一种高效隔离电路的制作方法

文档序号:11957699阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种高效隔离电路,其特征在于:包括隔离MOSFET开关(2)、电流采样电路(3)、驱动电路(4)、第一辅助电源电路(5)和第二辅助电源电路(6),所述的电流采样电路(3)实时采样DC/DC变换器(1)的输出电流并送至驱动电路(4),隔离MOSFET开关(2)的源极和漏极串接在DC/DC变换器(1)的输出正线上,当采样电流大于等于电流设定值时,驱动电路(4)产生开驱动信号至隔离MOSFET开关(2)的栅极使其导通;当采样电流小于电流设定值时,驱动电路(4)产生关驱动信号至隔离MOSFET开关(2)的栅极使其关断,并通过隔离MOSFET开关(2)的体二极管S1进行输出隔离;第一辅助电源电路(5)的输出回线与DC/DC变换器(1)的输出正线共地为隔离MOSFET开关(2)的开通提供正偏压;第二辅助电源电路(6)的输出回线与DC/DC变换器(1)的输出回线共地,为驱动电路(4)提供正偏压。

2.根据权利要求1所述的一种高效隔离电路,其特征在于:所述的驱动电路(4)包括三极管Q1、三极管Q2、电阻R3、电阻R5、二极管D1、稳压管V1,三极管Q1的集电极接电阻R3的一端,电阻R3的另一端同时接隔离MOSFET开关(2)的栅极和电阻R5的一端,电阻R5的另一端同时接稳压管V1的阴极、二极管D1的阴极和第一辅助电源电路(5)的输出正端,稳压管V1的阳极同时接第一辅助电源电路(5)的输出负端和隔离MOSFET开关(2)的源极,二极管D1的阳极同时接第二辅助电源电路(6)的输出正端、三极管Q1的基极和三极管Q2的集电极,三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极接DC/DC变换器(1)的输出回线,三极管Q2的基极接电流采样电路(3)的输出正端。

3.根据权利要求2所述的一种高效隔离电路,其特征在于:所述的驱动电路(4)还包括由电阻R1和电容C3并联构成的滤波电路,对电流采样电路(3)的输出正端的电流信号送入三极管Q2的基极之前进行滤波。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种高效隔离电路,其特征在于:所述的隔离MOSFET开关(2)为N沟道MOS管,内阻小于10mΩ。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种高效隔离电路,其特征在于:所述的电流采样电路(3)通过差分放大的形式监测DC/DC变换器(1)的输出电流。

6.根据权利要求1或2或3所述的一种高效隔离电路,其特征在于:所述的电流设定值为1A~2A。

7.根据权利要求1或2或3所述的一种高效隔离电路,其特征在于:所述的正偏压为12V。

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