1.一种断电保护电路，其特征在于：其包括交流电输入端、整流降压电路、自锁电路、可控硅触发电路、可控硅、主控开关、第一负载输入端和第二负载输入端；所述的可控硅的阴极连接交流电输入端的N极，交流电输入端的L极通过主控开关连接第一负载输入端，可控硅的阳极连接第二负载输入端；所述的整流降压电路与交流电输入端连接，整流降压电路分别与自锁电路和可控硅触发电路连接；所述的可控硅触发电路用于为可控硅提供导通的触发电压信号；所述自锁电路用于为可控硅触发电路提供导通的触发电压信号。
2.根据权利要求1所述的断电保护电路，其特征在于：所述的整流降压电路包括电阻R1、二极管D1、电阻R2和电容C1，二极管D1的正极通过电阻R1与交流电输入端的L极连接，二极管D1的负极依次通过电阻R1和电容C1与交流电输入端的N极连接。
3.根据权利要求2所述的断电保护电路，其特征在于：所述的自锁电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5和三极管Q1，电阻R3与电容C1并联，三极管Q1的发射极与集电极之间并联电阻R3,三极管Q1的基极与发射极之间并联电阻R5。
4.根据权利要求3所述的断电保护电路，其特征在于：所述的可控硅触发电路包括触发二极管DB3、电阻R7、电阻R8、电容C2、MOS管Q2，触发二极管DB3的一端连接可控硅的控制极，触发二极管DB3的另一端通过电阻R7与交流电输入端的N极连接，电容C2的电容值小于电容C1的电容值；
所述的主控开关包括主开关和辅助开关，主开关与辅助开关同时开启或关闭，交流电输入端的L极通过主开关连接第一负载输入端，交流电输入端的N极依次通过电阻R7、电阻R8、辅助开关连接第二负载输入端；
所述的MOS管Q2的S极连接交流电输入端的N极，MOS管Q2的D极连接电容C2与电阻R4的连接点，MOS管Q2的G极连接三极管Q1的集电极。
5.根据权利要求1所述的断电保护电路，其特征在于：所述的可控硅的阳极与阴极之间还并联有压敏电阻RT1。