一种双管串联升压电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种双管串联升压电路，包括MOS管Q1、二极管D1、电阻R1、MOS管Q2、稳压二极管D2及二极管D3。所述MOS管Q1的源极连接二极管D1的一端，二极管D1的另一端连接电阻R1的一端，MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的源极连接后的结点连接稳压二极管D2的一端，稳压二极管D2的另一端连接MOS管Q1的栅极、二极管D3的一端、电阻R1的另一端，二极管D3的另一端连接MOS管Q2的漏极。本实用新型将两个MOS管串联连接，降低了每个MOS管的耐压值，当输入电压为AC90V-AC750V时，即可选用耐压值为800V的常规MOS管，不仅大大降低了成本，而且提升了效率。
【专利说明】—种双管串联升压电路【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种升压电路，尤其涉及一种双管串联升压电路。
【背景技术】
[0002]传统的升压电路如图1所示，由于MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)耐压值要略高于输出电压，当矿井系统的输入电压为AC90V-AC750V时，MOS管需要选择1500V耐压的非常规MOS管，不仅成本高，而且效率低。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于通过一种双管串联升压电路，来解决以上【背景技术】部分提到的问题。
[0004]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0005]一种双管串联升压电路，包括MOS管Ql、二极管D1、电阻Rl、MOS管Q2、稳压二极管D2及二极管D3 ;其中，所述MOS管Ql的源极连接二极管Dl的一端，二极管Dl的另一端连接电阻Rl的一端，MOS管Ql的漏极与MOS管Q2的源极连接后的结点连接稳压二极管D2的一端，稳压二极管D2的另一端连接MOS管Ql的栅极、二极管D3的一端、电阻Rl的另一端，二极管D3的另一端连接MOS管Q2的漏极。
[0006]特别地，所述二极管D3选用TVS管。
[0007]本实用新型提供的双管串联升压电路将两个MOS管串联连接，降低了每个MOS管的耐压值，当输入电压为AC90V-AC750V时，即可选用耐压值为800V的常规MOS管，不仅大大降低了成本，而且提升了效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为传统升压电路结构图；
[0009]图2为本实用新型实施例提供的双管串联升压电路结构图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部内容。
[0011]请参照图 2所示，本实施例中双管串联升压电路具体包括:M0S管Q1、二极管D1、电阻Rl、MOS管Q2、稳压二极管D2、二极管D3、电容Cl、电感L1、电容C2、电容C3以及电容C4。
[0012]所述MOS管Ql的源极连接二极管Dl的一端，二极管Dl的另一端连接电阻Rl的一端，MOS管Ql的漏极与MOS管Q2的源极连接后的结点连接稳压二极管D2的一端，稳压二极管D2的另一端连接MOS管Ql的栅极、二极管D3的一端、电阻Rl的另一端，二极管D3的另一端连接MOS管Q2的漏极。所述电容Cl与电感LI串联连接后，一端连接MOS管Ql的源极，另一端连接MOS管Q2的漏极。所述电容C2、电容C3及电容C4串联连接后，一端连接MOS管Q2的漏极，另一端连接二极管Dl与电阻Rl连接后的结点。
[0013]于本实施例，所述二极管D3既可以是单一的TVS管(瞬态抑制二极管)，也可以是多个串联连接的TVS管。由于MOS管Ql与MOS管Q2串联连接，降低了 MOS管Ql和MOS管Q2的耐压值，所以当输入电压为AC90V-AC750V时，MOS管Ql和MOS管Q2即可选用耐压值为800V的常规MOS管，不仅大大降低了产品成本，而且提升了效率。
[0014]下面对本实施例中双管串联升压电路的工作原理简要进行说明。
[0015]当MOS管Q2导通时，MOS管Ql通过电阻Rl和二极管D2在GS端产生15V左右电压导通；当皿)5管02截止时，DS电压达到二极管D3端电压时，MOS管Ql的GS电压降为0，MOS管Ql截止。MOS管Q2截止时电压不超过二极管D3的电压，MOS管Ql截止电压等于输出电压减去二极管D3的电压，如果二极管D3总的钳位电压为750V，输出电压不高于1500V，可以选用耐压值为800V的常规MOS管。
[0016]本实用新型的技术方案将两个MOS管串联连接，降低了每个MOS管的耐压值，当输入电压为AC90V-AC750V时，即可选用耐压值为800V的常规MOS管，不仅大大降低了成本，而且提升了效率。
[0017]注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。
【权利要求】
1.一种双管串联升压电路，其特征在于，包括MOS管Ql、二极管D1、电阻R1、M0S管Q2、稳压二极管D2及二极管D3 ;其中，所述MOS管Ql的源极连接二极管Dl的一端，二极管Dl的另一端连接电阻Rl的一端，MOS管Ql的漏极与MOS管Q2的源极连接后的结点连接稳压二极管D2的一端，稳压二极管D2的另一端连接MOS管Ql的栅极、二极管D3的一端、电阻Rl的另一端，二极管D3的另一端连接MOS管Q2的漏极。
2.根据权利要求1所述的双管串联升压电路，其特征在于，所述二极管D3选用TVS管。
【文档编号】H02M3/155GK203734533SQ201420030985
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年1月17日 优先权日:2014年1月17日
【发明者】陈尤 申请人:无锡市金赛德电子有限公司