专利名称：并联钳位反激电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种反激电路，尤其是一种电源并联钳位反激电路。
背景技术：
请参考如图1所示，为现有技术中并联反激的普通电路。每个变压器源边均接入 了 RCD复位电路，当Ql导通时，变压器Tl源边储存能量，T2将能量传递到副边，此时，二极 管D2正偏，向负载提供能量，同时通过RCD对变压器进行复位；当Q2导通时，变压器T2源 边储存能量，由于Ql关断，Tl变压器源边绕组极性反转，副边二极管Dl正偏导通，将源边 的能量释放到输出负载，同时给输出电容充电，并通过RCD进行复位。 因当M0S管关断，变压器源边将能量传递到副边的同时，源边通过RCD进行复位， 变压器源边漏感的能量全部消耗在电阻上面，导致变换效率低，同时，还需要一个电容对变 压器源边进行钳位，以避免漏感能量过大，产生过大的电压应力，可能导致MOS管的损坏。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术可能产生变换效率低的缺陷， 提供一种可以提高变换效率的电路。 为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案为 并联钳位反激电路，其包括有两个场效应管、P丽控制芯片、两个变压器及两个二
极管，其中其还进一步包括两个输入电容，所述的两个输入电容串联并将输入电压分成
Vin/2，所述的两个变压器的公共端连接到一半的输入电压处，两个场效应管与P丽控制芯
片及两个变压器相连，第一个二极管的负极与第一场效应管相连，正极与输入电压的负端
相连；第二个二极管的负极与输入电压的正端相连，正极与第二场效应管相连。 优选地，上述的两个场效应管为N沟道型金属氧化物半导体场效应管，所述的场
效应管的栅极与所述的P丽控制芯片相连。 优选地，上述的两个变压器并联，使其中一个变压器储能时，另一变压器的漏感返 回到电源中去，同时进行磁复位。 上述的第一变压器的另一端，通过第一场效应管连接到输入电压的正端；所述的
第二变压器的另一端，通过第二场效应管连接到输入电压的负端。 上述的第一变压器的另一端，与所述的第一场效应管的源极相连。 上述的第二变压器的另一端，与所述的第二场效应管的漏极相连。 上述的P丽控制芯片为电压型控制芯片。 上述的P丽控制芯片为电流型控制芯片。 上述的P丽电压型控制芯片输出两个脉宽调制信号，通过原边驱动电路连接到两 个场效应管，让变压器源边钳位于一半的输入电压。 上述的P丽电流型控制芯片输出两个脉宽调制信号，通过原边驱动电路连接到两 个场效应管，让变压器源边钳位于一半的输入电压。[0016] 采用上述技术方案后，在使用过程中，当场效应管关断时，变压器源边的漏感中能 量全部反馈到输入电容中去，没有形成损耗，另通过输入电容将变压器源边钳位在Vin/2 的电压处进行复位，省去了原来电路中的RCD复位单元，减少了电源的体积，同时，降低了 损耗，提高了变换效率。
图1为现有技术中并联反激电路； 图2为本实用新型一种并联钳位反激电路原理图； 图3为本实用新型的工作时序图。
具体实施方式下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。 如图2所示，其为本实用新型的电路原理图，包括两个场效应管Ql 、Q2、P丽控制芯
片、两个变压器Tl、 T2，两个输入电容Cl、 C2及两个二极管D3、 D4，其中 两个场效应管Q1、Q2为N沟道型金属氧化物半导体场效应管，所述的场效应管Q1、
Q2的栅极连接至P丽控制芯片，场效应管Ql的源极与二极管D3的负极相连，二极管D3的
正极与输入电压的负端相连；场效应管Q2的漏极与二极管D4的正极相连，二极管D4的负
极与输入电压的正端相连。 P丽控制芯片为电压型控制芯片或电流型控制芯片，在本实施例中，其为电压型控 制芯片。 两个输入电容Cl 、 C2串联并将输入电压分成Vin/2。 两个变压器T1、T2并联，公共端连接到一半的输入电压处，T1的另一端与Ql的源 极相连，T2的另一端与Q2的漏极相连，且Tl的另一端与场效应管Ql的源极相连，场效应 管Ql的漏极与输入电压的正端相连；T2的另一端与场效应管Q2的漏极相连，场效应管Q2 的源极与输入电压的负端相连。 当Ql开通，Q2关断时，电容Cl给变压器Tl的源边输入能量，同时，由于Q2的关 断，变压器T2源边极性反转，能量传递到副边，副边的二极管D2受到正向偏置而导通，给负 载供电，同时电容C0充电T2源边的漏感中的能量通过二极管D4，向电容Cl充电，并把T2 源边两端的电压，钳位在Vdc/2电压处，进行复位。 当Ql关断，Q2还未开通时，Tl变压器极性反转，将能量耦合到副边，二极管Dl受 到正向偏置而导通，向负载提供能量的同时，也给输出电容CO充电。 当Ql关断，Q2开通时，Tl变压器能量耦合到副边，原边漏感中的能量无法耦合到 次级，其经过C2、D3回路，给电容C2充电，并将Tl变压器源边钳位在Vdc/2电压处，进行复 位；由于Q2的开通，变压器T2源边开始储存能量，二极管D2受到反向偏置向截止。 当Ql关断，Q2关断时，T2变压器极性反转，将能量耦合到副边，二极管D2受到正 向偏置而导通，向负载提供能量的同时，也给输出电容CO充电。 配合图3所示，当场效应管关断时，变压器源边的漏感中能量全部反馈到输入电 容中去，没有形成损耗，另通过输入电容C1、C2将变压器源边钳位在Vin/2的电压处进行复 位，省去了原来电路中的RCD复位单元，减少了电源的体积，同时，降低了损耗，提高了变换效率。 以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不 局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到 的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该 以权利要求的保护范围为准。
权利要求并联钳位反激电路，其包括有两个场效应管、PWM控制芯片、两个变压器及两个二极管，其特征在于其还进一步包括两个输入电容，所述的两个输入电容串联并将输入电压分成Vin/2，所述的两个变压器的公共端连接到一半的输入电压处，两个场效应管与PWM控制芯片及两个变压器相连，第一个二极管的负极与第一场效应管相连，正极与输入电压的负端相连；第二个二极管的负极与输入电压的正端相连，正极与第二场效应管相连。
2. 如权利要求1所述的并联钳位反激电路，其特征在于所述的两个场效应管为N沟道型金属氧化物半导体场效应管，所述的场效应管的栅极与所述的P丽控制芯片相连。
3. 如权利要求1或2所述的并联钳位反激电路，其特征在于所述的两个变压器并联，使其中一个变压器储能时，另一变压器的漏感返回到电源中去，同时进行磁复位。
4. 如权利要求1或2所述的并联钳位反激电路，其特征在于所述的第一变压器的另一端，通过第一场效应管连接到输入电压的正端；所述的第二变压器的另一端，通过第二场效应管连接到输入电压的负端。
5. 如权利要求4所述的并联钳位反激电路，其特征在于所述的第一变压器的另一端，与所述的第一场效应管的源极相连。
6. 如权利要求4所述的并联钳位反激电路，其特征在于所述的第二变压器的另一端，与所述的第二场效应管的漏极相连。
7. 如权利要求1或2所述的并联钳位反激电路，其特征在于所述的P丽控制芯片为电压型控制芯片。
8. 如权利要求1或2所述的并联钳位反激电路，其特征在于所述的P丽控制芯片为电流型控制芯片。
9. 如权利要求1或2所述的并联钳位反激电路，其特征在于所述的P丽电压型控制芯片输出两个脉宽调制信号，通过原边驱动电路连接到两个场效应管，让变压器源边钳位于一半的输入电压。
10. 如权利要求1或2所述的并联钳位反激电路，其特征在于所述的P丽电流型控制芯片输出两个脉宽调制信号，通过原边驱动电路连接到两个场效应管，让变压器源边钳位于一半的输入电压。
专利摘要本实用新型涉及一种并联钳位反激电路，包括两个场效应管、PWM控制芯片、两个变压器、两个二极管及两个输入电容，两个输入电容串联并将输入电压分成Vin/2，两个变压器的公共端连接到一半的输入电压处，两个场效应管与PWM控制芯片及两个变压器相连，第一个二极管的负极与第一场效应管相连，正极与输入电压的负端相连；第二个二极管的负极与输入电压的正端相连，正极与第二场效应管相连。使用过程中，当场效应管关断时，变压器源边的漏感中能量全部反馈到输入电容中去，没有形成损耗，另通过输入电容将变压器源边钳位在Vin/2的电压处进行复位，省去原来电路中的RCD复位单元，减少电源的体积，同时，降低了损耗，提高变换效率。
文档编号H02M7/21GK201490910SQ20092020483
公开日2010年5月26日 申请日期2009年9月9日 优先权日2009年9月9日
发明者王志力 申请人:瑞谷科技(深圳)有限公司