1.一种电磁稳压节能装置用欠压缺相保护装置，其特征在于，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第七二极管、瞬态抑制稳压二极管、可编程稳压管、第一稳压管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第一光电耦合器、第二光电耦合器、第一三极管、第二MOS管和接触器，所述第一二极管的阴极、第三二极管的阴极、第五二极管的阴极、第一电阻的一端和瞬态抑制稳压二极管的阴极均连接，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阴极连接，所述第三二极管的阳极与所述第四二极管的阴极连接，所述第五二极管的阳极与所述第六二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极、第四二极管的阳极和第六二极管的阳极均连接，三相交流电的第一相电压与所述第一二极管和第二二极管之间的节点连接，所述三相交流电的第二相电压与所述第三二极管和第四二极管之间的节点连接，所述三相交流电的第三相电压与所述第五二极管和第六二极管之间的节点连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端、第一电容的一端和可编程稳压管的电压比较端口连接，所述第二电阻的另一端、第一电容的另一端、可编程稳压管的阳极和第一稳压管的阳极均连接，所述瞬态抑制稳压二极管的阳极通过所述第三电阻分别与所述第四电阻的一端和第五电阻的一端连接，所述第五电阻的一端还与所述第一光电耦合器的第一引脚连接，所述第五电阻的另一端分别与所述第一光电耦合器的第二引脚和第一稳压管的阴极连接，所述第四电阻的一端还与所述第二光电耦合器的第一引脚连接，所述第四电阻的另一端分别与所述第二光电耦合器的第二引脚和可编程稳压管的阴极连接；
所述第二光电耦合器的第三引脚接地，所述第二光电耦合器的第四引脚与所述第一三极管的发射极连接，所述第一光电耦合器的第三引脚通过所述第九电阻分别与所述第一三极管的基极和第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端接地，所述第一三极管的集电极接地，所述第一三极管的发射极与所述第二电容的一端连接，所述第一光电耦合器的第四引脚通过所述第八电阻分别与所述第七电阻的一端、第七二极管的阴极和接触器的一端连接，所述接触器的一端还与直流电源连接，所述第七电阻的另一端分别与所述第三电容的正极和第二电容的另一端连接，所述第三电容的负极接地，所述第七二极管的阳极分别与所述接触器的另一端和第二MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的栅极与所述第二电容的另一端连接，所述第二MOS管的源极接地。
2.根据权利要求1所述的电磁稳压节能装置用欠压缺相保护装置，其特征在于，还包括第十电阻，所述第二光电耦合器的第四引脚通过所述第十电阻与所述第一三极管的发射极连接。
3.根据权利要求2所述的电磁稳压节能装置用欠压缺相保护装置，其特征在于，还包括第十一电阻，所述第二光电耦合器的第三引脚通过所述第十一电阻接地。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的电磁稳压节能装置用欠压缺相保护装置，其特征在于，还包括第十二电阻，所述第一三极管的集电极通过所述第十二电阻接地。
5.根据权利要求4所述的电磁稳压节能装置用欠压缺相保护装置，其特征在于，还包括第十三电阻，所述第二MOS管的源极通过所述第十三电阻接地。
6.根据权利要求1所述的电磁稳压节能装置用欠压缺相保护装置，其特征在于，所述第一三极管为PNP型三极管。
7.根据权利要求1所述的电磁稳压节能装置用欠压缺相保护装置，其特征在于，所述第二MOS管为N沟道MOS管。