开关电源中的自动假负载电路及开关电源的制作方法

文档序号:12476632阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种开关电源中的自动假负载电路,其特征是,包括单片机U15、MOSFET场效应管Q14、电阻R131、三极管Q1;

所述单片机U15的I/O端口一连接MOSFET场效应管Q14的G极,所述MOSFET场效应管Q14的S极接地,所述MOSFET场效应管Q14的D极接电阻R131的一端;所述电阻R131的另一端与开关电源中的整流滤波电路的正极输出端相接;

所述单片机U15的I/O端口二连接三极管Q1的b极,所述三极管Q1的e极接地,所述三极管Q1的c极接开关电源中的继电器K1线圈的一端,所述继电器K1线圈的另一端接电源VCC;

电阻R22一端与三极管Q1的b极相接,所述电阻R22的另一端与三极管Q1的e极相接。

2.根据权利要求1所述的开关电源中的自动假负载电路,其特征是,所述单片机U15的型号为PIC16F876A,所述MOSFET场效应管Q14型号为4N20,所述电阻R131的阻值为22KΩ,三极管Q1为NPN型。

3.一种开关电源,包括主PWM电路、逆变电路、输出整流滤波电路、单片机U15,其特征是,还包括MOSFET场效应管Q14、电阻R131、三极管Q1、继电器K1、电阻R129、电阻R130、电阻R21、电阻R22、二极管D1;所述单片机U15的型号为PIC16F876A;

所述电阻R129一端接单片机U15的23脚输出端,所述电阻R129的另一端一端接MOSFET场效应管Q14的G极,所述MOSFET场效应管Q14的S极接地;

所述电阻R130一端接MOSFET场效应管Q14的G极,所述电阻R130另一端接MOSFET场效应管Q14的S极;

所述MOSFET场效应管Q14的D极接电阻R131的一端,所述电阻R131的另一端接整流滤波电路的正极输出端;

所述单片机U15的14脚接电阻R21的一端,所述电阻R21另一端接三极管Q1的b极,所述三极管Q1的c极接二极管D1正极,所述二极管D1负极接电源VCC;

所述继电器K1的线圈与二极管D1并联连接,所述继电器K1的常开开关一端接整流滤波电路的正极输出端,所述继电器K1的常开开关的另一端接开关电源的正极输出端,所述整流滤波电路的负极输出端接开关电源的负极输出端;

所述电阻R22一端与三极管Q1的b极相接,所述电阻R22的另一端与三极管Q1的e极相接。

4.根据权利要求3所述的开关电源,其特征是,其特征是,所述MOSFET场效应管Q14型号为4N20,所述电阻R131的阻值为22KΩ,三极管Q1为NPN型,所述电阻R129阻值为1KΩ、电阻R130阻值为10KΩ。

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