专利名称：一种基于arm的升压式逆变器驱动控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型属于一种逆变器驱动及控制电路，具体涉及升压式纯正弦波高频逆变器的数字化驱动控制电路，属于电源领域。
背景技术：
21世纪是环保与节能的世纪，随着我国国民经济的高速发展，能源与工业发展出现不平衡，水利发电、燃煤火力发电等传统的发电形式已经无法满足工业及民用的要求。当前，DC-AC逆变器已经得到了广泛的应用，特别是在工业上的应用，如风力发电、 太阳能光伏发电、车用逆变器、变频器等。早期的方波逆变器已基本被淘汰，随之发展起来的有修正正弦波逆变器、纯正弦波逆变器。由于修正正弦波逆变器对用电设备仍然会造成极大的伤害，使用电设备寿命减短，因此有必要发展纯正弦波逆变器。纯正弦波逆变器输出波形是正弦波，具有很好的带载特性，家用逆变器通常以升压式逆变为主，分为工频逆变和高频逆变两类方式。设计一种效率高、谐波污染小的正弦波逆变器迫在眉睫，升压式逆变器包括DC-DC 升压模块、DC-AC逆变模块。逆变器驱动控制电路需要产生两路PWM、四路SPWM驱动信号， 这些信号可以用硬件方式产生，然而这种方式精度较低、灵活性不高、稳定性差。而数字化的控制方法则能达到很好的效果。
发明内容本实用新型旨在提供一种数字化的正弦波逆变器驱动控制电路，有效地克服了传统系统中采用模拟方式产生控制信号存在的不稳定、不灵活、误差大等缺点，提高系统的输出精度、实时性、可靠性，可以使系统设计变得更加灵活、方便。本方案提供的一种基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，基于ARM微处理器，实现高频升压式纯正弦波逆变器的驱动控制。ARM微处理器优选STM32F103VE，该处理器性价比高，CPU频率高达72MHz，内部Flash存储器容量为512KB，内部RAM容量为64KB，内置12 位A/D转换器及16位的PWM信号发生器。所选ARM微处理器内部资源丰富，大容量的内存及快速的处理能力保证系统可以实现复杂的控制算法，内置A/D转换器和PWM信号发生器模块使得系统设计大大简化。本技术方案基于ARM微处理器架构，采用C语言编程，程序可以灵活定制。在Kei I 开发平台上进行程序设计，结合Jlink硬件仿真工具可以方便地进行仿真调试及程序烧录。本方案包括ARM微处理器、推挽PWM信号变换模块、SPWM信号隔离模块、信号调理模块、温度测量接口电路、人机交互接口模块、辅助电源模块；所述ARM微处理器产生两路PWM信号，用于升压电路的MOS管的驱动。所述升压电路指推挽升压电路。ARM微处理器提供两路A/D转换的输入，对功率MOS对管的电流进行采样，经过内部程序分析处理后对输出的两路PWM推挽升压控制信号进行调整，使功率MOS对管的电流均衡及防止偏磁。ARM微处理器还产生若干路SPWM驱动信号，用于驱动全桥电路，实现DC-AC转换。ARM微处理器提供相对应的若干路A/D转换的输入，实现对逆变器的输入电压、输出电压、输出电流中的一个或多个进行实时检測，对逆变器上述參数进行采样后，ARM微处理器对采样值进行分析、处理。ARM微处理器还可在系统出现异常，产生一路关断信号，给系统提供双重保护。所述的辅助电源模块包括提供ニ至五路相互隔离的DC15V电源的电路结构，所述的DC15V电源其中一路提供给推挽PWM信号变换模块，另外一路至四路提供给SPWM信号隔离模块，所述隔离通过高频变压器完成；所述的SPWM信号隔离模块，主要由高速光耦组成。所述的辅助电源模块用于将逆变器的输入电压换成其他部分电路所需的工作电源电压。逆变器的输入电压范围为DC18V-60V，由于ARM微处理电路及信号调理电路属于弱电电路，其供电电压不能直接采用逆变器的输入电压，因此由辅助电源模块将逆变器的输入电压转换成ARM微处理电路及信号调理电路的工作电压。另外由于逆变器逆变全桥的功率MOS管栅极驱动电压一般为10V-20V，辅助电源模块还将逆变器的输入电压转换为适合驱动MOS管的多路DC15V电压，为使驱动控制电路与逆变全桥相互隔离，各路DC15V电压通过高频变压器与其他部分电路隔离并彼此相互隔离，用于功率MOS管的栅极驱动。由于ARM微处理输出的用于控制推挽升压电路的两路PWM信号幅度低于功率MOS 管栅极驱动电压，因此需要将ARM微处理器输出的两路PWM信号变换成幅度为15V的PWM 信号，因此驱动控制电路中包含推挽PWM信号变换模块。所述的SPWM信号隔离模块还包括SPWM信号关断控制电路，所述的SPWM信号关断控制电路包括三极管Ql、Q2，限流电阻Rl、R2、R3、R4，电阻R9、RIO、R11、R12，ニ极管D7、D8 所组成；电阻R9的两端分别连接三极管Ql与Q2的发射极，三极管Q2的发射极接DC3. 3V 电源的地，电阻RlO —端接三极管Ql的基极和三极管Q2的集电极，另一端接三极管Ql的集电极和DC3. 3V电源，电阻R12的一端接三极管Q2的基板，另一端接ニ级管D8，ニ极管D8 的另一端接入ARM微处理器生成的SPWM关断信号MCU_SDN，电阻Rll的一端接三极管Q2 的基极，另一端接ニ级管D7，ニ极管D7的另一端接入信号调理模块生成的SPWM关断信号 PR0TECT_SDN ;所述的信号调理模块包括完成以下功能的电路结构生成基准信号，用干与逆变器运行状态反馈信号进行比较，在逆变器输入电压欠压、输入过压时、输出电流超过设定值时，产生SPWM关断信号PR0TECT_SDN。所述的SPWM信号隔离模块，将微处理器产生SPWM信号与逆变器大功率器件隔离， 提高系统的抗干扰能力，同时实现电平转换，得到电压幅度适合于驱动全桥功率MOS管的 SPWM信号。所述的信号调理模块，由采用运算放大器构成，具有将逆变器反馈信号放大成适合于ARM微处理器内部A/D转换器米样的电压值的电路结构,所述的若干个信号输入端包括逆变器的升压电路MOS管的电流反馈信号、逆变器的输入电压、输出电压、输出电流的反馈信号的输入端。所述的信号调理模块，将逆变器工作状态反馈信号进行采样放大后，送入ARM微处理器的A/D转换器进行处理为数字信号，供ARM微处理器内部程序进行数字信号处理，反馈信号可包括逆变器升压MOS管的电流、逆变器输入电压、输出电压、输出电流种的ー种或几钟。信号调理模块也可同时将反馈信号与基准信号进行比较，产生SPWM的关断控制信号，实现双重保护。所述的温度测量接口电路，采用数字式的温度测量芯片进行温度测量，温度测量芯片通过单总线协议与ARM微处理器进行数据交互，ARM微处理器只需要发送读取温度指令，即可读出当前逆变器工作温度，极大简化了系统的设计。当温度超出设定值，产生报警信号，并使逆变器停止工作。所述的人机交互接口模块由IXD显示屏及按键接口电路构成，用于实现逆变器运行参数的设置和显示功能。有益效果本实用新型技术方案，基于ARM微处理器构成一种逆变器的驱动控制电路，只需要一片ARM微处理器就可以完成逆变器的控制，这样可以方便地进行集中处理， 简化系统结构，提高系统的可靠性。采用C语言编程，程序可以灵活定制，下载方便。可以用于构成1KW-10KW的正弦波逆变器，设计方式灵活方便，系统的抗干扰能力强，输出精度高， 可以满足工业上的应用要求，具有广阔的应用前景。
图I是本实用新型的总体结构框图；图2是本实用新型SPWM信号隔离模块电路图；图3是ARM微处理器的工作程序流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型进一步说明。参照图1，本实施方式包括辅助电源模块、人机交互接口模块、SPWM信号隔离模块、ARM微处理器、信号调理模块、温度测量接口电路和推挽PWM信号变换模块。所述ARM 微处理器分别与推挽PWM信号变换模块、SPWM信号隔离模块、信号调理模块、温度测量接口电路、人机交互接口模块相连接，所述辅助电源模块分别与ARM微处理器、推挽PWM信号变换模块、SPWM信号隔离模块、信号调理模块、温度测量接口电路、人机交互接口模块相连接， 所述信号调理模块有若干个信号输入端，用于接收逆变器运行状态反馈信号，并处理成适合ARM微处理器接收的电平，所述SPWM信号隔离模块有若干个输出端，用于将ARM微处理器生成的SPWM信号转换成适宜驱动MOS管的SPWM驱动信号输出，同时起到隔离作用，所述推挽PWM信号变换模块有若干个信号输出端，用于将ARM微处理器生成的PWM信号转换成适宜驱动MOS管的PWM驱动信号输出。所述ARM微处理器型号为STM32F103VE，芯片中固化有实时操作系统。ARM微处理器产生两路PWM信号，用于升压电路的MOS管的驱动。所述升压电路指推挽升压电路。为了实现推挽电路中的两个功率MOS管电流均衡以及防止直流偏磁，ARM 微处理器提供两路A/D转换的输入，以便对功率MOS对管的电流进行采样，经过内部程序分析处理后对输出的两路PWM推挽升压控制信号进行调整，从而达到功率MOS对管的电流均衡及防偏磁的目的。ARM微处理器还产生四路SPWM驱动信号，用于驱动全桥电路，实现DC-AC转换。为了防止桥式电路中同一桥臂上两个功率管的直通现象，在ARM微处理器内部控制程序中设置PWM信号的死区时间。ARM微处理器还提供三路A/D转换的输入，实现对逆变器的输入电压、输出电压、 输出电流进行实时检測。对逆变器上述參数进行采样后，ARM微处理器内部程序对采样值进行分析、处理，实现如下功能(I)输入电压欠压时，产生报警信号，并使逆变器停止工作，避免蓄电池放亏，这样可以有效保护蓄电池，延长其寿命。(2)输入过压时，产生报警信号，并使逆变器停止工作，避免由于过压工作而导致重要器件的损坏。( 3 )通过对输出电压进行采样，可以实现闭环控制，保证输出电压保持在某电压范围内。(4)通过对输出电流进行采样，实时检测工作电流，当电流超过某ー设定值吋，产生报警信号，并使逆变器停止工作，实现过流保护及短路保护。人机交互接ロ模块由IXD显示屏及按键接ロ电路构成，实现逆变器运行參数的设置和显示功能，可包括背光控制电路、对比度调节电路，背光控制电路可以实现在设置逆变器參数时才打开背光，正常情况背光关闭，以节省功耗。通过人机接ロ获得输入信息或输出信息，并与ARM微处理器进行数据交換，具体的，用户通过按键输入各项參数，经人机交互接ロ传入ARM微处理器，ARM微处理器做相应的处理，并将參数经人机交互接ロ送到IXD显
/Jn o所有反馈信号经信号调理模块处理后，送入ARM微处理器进行分析处理，同时有一路控制信号进入SPWM信号隔离模块，作为紧急情况的硬件关断信号。信号调理模块采用集成运算放大器，将输入的各个反馈信号放大成适合于ARM微处理器内部A/D转换器采样的电平。温度測量接ロ电路采用数字式的温度測量芯片进行实时温度測量，并将逆变器エ 作温度转换成数字信号后传入ARM微处理器，温度測量芯片通过单总线协议与ARM微处理器进行数据交互，ARM微处理器只需要发送读取温度指令，即可读出当前逆变器工作温度， 当温度超出设定值，产生报警信号，并使逆变器停止工作。推挽PWM信号变换模块，其作用是将ARM微处理器产生的幅值为3. 3V的PWM信号转换成幅值15V的PWM信号，电压转换芯片优选MCP1404。通过升压控制接ロ，幅值15V的 PWM信号可以直接驱动逆变器推挽升压电路的MOS管。ARM微处理器经过内部算法产生幅值为3. 3V的SPWM信号，由SPWM信号隔离模块进行变换后得到幅值为15V的SPWM信号，然后经交流逆变接ロ控制全桥逆变电路。所述的辅助电源模块包括提供ニ至五路相互隔离的DC15V电源的电路结构，所述的DC15V电源其中一路提供给推挽PWM信号变换模块，另外一路至四路提供给SPWM信号隔离模块，所述隔离通过高频变压器完成；所述的SPWM信号隔离模块，主要由高速光耦组成。所述的辅助电源模块用于将逆变器的输入电压换成ARM微处理电路及信号调理电路等其他部分电路工作所需的DC15V、5V、3. 3V三种电压。其中DC15V分为四路生成，其中一路提供给推挽PWM信号变换模块，另外三路提供给SPWM信号隔离模块，为使驱动控制电路与逆变全桥相互隔离，各路DC15V电压通过高频变压器与其他部分电路隔离并彼此相互隔离，用于功率MOS管的栅极驱动。参照图2，所述的SPWM信号隔离模块还包括SPWM信号关断控制电路，所述的SPWM 信号关断控制电路包括三极管Q1、Q2，限流电阻R1、R2、R3、R4，电阻R9、R10、R11、R12，二极管D7、D8所组成；电阻R9的两端分别连接三极管Ql与Q2的发射极，三极管Q2的发射极接 DC3. 3V电源的地，电阻RlO —端接三极管Ql的基极和三极管Q2的集电极，另一端接三极管 Ql的集电极和DC3. 3V电源，电阻R12的一端接三极管Q2的基极，另一端接二级管D8，二极管D8的另一端接入ARM微处理器生成的SPWM关断信号MCU_SDN，电阻Rll的一端接三极管 Q2的基极，另一端接二级管D7，二极管D7的另一端接入信号调理模块生成的SPWM关断信号PR0TECT_SDN ;所述的信号调理模块包括完成以下功能的电路结构生成基准信号，用于与逆变器运行状态反馈信号进行比较，在逆变器输入电压欠压、输入过压时、输出电流超过设定值时，产生SPWM关断信号PR0TECT_SDN。SPWM信号隔离模块采用高速光耦作为隔离器件，可采用的型号为TLP250。其中， 电阻 Rl、R2、R3、R4、R5、R6、R7 和 R8 是限流电阻，Ul、U2、U3 和 U4 是高速光耦，Dl、D2、D3、 D4、D7和D8是快速二极管，C1、C2、C3和C4是高频滤波电容，C5、C6、C7和C8是储能电容。 高速光耦的前级信号接收端SPWMl、SPWM2、SPWM3和SPWM4分别连接ARM微处理器上的4个 SPWM输出管脚，高速光耦U1、U3后级电源端分别接到相互隔离的DC15V电源+ 15A、+15C， 高速光耦U2、U4后级电源端接到另一个DC15V电源+ 15B,高速光耦的后级接地端分别接至相应的DC15V电源地端，高频滤波电容和储能电容两两并联后，两端分别接至高速光耦的后级电源端和地端，限流电阻R5、R6、R7、R8和快速二级管Dl、D2、D3、D4分别两两并联， 其一端分别接至高速光耦的信号输出端，另一端分别接到四路SPWM信号的输出信号接线端0UT1、0UT2、0UT3和0UT4，高速光耦U1、U3后级地端分别接至SPWM信号的输出信号地线接线端GA、GC，高速光耦U2、U4后级地端接至SPWM信号的输出信号地线接线端GB，输出信号接线端0UT1、0UT2、0UT3和0UT4可接至逆变器逆变全桥电路的4个功率MOS管栅极，接线端GA、GB、GC分别接MOS管的源极，将4路SPWM信号分别传送至MOS管进行逆变驱动，其中OUTl和0UT2分别用于控制左桥臂的上、下MOS管，0UT3和0UT4分别用于控制右桥臂的上、下MOS管，GA和GC分别用于控制左、右桥桥臂的上MOS管，GB用于控制左、右桥臂的下 MOS 管。电阻R9的两端分别连接三极管Ql与Q2的发射极，三极管Q2的发射极接DC3. 3V 电源的地，电阻RlO —端接三极管Ql的基极和三极管Q2的集电极，另一端接三极管Ql的集电极和DC3. 3V电源，电阻R12的一端接三极管Q2的基极，另一端接二级管D8，二极管D8 的另一端接入ARM微处理器的生成的SPWM关断信号。电阻Rll的一端接三极管Q2的基极，另一端接二级管D7，二极管D7的另一端接入信号调理模块生成的SPWM关断信号，形成双重保护。SPWM信号隔离电路工作原理如下当系统正常工作时，PR0TECT_SDN和MCU_SDN为低电平，三极管Q2截止，Ql导通，
3.3V电压给光耦供电。ARM微处理器加到高速光耦前级信号接收端SPWMl、SPWM2、SPWM3和 SPWM4上为幅值3. 3V的SPWM信号，经过光耦后转换成幅值15V的SPWM信号由接线端OUTl、 0UT2、0UT3和0UT4输出到逆变器的逆变全桥。接线端OUTl、0UT2上的信号分别控制左桥臂的上、下MOS管，接线端0UT3、0UT4上的信号分别控制右桥臂的上、下MOS管。为避免重复，取左桥臂的控制进行具体的说明。对于左桥臂，其对应的控制信号为SPWM1、SPWM2，其中SPWMl驱动上管，SPWM2驱动下管。为了让MOS能快速关断，设置了快速ニ极管D1、D2，使得驱动电路能快速抽走MOS管结电容上的电荷，达到快速关断的目的。下管的GB是高压侧的地，因此可直接向光耦提供 15V的电源。对于右桥臂，其原理同上。当系统出现异常，PR0TECT_SDN或MCU_SDN输入关断信号，即输入高电平，则三极管Q2导通，导致Ql基极电压低于三极管导通电压，Ql截止，光耦没有供电电压，0UT1、0UT2、 0UT3和0UT4输出为0，因此所有的MOS管都是关断的。所述的信号调理模块，由采用运算放大器构成，具有将逆变器反馈信号放大成适合于ARM微处理器内部A/D转换器米样的电压值的电路结构,所述的若干个信号输入端包括逆变器的升压电路MOS管的电流反馈信号、逆变器的输入电压、输出电压、输出电流的反馈信号的输入端。本实施方式还可包括与所述ARM微处理器连接的CAN收发器作为扩展通信接ロ。參照图3，本实用新型的驱动控制流程系统启动后先进行器件初始化，包括I/O ロ、时钟、A/D转换器、中断及PWM信号发生器等初始化。ARM微处理器实时进行A/D采集、 分析，当推挽MOS管电流不均衡时，调整PWM信号，使两个MOS管电流一致，防止直流偏磁现象。同时检测前级升压电压是否正常，通过闭环控制，使前级升压电压维持稳定。检测输出电流是否超出设定值，当出现过流或短路时，立即停止工作。检测逆变器电压是否处于正常范围，若出现欠压或过压现象，则进入保护动作。检测输出电压，作为闭环控制的反馈信号， 使输出电压维持稳定。读取温度传感器的温度值，当系统温度超出设置范围，则停止工作。 IXD显示及按键扫描程序以较低频率来运行，设置定时中断，以一定频率刷新显示和扫描按键，实现人机交互功能。
权利要求1.一种基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，其特征是，包括ARM微处理器、推挽 PWM信号变换模块、SPWM信号隔离模块、信号调理模块、人机交互接口模块、辅助电源模块； 所述ARM微处理器分别与推挽PWM信号变换模块、SPWM信号隔离模块、信号调理模块、人机交互接口模块相连接，所述辅助电源模块分别与ARM微处理器、推挽PWM信号变换模块、 SPWM信号隔离模块、信号调理模块、人机交互接口模块相连接，提供工作电源，所述信号调理模块有若干个信号输入端，用于接收逆变器运行状态反馈信号，并处理成适合ARM微处理器接收的电平，所述SPWM信号隔离模块有若干个输出端，用于将ARM微处理器生成的 SPWM信号转换成适宜驱动MOS管的SPWM驱动信号输出，同时起到隔离作用，所述推挽PWM 信号变换模块有两个信号输出端，用于将ARM微处理器生成的两路PWM信号转换成适宜驱动MOS管的PWM驱动信号输出。
2.根据权利要求I所述的一种基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，其特征是，所述的辅助电源模块包括提供二至五路相互隔离的DC15V电源的电路结构，所述的DC15V电源其中一路提供给推挽PWM信号变换模块，另外一路至四路提供给SPWM信号隔离模块，所述隔离通过高频变压器完成；所述的SPWM信号隔离模块，主要由高速光耦组成。
3.根据权利要求2所述的一种基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，其特征是，所述的相互隔离的DC15V电源为四路，所述的高速光耦为型号TLP250的四个高速光耦Ul、U2、 U3、U4，还包括限流电阻R5、R6、R7和R8，快速二极管DI、D2、D3和D4，高频滤波电容CI、C2、 C3和C4，储能电容C5、C6、C7和C8 ;所述高速光耦分别连接ARM微处理器上的4个SPWM输出管脚，高速光耦U1、U3后级电源端分别接到相互隔离的DC15V电源，高速光耦U2、U4后级电源端共同接到另一路隔离的DC15V电源，高速光耦的后级接地端分别接至相应的DC15V 电源地端，高频滤波电容和储能电容两两并联后，两端分别接至高速光耦的后级电源端和地端，限流电阻R5、R6、R7、R8和快速二级管D1、D2、D3、D4分别两两并联，其一端分别接至高速光耦的信号输出端，另一端分别接到四路SPWM信号的输出信号接线端0UT1、0UT2、0UT3 和0UT4，高速光耦Ul、U3后级地端分别接至SPWM信号的输出信号地线接线端GA、GC,高速光耦U2、U4后级地端接至SPWM信号的输出信号地线接线端GB。
4.根据权利要求3所述的一种基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，其特征是，所述的SPWM信号隔离模块还包括SPWM信号关断控制电路，所述的SPWM信号关断控制电路包括三极管Ql、Q2，限流电阻Rl、R2、R3、R4，电阻R9、RlO、Rl I、Rl2，二极管D7、D8所组成；电阻 R9的两端分别连接三极管Ql与Q2的发射极，三极管Q2的发射极接DC3. 3V电源的地，电阻 RlO 一端接三极管Ql的基极和三极管Q2的集电极，另一端接三极管Ql的集电极和DC3. 3V 电源，电阻Rl2的一端接三极管Q2的基极，另一端接二级管D8，二极管D8的另一端接入ARM 微处理器生成的SPWM关断信号MCU_SDN，电阻Rll的一端接三极管Q2的基极，另一端接二级管D7，二极管D7的另一端接入信号调理模块生成的SPWM关断信号PR0TECT_SDN ;所述的信号调理模块包括完成以下功能的电路结构生成基准信号，用于与逆变器运行状态反馈信号进行比较，在逆变器输入电压欠压、输入过压时、输出电流超过设定值时，产生SPWM关断信号 PR0TECT_SDN。
5.根据权利要求1至4之一所述的一种基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，其特征是，所述ARM微处理器型号为STM32F103VE，芯片中固化有实时操作系统。
6.根据权利要求1至4之一所述的一种基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，其特征是，所述的推挽PWM信号模块，采用型号为MCP1404的电压转换芯片，将ARM微处理器生成的两路PWM信号，转换成幅值15V的PWM信号。
7.根据权利要求I至4之一所述的ー种基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，其特征是，所述的信号调理模块，由采用运算放大器构成，具有将逆变器反馈信号放大成适合于 ARM微处理器内部A/D转换器采样的电压值的电路结构，所述的若干个信号输入端包括逆变器的升压电路MOS管的电流反馈信号、逆变器的输入电压、输出电压、输出电流的反馈信号的输入端。
8.根据权利要求I至4之一所述的ー种基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，其特征是，还包括温度測量接ロ电路，所述温度測量接ロ电路采用数字式的温度測量芯片，用于測量逆变器工作温度，ARM微处理器可通过温度測量接ロ电路取得逆变器工作温度。
9.根据权利要求I至4之一所述的ー种基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，其特征是，所述人机交互接ロ模块由LCD显示屏及按键接ロ电路构成。
10.根据权利要求I至4之一所述的基于ARM的升压式逆变器驱动控制电路，其特征是，还包括与所述ARM微处理器连接的CAN收发器作为扩展通信接ロ。
专利摘要本实用新型公开了一种基于ARM的嵌入式升压式逆变器驱动控制电路，包括ARM微处理器、推挽PWM信号变换模块、SPWM信号隔离模块、信号调理模块、温度测量接口电路、人机交互接口模块、辅助电源模块组成。能接收处理表征电池电压、直流侧高压电压、直流侧电流、交流侧电压、交流侧电流的数字量，和升压电路和逆变电路组成逆变器，将直流电压变换成正弦波交流电。本实用新型可以用于构成1KW-10KW的正弦波逆变器，控制方式灵活方便，能实现对逆变器各种运行状态的集中式的全面的监控，系统的抗干扰能力强、精度高、稳定性好。
文档编号H02M7/5395GK202353492SQ201120248610
公开日2012年7月25日 申请日期2011年7月14日 优先权日2011年7月14日
发明者何全艺, 廖志贤, 林中华, 罗晓曙, 闭金杰, 黄国现 申请人:广西师范大学