专利名称：用于无极灯的高频逆变脉冲电源的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电源领域，特别是涉及一种用于无极灯的高频逆变脉冲电源。
背景技术：
高频逆变脉冲电源是无极灯的核心部分，现有的高频逆变脉冲电源稳定性不高，在无极灯应用上常常出现高频脉冲发生器的输出波形与逆变器使用的功率器件需要的波形不一致的情况，效果不好且易导致功率器件的损毁，现有结构下高频脉冲发生器和逆变器单纯的结合波纹过高、精度不高。因此本领域技术人员致力于开发一种波纹低、稳定性更高的用于无极灯的高频逆变脉冲电源。·
实用新型内容有鉴于现有技术的上述缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种波纹低、稳定性更高的用于无极灯的高频逆变脉冲电源。为实现上述目的，本实用新型提供了一种用于无极灯的高频逆变脉冲电源，包括高频脉冲发生器和逆变器；所述高频脉冲发生器的输出端连接所述逆变器的第一输入端；所述高频脉冲发生器输出信号给逆变器。所述高频脉冲发生器包括第一控制芯片；所述第一控制芯片的RT端通过串联的第一电阻和第一电容接地，所述第一控制芯片的RT端通过第二电阻接地；所述第一控制芯片的VCC端通过并联的第二电容和第三电容接地；所述第一控制芯片的DGND端、LC端、PGND端均接地。所述逆变器包括第二控制芯片；所述第二控制芯片IC2的VlA端和VlB端分别与所述第一控制芯片的NDRV2端和NDRVl端连接；所述第二控制芯片的GNDl端、GNDB端均接地；所述第二控制芯片的VDDB端与所述第一控制芯片的VCC端连接；所述第二控制芯片的VDDB端通过第一二极管与所述第二控制芯片的VADJ端连接；所述第二控制芯片的VDDB端连接第一二极管的正极；所述第一二极管的负极连接所述第二控制芯片的VADJ端；所述第一二极管的负极通过第四电容连接所述第二控制芯片的GNDA端；所述第二控制芯片的VOA端通过第三电阻连接第一 N型MOS管的栅极；所述第三电阻两端并联有第二二极管；所述第二控制芯片IC2的VOB端通过第四电阻连接第二 N型MOS管的栅极；所述第四电阻两端并联有第三二极管；所述第一 N型MOS管的漏极连接第四二极管的负极，所述第一 N型MOS管的源极连接第四二极管的正极；所述第二 N型MOS管的漏极连接第五二极管的负极，所述第二 N型MOS管的源极连接所述第五二极管的正极；所述第一 N型MOS管的源极连接所述第二 N型MOS管的漏极；所述第一 N型MOS管的源极连接所述第二控制芯片的GNDA端。所述逆变器的第二输入端连接有源功率因数校正电路的输出端；所述有源功率因数校正电路输出直流电源给所述逆变器。本实用新型的有益效果是本实用新型能够提供不同无极灯需求的使用频率，由于高频脉冲发生器发出的波形满足逆变器使用的功率器件的需要，使得本实用新型稳定性更高、波纹更低。
图I是本实用新型实施例一的电路图。图2是本实用新型实施例二的电路原理示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明实施例一如图I所示，本实用新型由高频脉冲发生器I和逆变器2组成；所述高频脉冲发生器I的输出端连接所述逆变器2的第一输入端；所述高频脉冲发生器I输出信号给逆变器2。所述高频脉冲发生器I包括第一控制芯片ICl ;所述第一控制芯片ICl的RT端通过串联的第一电阻Rl和第一电容Cl接地，所述第一控制芯片ICl的RT端通过第二电阻R2接地；所述第一控制芯片ICl的VCC端通过并联的第二电容C2和第三电容C3接地；所述第一控制芯片ICl的DGND端、LC端、PGND端均接地。所述逆变器2包括第二控制芯片IC2 ;所述第二控制芯片IC2的VlA端和VlB端分别与所述第一控制芯片ICl的NDRV2端和NDRVl端连接；所述第二控制芯片IC2的GNDl端、GNDB端均接地；所述第二控制芯片IC2的VDDB端与所述第一控制芯片ICl的VCC端连接；所述第二控制芯片IC2的VDDB端通过第一二极管Dl与所述第二控制芯片IC2的VADJ端连接；所述第二控制芯片IC2的VDDB端连接第一二极管Dl的正极；所述第一二极管Dl的负极连接所述第二控制芯片IC2的VADJ端；所述第一二极管Dl的负极通过第四电容C4连接所述第二控制芯片IC2的GNDA端；所述第二控制芯片IC2的VOA端通过第三电阻R3连接第一 N型MOS管Ql的栅极；所述第三电阻R3两端并联有第二二极管D2 ;所述第二控制芯片IC2的VOB端通过第四电阻R4连接第二 N型MOS管Q2的栅极；所述第四电阻R4两端并联有第三二极管D3 ;所述第一 N型MOS管Ql的漏极连接第四二极管D4的负极，所述第一 N型MOS管Ql的源极连接第四二极管D4的正极；所述第二 N型MOS管Q2的漏极连接第五二极管D5的负极，所述第二 N型MOS管Q2的源极连接所述第五二极管D5的正极；所述第一 N型MOS管Ql的源极连接所述第二 N型MOS管Ql的漏极；所述第一 N型MOS管Ql的源极连接所述第二控制芯片IC2的GNDA端；所述第二控制芯片IC2的GNDA端向阻抗匹配电路供电。所述第一控制芯片ICl采用MAX5075芯片实现，所述第二控制芯片IC3采用ADUMl230芯片实现。所述高频脉冲发生器I发送信号给所述逆变器2，使逆变器2发出信号驱动第一 N型MOS管Ql和第二 N型MOS管Q2将直流电源转为高频交流电源并输出，输出电源波纹低，稳定性高。实施例二 如图2所示，本实施例与实施例一的结构基本相同，所不同的是所述逆变器2的第二输入端连接有源功率因数校正电路3的输出端；所述有源功率因数校正电路3输出直流电源给所述逆变器2，交流输入电源经整流和滤波后，非线性负载使得输入电流波形畸变，输入电流呈脉冲波形，含有大量的谐波分量，使得功率因数很低，因此使用有源功率因数校正电路来减小谐波分量，降低线路损耗，提高功率因数。以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术人员无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思作出诸多修改和变化。 因此，凡本技术领域中技术人员依本实用新型的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
权利要求1.一种用于无极灯的高频逆变脉冲电源，包括高频脉冲发生器(1)，其特征在于还包括逆变器(2);所述高频脉冲发生器(I)的输出端连接所述逆变器(2)的第一输入端；所述高频脉冲发生器(I)输出信号给逆变器(2 )。
2.如权利要求I所述的用于无极灯的高频逆变脉冲电源；其特征在于所述高频脉冲发生器(I)包括第一控制芯片(ICl);所述第一控制芯片(ICl)的RT端通过串联的第一电阻(Rl)和第一电容(Cl)接地，所述第一控制芯片(ICl)的RT端通过第二电阻(R2)接地；所述第一控制芯片(ICl)的VCC端通过并联的第二电容(C2)和第三电容(C3)接地；所述第一控制芯片(ICl)的DGND端、LC端、PGND端均接地。
3.如权利要求I或2所述的用于无极灯的高频逆变脉冲电源，其特征在于所述逆变器(2)包括第二控制芯片(IC2);所述第二控制芯片(IC2)的VlA端和VlB端分别与所述第一控制芯片(ICl)的NDRV2端和NDRVl端连接；所述第二控制芯片(IC2)的GNDl端、GNDB端均接地；所述第二控制芯片(IC2)的VDDB端与所述第一控制芯片(ICl)的VCC端连接；所述第二控制芯片(IC2)的VDDB端通过第一二极管(Dl)与所述第二控制芯片(IC2)的VADJ端连接；所述第二控制芯片(IC2)的VDDB端连接第一二极管(Dl)的正极；所述第一二极管(Dl)的负极连接所述第二控制芯片(IC2)的VADJ端；所述第一二极管(Dl)的负极通过第四电容(C4)连接所述第二控制芯片(IC2)的GNDA端；所述第二控制芯片(IC2)的VOA端通过第三电阻(R3)连接第一 N型MOS管(Ql)的栅极；所述第三电阻(R3)两端并联有第二二极管(D2);所述第二控制芯片(IC2)的VOB端通过第四电阻(R4)连接第二 N型MOS管(Q2)的栅极；所述第四电阻(R4)两端并联有第三二极管(D3);所述第一 N型MOS管(Ql)的漏极连接第四二极管(D4)的负极，所述第一 N型MOS管(Ql)的源极连接第四二极管(D4)的正极；所述第二 N型MOS管(Q2)的漏极连接第五二极管(D5)的负极，所述第二 N型MOS管(Q2)的源极连接所述第五二极管(D5)的正极；所述第一 N型MOS管(Ql)的源极连接所述第二 N型MOS管(Ql)的漏极；所述第一 N型MOS管(Ql)的源极连接所述第二控制芯片(IC2)的GNDA端。
4.如权利要求I所述的用于无极灯的高频逆变脉冲电源，其特征是所述逆变器(2)的第二输入端连接有源功率因数校正电路(3)的输出端；所述有源功率因数校正电路(3)输出直流电源给所述逆变器(2 )。
专利摘要本实用新型公开了一种用于无极灯的高频逆变脉冲电源，属于电源领域，包括高频脉冲发生器和逆变器，所述高频脉冲发生器的输出端连接所述逆变器的第一输入端；所述高频脉冲发生器输出信号给逆变器，本实用新型能够提供不同无极灯需求的使用频率，由于高频脉冲发生器发出的波形满足逆变器使用的功率器件的需要，使得本实用新型稳定性更高、波纹更低。
文档编号H02M9/02GK202535294SQ201220097070
公开日2012年11月14日 申请日期2012年3月15日 优先权日2012年3月15日
发明者文永益, 陈朝军 申请人:重庆极光电器设备有限公司