8]【实施例二】
[0039]请参考图4，其为本实用新型实施例二的OLED显示器部分结构剖面示意图。如图4所示，所述OLED显示器4包括:玻璃基板40，形成于所述玻璃基板40上的绝缘层41。进一步的，所述绝缘层41包括形成于所述玻璃基板40上的氮化硅层41a以及形成于所述氮化硅层41a上的氧化硅层41b。在本申请实施例中，所述绝缘层41为第一绝缘层，在所述氮化硅层41a和所述氧化娃层41b之间形成有导电层DDL2。
[0040]其中，所述导电层DDL2为由导电材料形成的膜层。优选的，所述导电层DDL2为多晶硅层，即由材料多晶硅形成的膜层。多晶硅材料形成的导电层DDL2不仅具有很好的电磁屏蔽作用，同时其也是制造OLED显示器中常用的材料，对于材料的获取与使用也更加方便。
[0041]在本申请实施例中，所述导电层DDL2呈网格结构。进一步的，网格结构的导电层中的每一网格包围一组源极、漏极及栅极，即网格结构的导电层中的每一网格包括一个薄膜晶体管。为了制造工艺的简便以及取得更佳的屏蔽效果，所述网格结构的导电层中的每一网格可包括一个像素。具体的，可参考图5，其为本实用新型实施例二中导电层与薄膜晶体管(或者像素)之间位置关系的示意图，需说明的是，图5没有采用与图4相同的比例，其仅为了说明导电层与薄膜晶体管(或者像素)之间的位置关系。由图5所示，可以很清楚的看到导电层DDL2呈网格结构，在此每一网格包围了一个像素PIX。所述导电层DDL2采用网格结构既能更好的满足电磁屏蔽的作用，防止高频干扰，同时还能大量节省导电材料。
[0042]在本申请实施例中，所述OLED显示器4还包括:形成于第一绝缘层41上的源极42、漏极43以及源漏极之间的沟道44，覆盖所述源极42、漏极43以及沟道44的第二绝缘层45，形成于所述第二绝缘层45上的栅极46及扫描线47。这些结构均可采用现有技术，本申请实施例对此不再赘述。
[0043]进一步的，所述导电层DDL2的厚度与所述第一绝缘层41的厚度处于同一数量级。在此基础上，所述导电层DDL2即可取得较佳的电磁屏蔽效果。
[0044]【实施例三】
[0045]请参考图6，其为本实用新型实施例三的OLED显示器部分结构剖面示意图。如图6所示，所述OLED显示器5包括:玻璃基板50，形成于所述玻璃基板50上的绝缘层51。在本申请实施例中，在所述玻璃基板50和所述绝缘层51之间形成有导电层DDL3。进一步的，所述绝缘层51为第一绝缘层，所述第一绝缘层51包括形成于所述导电层DDL3上的氮化硅层51a以及形成于所述氮化娃层5 Ia上的氧化娃层5 Ib。
[0046]其中，所述导电层DDL3为由导电材料形成的膜层。优选的，所述导电层DDL3为多晶硅层，即由材料多晶硅形成的膜层。多晶硅材料形成的导电层DDL3不仅具有很好的电磁屏蔽作用，同时其也是制造OLED显示器中常用的材料，对于材料的获取与使用也更加方便。
[0047]在本申请实施例中，所述导电层DDL3呈一面整体结构。所述导电层DDL3采用一面整体结构具有制造工艺方便的优点，其只需进行一层成膜工艺即可。
[0048]在本申请实施例中，所述OLED显示器5还包括:形成于第一绝缘层51上的源极52、漏极53以及源漏极之间的沟道54，覆盖所述源极52、漏极53以及沟道54的第二绝缘层55，形成于所述第二绝缘层55上的栅极56及扫描线57。这些结构均可采用现有技术，本申请实施例对此不再赘述。
[0049]进一步的，所述导电层DDL3的厚度与所述第一绝缘层51的厚度处于同一数量级。在此基础上，所述导电层DDL3即可取得较佳的电磁屏蔽效果。
[0050]【实施例四】
[0051]请参考图7，其为本实用新型实施例四的OLED显示器部分结构剖面示意图。如图7所示，所述OLED显示器6包括:玻璃基板60，形成于所述玻璃基板60上的绝缘层61。在本申请实施例中，在所述玻璃基板60和所述绝缘层61之间形成有导电层DDL4。进一步的，所述绝缘层61为第一绝缘层，所述第一绝缘层61包括形成于所述导电层DDL4上的氮化硅层61a以及形成于所述氮化娃层61a上的氧化娃层61b。
[0052]其中，所述导电层DDL4为由导电材料形成的膜层。优选的，所述导电层DDL4为多晶硅层，即由材料多晶硅形成的膜层。多晶硅材料形成的导电层DDL4不仅具有很好的电磁屏蔽作用，同时其也是制造OLED显示器中常用的材料，对于材料的获取与使用也更加方便。
[0053]在本申请实施例中，所述导电层DDL4呈网格结构。进一步的，网格结构的导电层中的每一网格包围一组源极、漏极及栅极，即网格结构的导电层中的每一网格包括一个薄膜晶体管。为了制造工艺的简便以及取得更佳的屏蔽效果，所述网格结构的导电层中的每一网格可包括一个像素。所述导电层DDL4采用网格结构既能更好的满足电磁屏蔽的作用，防止高频干扰，同时还能大量节省导电材料。
[0054]在本申请实施例中，所述OLED显示器6还包括:形成于第一绝缘层61上的源极62、漏极63以及源漏极之间的沟道64，覆盖所述源极62、漏极63以及沟道64的第二绝缘层65，形成于所述第二绝缘层65上的栅极66及扫描线67。这些结构均可采用现有技术，本申请实施例对此不再赘述。
[0055]进一步的，所述导电层DDL4的厚度与所述第一绝缘层61的厚度处于同一数量级。在此基础上，所述导电层DDL^P可取得较佳的电磁屏蔽效果。
[0056]上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。
【主权项】
1.一种OLED显示器，其特征在于，包括:玻璃基板，形成于所述玻璃基板上的绝缘层，其中，所述玻璃基板与所述绝缘层之间或者所述绝缘层中形成有导电层。2.如权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述绝缘层包括形成于所述玻璃基板上的氮化硅层以及形成于所述氮化硅层上的氧化硅层。3.如权利要求2所述的OLED显示器，其特征在于，所述导电层形成于所述氮化硅层和所述氧化硅层之间。4.如权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述导电层为多晶硅层。5.如权利要求1?4中任一项所述的OLED显示器，其特征在于，所述导电层呈一面整体结构。6.如权利要求1?4中任一项所述的OLED显示器，其特征在于，所述导电层呈网格结构。7.如权利要求6所述的OLED显示器，其特征在于，所述绝缘层为第一绝缘层。8.如权利要求7所述的OLED显示器，其特征在于，还包括:形成于所述第一绝缘层上的源极、漏极以及源漏极之间的沟道，覆盖所述源极、漏极以及沟道的第二绝缘层，形成于所述第二绝缘层上的栅极及扫描线。9.如权利要求8所述呃OLED显示器，其特征在于，网格结构的导电层中的每一网格包围一组源极、漏极及栅极。10.如权利要求1?4中任一项所述的OLED显示器，其特征在于，所述导电层的厚度与所述绝缘层的厚度处于同一数量级。
【专利摘要】本实用新型提供了一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：玻璃基板，形成于所述玻璃基板上的绝缘层，其中，所述玻璃基板与所述绝缘层之间或者所述绝缘层中形成有导电层。在本实用新型提供的OLED显示器中，玻璃基板与绝缘层之间或者绝缘层中形成有导电层，通过所述导电层可以起到电磁/电流屏蔽的作用，从而避免了控制电路或者扫描线对于薄膜晶体管的干扰，进而避免了不希望出现的彩色伪影，提高了OLED显示器的显示质量。
【IPC分类】H01L27/32
【公开号】CN205231069
【申请号】CN201521131095
【发明人】王龙, 陈心全, 朱修剑, 葛明伟
【申请人】昆山国显光电有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月30日