一种双通道供电装置和电子设备的制作方法

技术特征：

1.一种双通道供电装置，其特征在于，包括：第一防反单元，第二防反单元、防串扰单元；

所述第一防反单元包括PMOS管，所述PMOS管的漏极外接第一功率电源，源极分别连接所述第二防反单元以及外部的负载；栅极与所述防串扰单元相连；

所述第二防反单元包括第一二极管；所述第一二极管的正极分别连接所述防串扰单元以及外部的第二功率电源，负极分别连接所述PMOS管的源极以及所述负载；其中，所述第一功率电源的供电功率大于所述第二功率电源的供电功率；

所述防串扰单元连接在所述PMOS管的栅极以及所述第一二极管的正极之间；在所述第二功率电源上电时，所述防串扰单元导通；在所述第一功率电源上电时，所述防串扰单元截止。

2.根据权利要求1所述的双通道供电装置，其特征在于：在所述第一功率电源上电时，所述第一防反单元的所述PMOS管导通。

3.根据权利要求1所述的双通道供电装置，其特征在于：所述第一防反单元还包括第一电阻和第三二极管；其中，

所述PMOS管的漏极连接外部的所述第一功率电源；栅极分别与所述第一电阻的一端和所述第三二极管的正极相连；源极与所述第三二极管的负极相连；

所述第一电阻的一端与所述PMOS管的栅极相连，另一端接地；

所述第三二极管的正极分别与所述第一电阻的一端和所述PMOS管的栅极相连，负极与所述PMOS管的源极相连。

4.根据权利要求3所述的双通道供电装置，其特征在于：所述第三二极管为稳压二极管。

5.根据权利要求1所述的双通道供电装置，其特征在于：所述防串扰单元包括第四二极管；

其中，所述第四二极管的正极分别与所述第一二极管的正极和所述第二功率电源相连，负极与所述PMOS管的栅极相连。

6.根据权利要求1所述的双通道供电装置，其特征在于：所述防串扰单元包括PNP三极管，其中，所述PNP三极管的发射极分别与所述第一二极管的正极和所述第二功率电源相连，基极接地，集电极与所述PMOS管的栅极相连。

7.根据权利要求6所述的双通道供电装置，其特征在于：所述防串扰单元还包括第二电阻，所述PNP三极管的基极通过所述第二电阻接地。

8.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括如权利要求1-7中任一项所述的双通道供电装置。