一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管，包括发射极端面、P型半导体、N型半导体中的电子，所述发射极端面上端设置着集电极端面；所述集电极端面外部包裹着P型半导体；所述P型半导体端面镶嵌着N型半导体；所述P型半导体中的空穴通过PN结连接着N型半导体中的电子；所述N型半导体中的电子下端设置着电荷的偶极层；所述电荷的偶极层外端面安装有电容；所述电容与芯片本体相连接。本实用新型结构简单、设计合理、操作简便，有效的将芯片晶体管生产实际，实现了晶体管对数据处理，而且生产成本较低，适合运用推广。
【专利说明】
一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管
技术领域
[0001]本实用新型属于自动机配件设备领域，具体涉及一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管。
【背景技术】
[0002]目前，我国二极管设备行业发展迅速，用于二极管的设备也多种多样，但是仍然面临着很多方面的挑战，需求寻找满足客户的解决方案。申请号:201210383748.5的中国专利文献报道了一种兼容集成制造硅晶体二极管，具体内容为:本发明公开了一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法。它包括如下步骤:在N-/N+型硅片的N-面上氧化、光刻、扩散入P型杂质，形成硅晶体三极管的P+型基区(B)和硅晶体二极管的P+型正极(+)区；在硅晶体三极管的P+型基区(B)上定域扩散入N型杂质，形成三极管的发射区(E)，同时于硅晶体二极管的P+型正极(+ )区周围选择扩散入N+型杂质，形成硅晶体二极管的负极(-)区；在各杂质扩散区上光刻开出引线孔、蒸发铝金属、光刻电极内引线、合金，制成硅晶体二极管三极管的集成芯片。本发明简化了集成工艺流程，降低生产成本，提高产品性价比本新型结构含有上述专利有的优点，但是上述专利对智能手机芯片进行快速数据数据处理，做到高速运行。综上所述，所以我设计了一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管。
【发明内容】
[0003]为了解决上述存在的问题，本实用新型提供一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管。
[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现:
[0005]—种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管，包括发射极端面、P型半导体、N型半导体中的电子，所述发射极端面上端设置着集电极端面;所述集电极端面外部包裹着P型半导体;所述P型半导体端面镶嵌着N型半导体;所述P型半导体中的空穴通过PN结连接着N型半导体中的电子;所述N型半导体中的电子下端设置着电荷的偶极层;所述电荷的偶极层外端面安装有电容;所述电容与芯片本体相连接;所述芯片本体外端面通过电荷的偶极层与PN结相连接。
[0006]作为本实用新型的进一步优化方案，所述芯片本体设置在所述电荷的偶极层外部;所述电荷的偶极层上表面安装有所述集电极端面；所述集电极端面通过P型半导体连接着所述集电极端面。
[0007]作为本实用新型的进一步优化方案，所述P型半导体通过PN结与所述N型半导体相连接;所述N型半导体连接着所述N型半导体中的电子;所述N型半导体中的电子端面设置着所述电荷的偶极层。
[0008]作为本实用新型的进一步优化方案，所述电荷的偶极层上端设置着所述电容;所述电容端面连接着所述N型半导体中的电子;所述N型半导体中的电子安装在所述P型半导体中的空穴端面。
[0009]与现有的技术相比，本实用新型的有益效果是:本实用新型结构简单、设计合理、操作简便，有效的对智能手机芯片进行高速处理，实现了快速运行的作用，而且生产成本较低，适合运用推广。
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型的结构主视图；
[0011]图中:1、发射极端面;2、集电极端面;3、P型半导体;4、N型半导体;5、P型半导体中的空穴;6、PN结;7、N型半导体中的电子;8、电荷的偶极层;9、电容;10、芯片本体。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图与【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细描述:
[0013]如图1所示，一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管，包括发射极端面
(1)、P型半导体(3)、N型半导体中的电子(7)，所述发射极端面(I)上端设置着集电极端面
(2);所述集电极端面(2)外部包裹着P型半导体(3);所述P型半导体(3)端面镶嵌着N型半导体(4);所述P型半导体中的空穴(5)通过PN结(6)连接着N型半导体中的电子(7);所述N型半导体中的电子(7)下端设置着电荷的偶极层(8);所述电荷的偶极层(8)外端面安装有电容
(9);所述电容(9)与芯片本体(10)相连接;所述芯片本体(10)外端面通过电荷的偶极层(8)与PN结(6)相连接。
[0014]所述芯片本体(10)设置在所述电荷的偶极层(8)外部;所述电荷的偶极层(8)上表面安装有所述集电极端面(2);所述集电极端面(2)通过P型半导体(3)连接着所述集电极端面(2);所述P型半导体(3)通过PN结(6)与所述N型半导体(4)相连接;所述N型半导体(4)连接着所述N型半导体中的电子(7);所述N型半导体中的电子(7)端面设置着所述电荷的偶极层(8);所述电荷的偶极层(8)上端设置着所述电容(9);所述电容(9)端面连接着所述N型半导体中的电子(7);所述N型半导体中的电子(7)安装在所述P型半导体中的空穴(5)端面。
[0015]所述本新型结构安装有发射极端面、PN结，所述发射极端面是指半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流;所述PN结是指采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区，由此实现手机芯片的数据处理。
[0016]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管，其特征在于:包括发射极端面、P型半导体、N型半导体中的电子，所述发射极端面上端设置着集电极端面;所述集电极端面外部包裹着P型半导体;所述P型半导体端面镶嵌着N型半导体;所述P型半导体中的空穴通过PN结连接着N型半导体中的电子;所述N型半导体中的电子下端设置着电荷的偶极层;所述电荷的偶极层外端面安装有电容;所述电容与芯片本体相连接;所述芯片本体外端面通过电荷的偶极层与PN结相连接。2.根据权利要求1所述的一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管，其特征在于:所述芯片本体设置在所述电荷的偶极层外部;所述电荷的偶极层上表面安装有所述集电极端面；所述集电极端面通过P型半导体连接着所述集电极端面。3.根据权利要求1所述的一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管，其特征在于:所述P型半导体通过PN结与所述N型半导体相连接;所述N型半导体连接着所述N型半导体中的电子;所述N型半导体中的电子端面设置着所述电荷的偶极层。4.根据权利要求1所述的一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管，其特征在于:所述电荷的偶极层上端设置着所述电容;所述电容端面连接着所述N型半导体中的电子;所述N型半导体中的电子安装在所述P型半导体中的空穴端面。
【文档编号】H01L25/00GK205428947SQ201520952973
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年11月26日
【发明人】罗开正
【申请人】深圳网时代科技有限公司