一种镀镍铜转锡极耳的制作方法
【专利说明】
[技术领域]
[0001]本实用新型涉及电子元器件技术领域，具体来说是一种用于超级电容器的镀镍铜转锡极耳。
[【背景技术】]
[0002]超级电容器是一种具有快速充电、高比功率、长寿命、相对较高能量密度的新型储能器件，包括在电子产品、新能源汽车、新型能源(太阳能、风能等)/智能电网储能等领域有重要的应用。超级电容器根据外包装材料的不同分为硬包超级电容器及软包超级电容器。
[0003]软包超级电容器通常用铜极耳作为负极极耳，铝极耳作为正极极耳。极耳在超级电容器中主要起传导电流及与外部电路连接等作用，提高其耐折性、易加工性及导电性十分重要。目前大多数超级电容器在制造过程中为了改善应用环境、拓宽应用领域，通常采用正极铝转镍技术，包括铆接、超声焊、激光焊等，而后根据实际需求，再进行转锡或其他金属焊接。这种操作流程无疑加大了生产的工序及成本，降低了生产效率。
[【实用新型内容】]
[0004]本实用新型是针对现有的软包超级电容器中极耳制作复杂、使用寿命较短的技术问题，提供一种易于操作、耐折性好、便于加工、导电性好的镀镍铜转锡极耳。
[0005]为了实现上述目的，设计一种镀镍铜转锡极耳，包括镀镍铜极耳、锡带和镀镍铜带，镀镍铜极耳含有极耳胶的一端和电芯焊接，另一端设有第一焊接部，锡带上设有第二焊接部，第一焊接部和第二焊接部采用镀镍铜带固定贴紧，镀镍铜带采用超声焊接将第一焊接部和第二焊接部紧紧的连接在一起。
[0006]所述的第一焊接部和第二焊接部上用镀镍铜带连接。
[0007]所述的镀镍铜极耳和锡带都是长条状结构。
[0008]本实用新型同现有技术相比，其优点在于:
[0009]本实用新型中的铜转镍极耳结构设计合理，用镀镍铜加强带紧紧箍于镀镍铜极耳外端部和锡端部，一次性完好的实现了铜转锡，提高了铜转锡的耐折性，减少在实际使用过程中多次弯折带来的损坏和损失，减少了生产工序，大大节省了生产成本，可为后期的加工操作提供便利，增强了极耳强度的同时没有使电阻增加，大大有利于在实际中的应用。
[【附图说明】]
[00?0]图1是本实用新型的结构不意图；
[0011 ]图中:1.镀镍铜极耳2.锡带3.镀镍铜带。
[【具体实施方式】]
[0012]下面结合附图对本实用新型作进一步说明，这种结构和原理对本专业的人来说是非常清楚的。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0013]如图1所示，本实用新型镀镍铜转锡极耳，其中镀镍铜极耳和锡带都是长条状结构，在镀镍铜极耳含有极耳胶的一端和电芯焊接，另一端和锡带分别设置有焊接的第一焊接部和第二焊接部。第一焊接部和第二焊接部上涂覆一层极耳胶。
[0014]在焊接时，将上述的第一焊接部和第二焊接部用镀镍铜带固定贴紧。在彼此连接好的两个部分用镀镍铜带采用超声焊接，将第一部分和第二部分紧紧的连接在一起，而后连接成一个整体的极耳翻过来，再将另一侧紧紧箍紧。这种方式增强了极耳的强度，也没有增加内阻，大大有利于在实际中的应用。
[0015]另外，这种方式不仅适合软包超级电容器极耳，还适用于锂离子电池极耳等，并适用于其他场合的铜转锡。同时，这种方法不仅适用于镀镍铜转锡，还可以用作镀镍铝转锡，铜转镍，铝转镍等。极耳的厚度在0.1-0.5mm和宽度2-10mm内可以做调整，镀镍铜带的焊接宽度也可以做适当调整，既能够满足结构设计要求，又能达到焊接要求，都可以使用这种方法制作极耳。
【主权项】
1.一种镀镍铜转锡极耳，包括镀镍铜极耳、锡带和镀镍铜带，其特征在于镀镍铜极耳含有极耳胶的一端和电芯焊接，另一端设有第一焊接部，锡带上设有第二焊接部，第一焊接部和第二焊接部采用镀镍铜带固定贴紧，镀镍铜带采用超声焊接将第一焊接部和第二焊接部紧紧的连接在一起。2.如权利要求1所述的一种镀镍铜转锡极耳，其特征在于所述的第一焊接部和第二焊接部上用镀镍铜带连接。3.如权利要求1所述的一种镀镍铜转锡极耳，其特征在于所述的镀镍铜极耳和锡带都是长条状结构。
【专利摘要】本实用新型涉及电子元器件技术领域，具体来说是一种用于超级电容器的镀镍铜转锡极耳，包括镀镍铜极耳、锡带和镀镍铜带，镀镍铜极耳含有极耳胶的一端和电芯焊接，另一端设有第一焊接部，锡带上设有第二焊接部，第一焊接部和第二焊接部采用镀镍铜带固定贴紧，镀镍铜带采用超声焊接将第一焊接部和第二焊接部紧紧的连接在一起。本实用新型中结构设计合理，用镀镍铜加强带紧紧箍于镀镍铜极耳外端部和锡端部，一次性完好的实现了铜转锡，提高了铜转锡的耐折性，减少在实际使用过程中多次弯折带来的损坏和损失，减少了生产工序，大大节省了生产成本，为后期的加工操作提供便利，增强了极耳强度的同时没有使电阻增加，大大有利于在实际中的应用。
【IPC分类】H01G11/24
【公开号】CN205230842
【申请号】CN201521071930
【发明人】茅国云, 刘永环, 黄廷立, 吴明霞, 颜亮亮, 虞嘉菲, 安仲勋
【申请人】上海奥威科技开发有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月21日