专利名称：过电流保护电路、电机驱动电路以及半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及过电流保护电路、电机驱动电路以及半导体装置，详细地来说，涉及在单极(半波)驱动的步进电机驱动器中，防止输出电流检测用电阻短路时过电流流过功率晶体管，并能够继续功率晶体管的驱动动作的过电流保护电路。
背景技术：
单极驱动的步进电机驱动器(脉冲模式驱动器)，通过用一相驱动、一相—两相驱动或者两相驱动等将电机的定子侧依次励磁，来使突起形状的转子旋转给定的旋转角。
流过用于励磁各个定子的驱动电流的驱动器，分别与各相对应着设置有功率晶体管(输出段晶体管)，该功率晶体管被对与电源线连接且卷绕在定子上的线圈(励磁线圈)串联。该各相对应设置的功率晶体管，通过被在给定的时刻导通/截止(ON/OFF)，从而定子被依次励磁，驱动步进电机。
某相的功率晶体管导通后，因由该相的励磁线圈的电感和功率晶体管等的阻抗决定的给定时间常数的过渡现象，导通期间的驱动电流不断增加。为了将该增加量限制在给定值之内，通过使功率晶体管导通后在给定期间后截止，来控制为功率晶体管中不会流有过电流。因此，功率晶体管被脉冲驱动，各相被ON/OFF的“H”(高电平)、“L”(低电平)的逻辑值脉冲斩波。
作为这种脉冲驱动控制之一，公知有用定时电路设定导通期间来进行控制的斩波(chopper)控制的三相电机驱动器及其IGBT功率晶体管的保护电路(专利文献1)。
如该专利文献1(特开平11-112313号)所示，这种驱动器的过电流保护电路，由检测输出电流的电流检测电路和停止功率晶体管的驱动的过电流检测电路构成。电流检测电路，通常与功率晶体管串联设置。过电流检测电路，根据在输出段功率晶体管的输出电流值为给定值以上的过电流时所得到的来自电流检测电路的检测信号动作，来限制输出电流值。
用于上述过电流检测(或者限制输出电流)的电流检测电路，与功率晶体管串联设置有1Ω以下的小电阻，是最简单的电路。但是，在该电流值检测电阻短路时，过电流保护电路(或电流限制电路)不起作用。因此，存在功率晶体管会被破坏的问题。
此外，除了电流值检测电阻短路的情况，在电流检测电路中发生不产生电流检测信号的故障时，同样过电流保护电路也不起作用。
专利文献1特开平11-112313号公报。
发明内容
本发明的目的在于解决上述现有技术的问题，提供一种能在电流值检测电阻短路时防止功率晶体管中流过过电流，并继续功率晶体管的驱动动作的过电流保护电路、电机驱动电路或者半导体装置。
本发明的另一目的在于，提供一种能在电流值检测电阻短路时防止功率晶体管中流过过电流，并能继续功率晶体管的驱动动作的可靠性高的电机驱动电路或半导体装置。
本发明的再另一目的在于，提供一种过电流保护电路、电机驱动电路或者半导体装置，除了电流值检测电阻短路时，在输出电流检测用电路发生故障时，也能防止过电流流过功率晶体管，并继续功率晶体管的驱动动作。
为了达到上述目的，本发明的过电流保护电路、电机驱动电路或者半导体装置的结构如下，是半导体电路中的过电流保护电路，具备电流输出的功率晶体管；第1输出电流检测电路；以及电流限制电路，其在功率晶体管的输出电流达到规定值时，根据来自输出电流检测电路的第1检测信号，使功率晶体管的输出电流在规定期间停止，从而限制输出电流，所述过电流保护电路具有输出电流检测晶体管，其与功率晶体管电流镜连接；
第2输出电流检测电路，其根据输出电流达到超过规定值的给定值时的输出电流检测晶体管的输出电流，产生第2检测信号，根据第2检测信号，使电流限制电路工作，来使功率晶体管的输出电流在规定期间停止。
发明效果总之，由于输出电流检测电路的输出电流值检测电阻，通常采用1Ω以下的电阻阻值小的电阻，因此即使该电阻短路变为0Ω(电阻的端子电压为零电压)，除了过电流保护电路或电流限制电路不起作用这点之外，对驱动电路全体的动作几乎没有影响。因这种故障导致的驱动电路无效是不能容忍的。而且，输出电流检测电阻通常为外置电阻，因此这种故障比较多。
因此，在本发明中，除了输出电流检测电路外，设置有与功率晶体管电流镜连接的输出电流检测晶体管，来使电流限制电路工作并以其他的电路路径进行过电流保护，且使用已存在的电流限制电路。
由此，用于斩波控制的电流限制电路、和过电流保护电路这两个系统，构成两段保护电路。
特别是如电机驱动电路那样，励磁线圈被与功率晶体管串联连接，输出电流检测电路是与功率晶体管串联的电阻时，该电阻即使短路，端子电压为零(或者即使输出电流检测电路发生故障而电阻的端子电压接近零电压)，本发明中，如上述的结构构成两个系统的保护电路。因此，即使继续使用设置有本发明的过电流保护电路的电机驱动器IC，也能照常使用，且能够防止过电流，因此不会破坏功率晶体管。由此，即使在这种故障中，也能够防止电机驱动电路瘫痪。
这里的规定值，对应的不是过电流保护，而是对电机驱动电路进行斩波驱动时限制电流值的设计值。从这一点来看，过电流保护电路，原本是为了防止IC的破坏而设置，而这里，将该过电流保护电路的动作设定为接近于电流限制电路，在电流限制电路侧的动作不能实施时，作为电流限制电路工作。因此，超过此时的规定值的给定值，被设定为即使功率晶体管继续电机驱动动作也不会产生问题的范围内。例如这里，为比进行电流限制的电流值高5％～10％左右的范围。
由于电机驱动的功率晶体管的规定值，与通常的功率晶体管的电路的驱动同样，设定为对长时间驱动中的界限值具有裕量来限制电流的设计值，因此将电机驱动电路的输出电流设定为高5％～10％左右的范围也几乎不会产生问题。
其结果，能够提供一种即使在输出电流值检测电阻短路时，再有即使输出电流检测用的电路发生故障时，也能防止过电流流过输出段的功率晶体管，能够继续功率晶体管的驱动动作的过电流保护电路。还有，能够容易地实现可靠性高的电机驱动电路以及半导体装置。
图1是应用本发明的过电流保护电路的一个实施例的单极驱动的步进电机驱动器的框图。
图2是其驱动时序图。
图3是本发明的另一实施例的说明图。
图中1a、1b、1c、1d-单相驱动电路；2a、2b、2c、2d-输出端子；3、4-N沟道MOSFET功率晶体管；5-电流限制电路；5a-比较器；6-过电流检测电路；6a-电流镜电路；7-斩波脉冲发生电路；8-OFF定时电路；9-相励磁信号生成电路；10-步进电机驱动器IC；11a、11b、11c、11d-励磁线圈；12-电源；R0、Rs、电阻R1～R3-电阻；Q1～Q3-双极晶体管；D-续流二极管。
具体实施例方式
图1是应用本发明的过电流保护电路的一个实施例的单极驱动的步进电机驱动器的框图，图2是其驱动时序图，图3是本发明的另一实施例的说明图。
在图1中，10中，励磁线圈是四个单极驱动的步进电机驱动器IC。其中，设有单相驱动电路1a、1b、1c、1d，各个输出端子2a、2b、2c、2d分别与步进电机11的励磁线圈11a、11b、11c、11d连接。
这些励磁线圈11a、11b、11c、11d，与电源(电池)12的电源线13连接，通过该线接受电力供给。另外，在各励磁线圈11a、11b、11c、11d中，分别并联连接有续流二极管D。
此外，电源12，经端子2e将电力提供给IC内部的稳压器电路(REG)2，经REG2将稳压后的给定电压例如12V的电力，送出到内部电源线+VDD。
由于单相驱动电路1a、1b、1c、1d，分别由相同的电路构成，因此只对单相驱动电路1a表示详细内容。以下，对单相驱动电路1a进行说明，单相驱动电路1b、1c、1d相同，故省略其说明。
单相驱动电路1a，由N沟道MOSFET功率晶体管3、输出电流检测用的N沟道MOSFET晶体管4、电流限制电路5以及过电流检测电路6构成。另外，为了便于说明，各单相驱动电路的电流限制电路5，置于单相驱动电路1a的虚线框外。
功率晶体管3中，漏极与输出端子2a连接，输出端子2a中输出励磁电流。晶体管4中，漏极与输出端子2a连接，并与功率晶体管3电流镜连接。另外，输出端子2a的输出电流，为从励磁线圈11a向该输出端子2a吸收(sink)的电流。
功率晶体管3的源极侧，经由端子2f与安装在IC外部的输出电流检测用的电阻Rs连接，并经由该电阻接地。
晶体管4和功率晶体管3的沟道宽度(栅极宽度)之比，被设定为1∶N(N为2以上的数)。因此，流过励磁线圈11a的输出电流的1/(N+1)的电流，流过晶体管4。
电流限制电路5，由电阻R0、比较器5a以及基准电压发生电路5b构成。另外，这里的电阻R0外置于IC，并构成输出电流检测电路。在上述说明中为了方便，将电阻R0作为电流限制电路5的一部分，但即使将电阻R0作为电流限制电路5的一部分来处理、或作为独立的电路来处理，实质上也没有差别。
电阻R0，连接在端子2f和比较器5a的(+)输入端子之间，基准电压发生电路5b，设置于IC外部，经由端子2g与比较器5a的(-)输入端子连接，将基准电压VREF施加给(-)输入端子。
在此，若设出现在电阻R0和比较器5a的连接点N的电压为Vs，则随功率晶体管3的输出电流增加，功率晶体管3上产生电压Vs超过基准电压VREF的输出电流时，也即输出电流为规定值时，比较器5a产生检测脉冲S。该检测脉冲S，被施加在斩波脉冲发生电路7上，将“H”斩波脉冲P关断(从“H”变为“L”)，同时驱动OFF定时电路8。由此，功率晶体管3截止(其工作后述)。
另外，在此，R0＞＞Rs。R0为电阻R0的电阻值，Rs为电阻Rs的电阻值，为1Ω以下的值，例如0.3Ω左右。
斩波脉冲P的停止时间(“L”的期间)，由OFF时间设定的OFF定时电路8计数，一定期间后(参照图2(b)的TOFF)，例如15μsec后斩波脉冲P从“L”变为“H”。该斩波脉冲P，例如为在30μsec～50μsec左右的范围中选择的期间之间为“H”的脉冲。即斩波脉冲P，在常规状态下“H”的脉冲根据检测脉冲S变为“L”，一定时间后变为“H”，通过这样作为斩波脉冲生成。
其结果，电流限制电路5，在由电阻Rs的端子所引起的连接点N的电压Vs超过电压VREF时，停止驱动电流，来限制功率晶体管3的输出电流。从这点来看，电流限制电路5，是为了在比由过电流检测电路6实现的电流限制低的输出电流值(规定值)中对功率晶体管3的输出电流进行斩波控制来实施限制的电路。对电流进行限制的意思是，设置为兼有过电流保护电路的作用。
常规状态下“H”的斩波脉冲P，被送出到相励磁信号生成电路9，例如在相励磁信号生成电路9中，采用通过与门(AND gate)与单相驱动电路1a的栅极驱动脉冲的“H”与的逻辑，输出到功率晶体管3的栅极(参照图2(a)、(b))。因此，在栅极驱动脉冲的“H”期间、以给定频率断续的斩波脉冲(与斩波脉冲P对应)，被从相励磁信号生成电路9施加到功率晶体管3和晶体管4的公共栅极上。斩波脉冲P为“L”时，栅极驱动脉冲为“L”，功率晶体管3被截止，对步进电机11的励磁线圈11a的驱动电流停止。
在此，由于续流二极管D与各个励磁线圈并联设置，因此流过各个励磁线圈11a、11b、11c、11d的各个电流，在斩波脉冲P为“L”的OFF期间通过续流二极管D流动。该电流，是由斩波脉冲P的ON期间和OFF期间的关系决定的平均的电流。
在此，斩波脉冲发生电路7和OFF定时电路8，与单相驱动电路1a、1b、1c、1d对应着公共设置，通过这些电路，对应各个单相驱动电路1a、1b、1c、1d的励磁线圈驱动来分别生成斩波脉冲P，并发送到相励磁信号生成电路9。
相励磁信号生成电路9中，将各励磁线圈，根据单相驱动、1相-2相驱动、2相驱动等，以给定的时序生成单相驱动电路1a、1b、1c、1d的各个功率晶体管3的栅极驱动脉冲，产生“H”、“L”的栅极驱动脉冲，再有，为了限制驱动电流，各个栅极脉冲的“H”期间分别通过各个斩波脉冲P被斩波。
过电流检测电路6，由电阻R1、NPN双极晶体管Q1、电阻R2以及PNP双极晶体管Q2、Q3所构成的电流镜电路6a构成。电阻R1，连接在晶体管4的源极与地GND之间。
晶体管Q1，为过电流检测用的晶体管，其发射极与地GND连接，其集电极经由电阻R2与晶体管Q2的集电极连接。晶体管Q1的基极，与晶体管4的源极连接，电阻R1的端子电压Vb供给到晶体管Q1的基极。因此，端子电压Vb超过1Vf(＝0.7V，基极-发射极间正方向电压)时，晶体管Q1导通，检测出过电流。
晶体管Q2，为二极管连接的电流镜的输入侧的晶体管，其发射极侧，与输出侧晶体管Q3的发射极和电源线+VDD连接，输出侧晶体管Q3的集电极连接在电阻R0与比较器5a的(+)输入端子的连接点N上。
因此，在该过电流检测电路6工作时，从输出侧晶体管Q3的集电极输出的电流向连接点N、电阻R0、电阻RS以及地GND流动，在连接点N上产生比基准电压VREF高的电压。
接下来，根据图2说明过电流检测电路6的动作。另外，该驱动时序图中，前半波形为常规状态的动作，后半波形为检测电阻Rs短路的状态。
图2(a)为单相驱动电路1a的栅极驱动脉冲，在栅极驱动脉冲为“H”期间，功率晶体管3被斩波驱动。图2(b)为该斩波脉冲P，在该脉冲的“H”期间，驱动电流向步进电机11的励磁线圈11a流动，因此输出端子2a的输出电压Vout如图2(c)所示。
通过电流限制电路5的动作，通常，施加在比较器5a的(+)输入端子上的连接点N的电压Vs，为上升到VREF然后下降到地GND的电压(参照图2(d))。但是，电阻Rs短路时(电阻Rs的端子电压为电压零时)，第二个后的波形(后半波形)消失。此时，由于在端子2f上不产生电压，因此如果保持这样，则连接点N的电压Vs，等价于连接点N下降到地GND。这一阶段中，由于过电流检测电路6仍不工作，因此即使电阻R0设置在连接点N与端子2f之间，电阻R0上也实质上不流过电流。而且，此时电流限制电路5不进行电流限制动作。因此，如图2(c)所示，输出端子2a的输出电压Vout上升。
其结果，电阻Rs短路时，通过电流限制电路5限制的电流以上的输出电流，流过功率晶体管3。
此时，例如若流过超过2.6A的电流时，与此相应的电流流过晶体管4，使电阻R1的端子电压Vb上升(参照图2(e))。另外，设功率晶体管3的最大额定电流，为3.0A(＞2.6A)。
该端子电压Vb超过1Vf时，过电流检测电路6工作，过电流检测用晶体管Q1导通，使电流镜电路6a工作，从电流镜的输出侧晶体管Q3流出电流I，该电流通过电阻R0、短路的电阻Rs向地GND流动(参照图2(f))。此时的电阻R0的电阻值，被设定为通过电流I连接点N的电压Vs成为超过电压VREF的电压。
其结果，比较器5a的输出变为“H”，斩波脉冲P关断后，从“H”变为“L”，OFF定时电路8被驱动，栅极驱动脉冲变为“L”。然后，脉冲斩波脉冲P的OFF期间(“L”期间)功率晶体管3截止。
功率晶体管3截止后，驱动电流停止，电阻R1的端子电压下降到地G电位。由此，晶体管Q1截止，电流镜电路6a的动作停止(参照图2(e))。
在OFF期间经过后斩波脉冲P变为“H”，功率晶体管3导通，驱动电流流过励磁线圈11a。
其结果，励磁线圈11a被以图2(h)所示的电流波形电流驱动，并重复上述的状态。输出端子2a的输出电流，是被从励磁线圈11a向该输出端子2a吸收的电流。另外，图2(h)只是用于进行说明，不考虑电流波形对图2(c)的输出电压波形的延迟等。图2(h)中，I1是由电流限制电路5限制的规定电流值，例如相当于2.6A。此外，I2是由过电流检测电路6限制的电流值，例如相当于比上述稍大一点的值2.7A。任意一种情况，均被设定为最大额定电流以下。
然而，这里的电流限制，是用于选择外置电阻Rs来限制为成为用于斩波控制的设计规格值的电流值。所谓过电流保护，与原来的目的不同。虽然通常过电流保护的电流值，在最大额定电流以下设定为较大的值，但在本实施例中，为了能在电阻Rs短路时也能利用过电流保护电路，而相对电流限制值2.6A，将过电流保护的电流值设为2.7A，来减小它们之间的差值。此外，在本实施例中，如果认为成为设计规格值的电流值以上的电流值为过电流，则电流限制电路5，成为第1过电流保护电路，过电流检测电路6成为第2过电流保护电路，设置两级的过电流保护的电流限制电路。
由此，步进电机驱动器IC10中，即使电阻Rs短路，也可作为驱动电路进行工作，由于过电流保护电路6工作，因此功率晶体管3不会被破坏。
图3表示，在图1所示的实施例中，晶体管Q1的发射极(地电流流出侧端子)与端子2f连接，将电阻R1的与地GND连接的端子，与端子2f连接。再有，在晶体管Q3的集电极与连接点N之间，设置有电阻R3。
采用上述结构的优点在于，比较器5a变为更简单的形式，且在输出电流值检测电阻短路时使过电流保护电路6积极地动作，并在常规状态下端子2f的电压稍微增高时，过电流保护电路6不易动作。
图1中，虽然没有表示比较器5a的内部电路，但如图1所示，在将晶体管Q3的集电极连接在连接点N上，来对比较器5a的(+)输入端子输入的情况下，与电阻R0的端子线或(wired OR)的输出，被输入到比较器5a的(+)输入端子。
如果采用上述的连接方式，根据电阻R0的电阻值与晶体管Q3的输出电流值之间的关系，因比较器5a的电路结构，其动作有时会不稳定。为了避免该问题，例如，必须平均地将比较器5a的内部电路分为两个比较器，即分为电阻R0侧和晶体管Q1侧的输入，或采用有两个(+)输入端子的比较器。而由于这些原因，会使得比较器5a的电路结构复杂化。
但是，如图3所示，将晶体管Q1的发射极与端子2f连接，电阻R1的地GND连接侧的端子与端子2f连接后，由于各个检测电路的检测信号的产生点共通，因此只要设置一个简单的内部电路的比较器5a即可。另外，电阻R3可适当设置。
总之，虽然在实施例中，比较器5a，被对单相驱动电路1a、1b、1c、1d分别设置，但比较器5a也可对多个单相驱动电路公共设置。此时，例如将输出电流值的检测电阻Rs，对各个单相驱动电路1a、1b的比较器5a和各个单相驱动电路1c、1d的比较器5a分别共通化，从而能够总共使用两个比较器5a。
此外，虽然实施例的功率晶体管Tr是MOSFET晶体管，但该晶体管当然也可为双极晶体管。
还有，虽然在实施例中，对单极驱动的步进电机驱动器IC的电机驱动电路进行了说明，但当然也可以将功率晶体管的输出电路设为推挽动作的驱动电路，来将本发明应用在双极驱动(正相位和逆相位的两波驱动)的步进电机驱动器IC中。
另外，虽然在实施例中，说明的是在过电流检测电路6中不包括电流检测用晶体管4，但也可包括它来考虑过电流检测电路。此外，电流限制电路5的电阻R0，当然也可包括在过电流检测电路6一侧。
产业上的利用可能性以上已进行了说明，虽然在实施例中，对电流检测用的电阻Rs短路时(电阻Rs的端子电压为零电压时)进行了说明，但不限于电阻Rs短路的情况，由于功率晶体管3的输出电流检测用的电路发生故障(除了功率晶体管的输出线的断路)而不产生检测信号，或即使产生检测信号但其电压电平也低于基准电压VREF时，不进行电流限制，因此成为与电阻Rs短路时(电阻Rs的端子电压为零电压时)相同的现象。因此，本发明也同样适用于功率晶体管的输出电流检测用的电路发生故障的情况。
此外，虽然实施例中，通过斩波脉冲发生电路7和OFF定时电路8，进行功率晶体管3的OFF控制，但如果为功率晶体管3被截止的结构，则斩波脉冲发生电路7或OFF定时电路8，对本发明来说不是必要的构成。
还有，实施例中，虽然对步进电机驱动器IC进行了说明，但只要是具有以规定的电流值截止功率晶体管来限制驱动电流的电流限制电路或过电流保护电路的驱动电路，本发明都能适用。
权利要求
1.一种过电流保护电路，是半导体电路中的过电流保护电路，具备电流输出的功率晶体管；第1输出电流检测电路；以及电流限制电路，其在所述功率晶体管的输出电流达到规定值时，根据来自所述输出电流检测电路的第1检测信号，使所述功率晶体管的所述输出电流在规定期间停止，从而限制所述输出电流，所述过电流保护电路具有输出电流检测晶体管，其与所述功率晶体管电流镜连接；第2输出电流检测电路，其根据所述输出电流达到超过所述规定值的给定值时的所述输出电流检测晶体管的输出电流，产生第2检测信号，根据所述第2检测信号，使所述电流限制电路工作，来使所述功率晶体管的所述输出电流在规定期间停止。
2.根据权利要求1所述的过电流保护电路，其特征在于，所述半导体电路，是IC化的电机驱动电路，给定值被设定在即使所述功率晶体管继续驱动电机的动作也不会产生问题的范围内。
3.根据权利要求2所述的过电流保护电路，其特征在于，所述给定值，具有比所述规定值的电流值高5％～10％左右的范围，所述输出电流检测电路，具有被经由所述IC的规定端子外置的第1电阻，并将在该第1电阻上产生的端子电压作为所述第1检测信号。
4.根据权利要求3所述的过电流保护电路，其特征在于，所述电流限制电路具有比较器，该比较器对所述第1电阻中产生的端子电压、与给定的基准电压进行比较，根据该比较结果产生用于使所述输出电流在所述给定期间停止的输出信号，并且在接收所述第2检测信号时，对根据所述第2检测信号产生的电压信号、与所述给定的基准电压进行比较，根据该比较结果产生所述输出信号。
5.根据权利要求4所述的过电流保护电路，其特征在于，还具有斩波脉冲发生电路和定时电路，所述给定期间为恒定期间，所述定时电路计测所述恒定期间，接收所述输出信号后动作，所述斩波脉冲发生电路，每隔由所述定时电路设定的所述恒定期间发生脉冲，根据该脉冲控制所述功率晶体管的导通/截止。
6.根据权利要求3所述的过电流保护电路，其特征在于，所述输出电流，是从所述功率晶体管输出电流的输出端子吸收的电流，所述电机被根据该吸收电流驱动。
7.根据权利要求6所述的过电流保护电路，其特征在于，还具有设置在所述输出电流检测晶体管和基准电压线之间的第2电阻，所述功率晶体管和所述输出电流检测晶体管为N沟道MOS晶体管，根据在所述第2电阻上产生的端子电压产生所述第2检测信号。
8.根据权利要求7所述的过电流保护电路，其特征在于，还具有用于过电流检测的晶体管和第3电阻，所述晶体管在所述第2电阻值的端子电压为某值以上时导通，所述第3电阻，在所述电机驱动器IC的内部中设置在所述给定的端子和所述比较器之间，所述第2检测信号，通过用于过电流检测的所述晶体管导通而产生，在所述第3电阻的端子上生成比所述给定的基准电压高的电压。
9.根据权利要求8所述的过电流保护电路，其特征在于，用于所述过电流检测的晶体管的产生地电流的端子、和第2电阻与所述基准电压线连接的一侧的端子，与所述给定的端子连接。
10.一种电机驱动电路，其特征在于，具有权利要求1～9的任一项所述的上述过电流保护电路，且所述半导体电路被IC化。
11.根据权利要求10所述的电机驱动电路，其特征在于，所述功率晶体管的输出端子与步进电机连接。
12.一种半导体装置，其特征在于，具有权利要求10或11所述的电机驱动电路。
全文摘要
本发明，提供一种能够防止在电流值检测电阻短路时功率晶体管中流过过电流，来继续功率晶体管的驱动动作的可靠性高的电机驱动器电路或半导体装置。本发明的半导体电路，具备电流输出的功率晶体管；第1输出电流检测电路；以及电流限制电路，在功率晶体管的输出电流达到规定值时，通过根据来自输出电流检测电路的第1检测信号，使功率晶体管的输出电流在规定期间停止，从而限制输出电流，该半导体电路中的过电流保护电路具有输出电流检测晶体管，其与功率晶体管电流镜连接；以及，第2输出电流检测电路，其根据输出电流达到超过规定值的给定值时的输出电流检测晶体管的输出电流，产生第2检测信号，并且根据第2检测信号使电流限制电路工作，来使功率晶体管的输出电流在规定期间停止。
文档编号H02P8/12GK1898857SQ20048003848
公开日2007年1月17日 申请日期2004年12月20日 优先权日2003年12月26日
发明者大尾光明, 柳岛大辉 申请人:罗姆股份有限公司