基于碳化硅MOSFET的驱动电路的制作方法

文档序号:15298685发布日期:2018-08-31 19:52阅读:来源:国知局
技术总结
本发明涉及一种基于碳化硅MOSFET的驱动电路。该驱动电路的开通和关断回路经过不同的回路,还包括:四个电容Ca1_H、Ca2_H、Ca1_L和Ca2_L,电容Ca2_H和Ca2_L的作用是减小封装引脚上的共源寄生电感LS2H和LS2L的影响;电容Ca1_H和Ca1_L的作用是在发生串扰时,为碳化硅MOSFET封装内部的结电容CGDH和CGDL的充放电电流提供更低阻抗的回路。本发明可用于抑制具有桥臂结构的变流器如三相桥式逆变器、全桥DC‑DC变换器等中的串扰问题,在不增加驱动电路复杂性的前提下,抑制了串扰问题引起的碳化硅MOSFET栅源极电压尖峰,提高了基于碳化硅MOSFET的电力电子装置的可靠性。

技术研发人员:李艳;梁美;郑琼林;郝瑞祥;李虹;林飞;游小杰
受保护的技术使用者:北京交通大学
技术研发日:2016.08.02
技术公布日:2018.08.31

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