N电极扩散层包含N孔区域;钝化 层，形成于所述阻挡层上表面，所述钝化层包含第一预留区域及第二预留区域，所述第一预 留区域对应所述P电极区域；电极层，形成于所述钝化层上表面。其中，所述第一预留区域、 第二预留区域包含特定的标识信息。
[0019] 优选地，所述第一预留区域及第二预留区域深度为2000-15000μπι。
[0020] 优选地，所述第一预留区域及第二预留区域包含字母、数字、图形和符号其中的一 种或多种构成的标识信息。
[0021] 优选地，所述电极层包含Ρ型电极和Ν型电极，形成于所述钝化层上表面，所述第一 预留区域设置于Ρ电极区域，所述第二预留区域设置于Ν电极区域，用于区别电极。所述第一 预留区域的深度为直至透明导电层或反光镜层，所述第二预留区域的深度为直至所述Ν电 极扩散层。
[0022] 如上所述，本实用新型的一种识别芯片及其制作方法，包含以下有益效果：
[0023] (1)于识别芯片的阻挡层、扩散层或钝化层中通过腐蚀、刻蚀或剥离的方式形成不 同的预留区域，可以将特定标识信息承载于芯片中，从而实现识别功能。
[0024] (2)通过将预留区域的信息设置为产品信息或公司信息（例如，公司的L0G)，这样 不仅可以让使用者轻易识别芯片的不同类型和生产厂家等，而且可以增加产品品牌识别 度。
[0025] (3)通过将预留区域设置于不同电极区域的特定位置，从而实现对芯片不同电极 的标识，可以更直观更有效的区分芯片的P电极和N电极，使之能适用于各种芯片，方便芯片 生产、检测流程中进行图形识别，显著提高芯片鉴别率和生产效率，降低废品率和生产成 本。
[0026] (4)通过将预留区域的信息设置为防伪信息（例如产品编码），由于该防伪信息承 载于芯片的内部，使得造假者难以轻易仿制，可以实现芯片的防伪功能。
[0027] (5)制作N电极扩散层，用于N孔区域的电性引出，增加电流在发光层的扩散。
【附图说明】
[0028]图1-13显示为本实用新型识别芯片的制作方法中依据各步骤呈现的识别芯片结 构示意图。
[0029]图14显示为本实用新型的识别芯片的各层分布示意图。
[0030] 元件标号说明
【具体实施方式】
[0032] 以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说 明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外 不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应 用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
[0033] 请参阅图1至14。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实 用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组 件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变， 且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0034] 实施例一
[0035] 如图1-13所示，本实用新型提供一种LED识别芯片的制作方法，制作方法至少包括 以下步骤：
[0036] 如图1所示，首先执行步骤S1，提供一生长衬底101，并于生长衬底101的上表面形 成一发光外延层102。本实施例中，生长衬底101可以为蓝宝石(Al 2〇3)，发光外延层102包含 N-GaN发光外延层。接着执行步骤S2。
[0037] 如图1和图2所示，在步骤S2中，于发光外延层102上表面形成透明导电层103。首 先，如图1所示，在发光外延层102表面采用蒸镀或溅射工艺形成一透明导电层103。然后，在 透明导电层103上形成一光刻胶层301，于光刻胶层301上分别定义出第一切割道区域2011 和第一 N孔区域2021，并通过显影的方式去除光刻胶层301中的第一切割道区域2011和第一 N孔区域2021。本实施例中，N孔区域的个数不小于两个，且至少一 N孔区域位于P电极区域。 [0038] 接着，过度腐蚀剩下的光刻胶层301至光刻胶层301内的2μπι~5μπι处，采用ICP干法 刻蚀第一切割道区域2011和第一 N孔区域2021直至露出发光外延层102,并继续向下刻蚀1μ m~2μπι。最后，如图3所示，去除光刻胶层301获得透明导电层103。本实施例中的透明导电层 103可以为ΙΤΟ层。接着执行步骤S3。
[0039] 如图4和图5所示，在步骤S3中，于透明导电层103上表面形成反射镜层104。具体来 说，首先，匀胶、涂覆形成一光刻胶层302,如图4所示，于光刻胶层302上定义出反射镜层区 域，反射镜层区域由除第二切割道区域2012和第二Ν孔区域2022以外的区域形成。然后，通 过显影的方式去除反射镜层区域的光刻胶，露出部分透明导电层103。接着，采用蒸镀或溅 射工艺形成反射镜层104,并通过金属剥离的方式将第二切割道区域2012和第二Ν孔区域 2022的金属剥离去除。最后，如图5所示，获得反射镜层104,其中，第二切割道区域2012和 第二Ν孔区域2022分别露出部分透明导电层103和部分发光外延层102。本实施例中的反射 镜层104为Ρ扩散层的反射镜层。接着执行步骤S4。
[0040] 如图6和图7所示，在步骤S4中，于反射镜层104上表面形成一阻挡层105。具体来 说，首先于反射镜层104上表面沉积阻挡层105,接着涂敷一光刻胶层303,如图6所示，于光 刻胶层303上定义出第三Ν孔区域2023和第一 Ρ孔区域2031。然后，通过显影的方式去除第三 Ν孔区域2023和第一 Ρ孔区域2031的光刻胶，露出部分阻挡层105。接着，通过腐蚀或刻蚀的 方式去除阻挡层中的第三Ν孔区域2023和第一Ρ孔区域2031，其中，第三Ν孔区域露出部分发 光外延层102,第一Ρ孔区域2031露出部分Ρ扩散层的反射镜层104。最后，如图7所不，去除光 刻胶303,获得阻挡层105。本实施例中，阻挡层105可以为Si0 2阻挡层。接着执行步骤S3。
[0041] 如图8和图9所示，在步骤S5中，于阻挡层105上表面形成N电极扩散层106。具体来 说，首先，匀胶、涂覆形成一光刻胶层304,如图8所示，于光刻胶层上定义出第三切割道区域 2013和第二P孔区域2032。接着，采用蒸镀或溅射工艺形成N电极扩散层106,并通过金属剥 离的方式将第三切割道区域2013和第二P孔区域2032的金属剥离去除。最后，如图9所示，获 得N电极扩散层