过流保护电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种过流保护电路。该电路包括输入端（Vin）和输出端（Vout），所述输入端（Vin）和输出端（Vout）之间串接一第一电阻（R1）；第一双极型晶体管（Q1）的源极连接至输入端（Vin），基极通过第二电阻（R2）连接至输出端（Vout）并通过第三电阻（R3）连接至第二双极型晶体管（Q2）的源极，集电极通过串接的第四电阻（R4）和电感（L）连接至地（GND）；所述第二双极型晶体管（Q2）的集电极和基极均连接至输出端（Vout），源极通过第五电阻（R5）接地（GND）。本发明的有益效果是：电路结构简单，采用的期减少因此节省了成本并且自身功耗低。
【专利说明】过流保护电路
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种过流保护电路。
【背景技术】
[0002]在一些便携式电子电路中，部分的电路所需电流恒定。但是现实中由于供电电源受到各种干扰时常发生，会造成电路的较大波动，对电路造成损害。现有技术的限流电路一般是结构复杂、成本高昂、自身功耗也较大。
【发明内容】
[0003]本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题，提供一种过流保护电路。
[0004]本发明采用的技术方案是这样的:一种过流保护电路，包括输入端和输出端，该电路还包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管；所述输入端和输出端之间串接一第一电阻；所述第一双极型晶体管的源极连接至输入端，基极通过第二电阻连接至输出端并通过第三电阻连接至第二双极型晶体管的源极，集电极通过串接的第四电阻和电感连接至地；所述第二双极型晶体管的集电极和基极均连接至输出端，源极通过第五电阻接地。
[0005]在上述的电路中，所述第一双极型晶体管为PNP双极型晶体管。
[0006]在上述的电路中，所述第二双极型晶体管为NPN双极型晶体管。
[0007]综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是:电路结构简单，采用的期减少因此节省了成本并且自身功耗低。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是本发明过流保护电路的电路原理图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图，对本发明作详细的说明。
[0010]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0011]如图1所示，是本发明过流保护电路的电路原理图。
[0012]本发明的一种过流保护电路，包括输入端Vin和输出端Vout，该电路还包括第一双极型晶体管Q1、第二双极型晶体管Q2 ;所述输入端Vin和输出端Vout之间串接一第一电阻Rl ;所述第一双极型晶体管Ql的源极连接至输入端Vin，基极通过第二电阻R2连接至输出端Vout并通过第三电阻R3连接至第二双极型晶体管Q2的源极，集电极通过串接的第四电阻R4和电感L连接至地GND ;所述第二双极型晶体管Q2的集电极和基极均连接至输出端Vout，源极通过第五电阻R5接地GND。
[0013]在本发明上述的电路中，所述第一双极型晶体管Ql为PNP双极型晶体管。[0014]在本发明上述的电路中，所述第二双极型晶体管Q2为NPN双极型晶体管。
[0015]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种过流保护电路，包括输入端(Vin)和输出端(Vout)，其特征在于，还包括第一双极型晶体管(Q1)、第二双极型晶体管(Q2);所述输入端(Vin)和输出端(Vout)之间串接一第一电阻(Rl);所述第一双极型晶体管(Ql)的源极连接至输入端(Vin)，基极通过第二电阻(R2)连接至输出端(Vout)并通过第三电阻(R3)连接至第二双极型晶体管(Q2)的源极，集电极通过串接的第四电阻(R4)和电感(L)连接至地(GND);所述第二双极型晶体管(Q2)的集电极和基极均连接至输出端(Vout)，源极通过第五电阻(R5)接地(GND)。
2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述第一双极型晶体管(Ql)为PNP双极型晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的过流保护电路，其特征在于，所述第二双极型晶体管(Q2)为NPN双极型晶体管。
【文档编号】H02H9/02GK103715673SQ201210373898
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2012年10月4日 优先权日:2012年10月4日
【发明者】王纪云, 吴勇, 余力 申请人:郑州单点科技软件有限公司