专利名称：一种消除gisvfto残余电荷的泄漏电阻系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于GIS本体残余电荷测量、消除和无害化技术领域。
背景技术：
GIS (Gas Insulated Switchgear,气体绝缘组合电器)作为加工エ艺复杂，安全性高，一直被用于电カ系统供电质量要求高的场合，实现尽可能的不间断供电，承担着大容量、大负荷的供电系统。然而GIS由于其内部充有SF6,体，该气体绝缘强度高，迄今为止绝缘性能最高的绝缘气体，虽然其绝缘性能強度，但随之带来的是SF6,体内部由于_离开关或断路器动作时产生高幅值的快速暂态过电压(VFTO, Very Fast TransientOvervoltage),这种VFTO脉冲波的前沿非常陆,其前沿多在IOns至几十ns之间。快前沿的脉冲虽然幅值没有雷电冲击电压高，但由于其前沿陡，导致其对电カ设备的影响方式也不同，面对常规绝缘结构设计，主要应对的是雷电电压水平，因而VFTO脉冲波的影响也越 严重。大量电カ生产经验表明，绕组类电气设备和二次类设备对与VFTO的防护较差，引起设备大量出现故障。因此，VFTO对与GIS的威胁非常严重。同时，随着VFTO陡波的出现，也给GIS本体带来了大量的残余电荷。这些残余电荷数量大，残留在GIS设备中，致使GIS设备内部电场分布不均匀，绝缘強度明显降低。因此，如何消除VFTO发生过后，GIS本体内部的残余电荷是目前GIS绝缘的ー个重要问题。
发明内容
本发明的目的在于解决目前没有直流局放测试系统，提出ー种直流电压极性转换用局放测试系统，是用于消除残余电荷的影响的泄漏电阻系统。本发明是通过下列技术方案来实现的。一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，包括双断ロ隔离开关、大功率电阻片、上铁氧体磁环、盆式绝缘子、下铁氧体磁环，本发明特征是双断ロ隔离开关直接与高压导体相连并通过高压导体连接至大功率电阻片，大功率电阻片的中段位置直接通过上铁氧体磁环连接至GIS外壳,大功率电阻片的末端通过下铁氧体磁环连接至GIS外壳,GIS外壳直接接地，最终将VFTO脉冲携帯的残余电荷消耗吸收殆尽。下面结合附图及实例进ー步说明本发明内容。
图I消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统示意图。图中1、双断ロ隔离开关；2、大功率电阻片；3、上铁氧体磁环；4、接地；5、GIS外壳；6、盆式绝缘子；7、VFTO脉冲；8、下铁氧体磁环；9、高压导体。
具体实施例方式一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，包括双断ロ隔离开关I、大功率电阻片2、上铁氧体磁环3、盆式绝缘子6、下铁氧体磁环8，本发明特征是双断ロ隔离开关I直接与高压导体9相连并通过高压导体9连接至大功率电阻片2，大功率电阻片2的中段位置直接通过上铁氧体磁环3连接至GIS外壳5，大功率电阻片2的末端通过下铁氧体磁环3连接至GIS外壳5，GIS外壳5直接接地4，最终将VFTO脉冲7携带的残余电荷消耗吸收殆尽。 如图I所示,该图给出了消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统示意图。图中主要表明双断ロ隔离开关I在GIS本体运行状态情况下，隔离开关I双断ロ均断开，保持零电位状态，但当GIS内部VFTO脉冲7消失后，由于GIS内部存在大量空间电荷和残余电荷，使得高压导体9本身带有大量电荷，不能通过人体或者电カ设备直接与之连接，此时需通过双断ロ隔离开关I连接至高压导体9，相当于给VFTO脉冲7串联大功率电阻片2，两只上铁氧体磁环3、下铁氧体磁环8分别连接至大功率电阻片2的中部和尾端，然后直接接地4，形成电路通道将大量电荷消散和消除。
权利要求
1. 一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，包括双断ロ隔离开关(I)、大功率电阻片(2)、上铁氧体磁环(3)、盆式绝缘子(6)、下铁氧体磁环(8)，其特征是双断ロ隔离开关(1)直接与高压导体(9)相连并通过高压导体(9)连接至大功率电阻片(2)，大功率电阻片(2)的中段位置直接通过上铁氧体磁环(3)连接至GIS外壳(5)，大功率电阻片(2)的末端通过下铁氧体磁环(3)连接至GIS外壳(5)，GIS外壳(5)直接接地(4)。
全文摘要
一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，本发明将双断口隔离开关(1)直接与高压导体(9)相连并通过高压导体(9)连接至大功率电阻片(2)，大功率电阻片(2)的中段位置直接通过上铁氧体磁环(3)连接至GIS外壳(5)，大功率电阻片(2)的末端通过下铁氧体磁环(3)连接至GIS外壳(5)，GIS外壳(5)直接接地(4)，最终将VFTO脉冲(7)携带的残余电荷消耗吸收殆尽。本发明实现了GIS内部VFTO脉冲残余电荷消除，安装属于一体化安装，使用方便，具有占地面积小，安全可靠，效果明显等显著优点。
文档编号H02B13/075GK102832562SQ201210302329
公开日2012年12月19日 申请日期2012年8月23日 优先权日2012年8月23日
发明者谭向宇, 杨卓, 赵现平, 王达达, 王科, 彭晶, 张少泉, 马仪, 陈磊, 徐肖伟, 刘红文, 马宏明, 文斌, 王振 申请人:云南电力试验研究院(集团)有限公司电力研究院, 云南电网公司技术分公司