带双向TVS输入滤波的全波整流桥的制作方法

本实用新型属于电子器件领域，具体地说是一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥。

背景技术：

交流电网干扰、雷击和电力设备启停等因素产生的瞬态干扰是造成电子设备和线路损坏的重要原因，常造成巨大的损失。瞬态电压抑制二极管（TVS）是一种二极管形式的高效能保护器件，其具有极快的响应速度和极高的浪涌吸收能力。当TVS二极管两端受到反向瞬态过压脉冲时，能在极短的时间内将高阻抗降低至很低的导通值，吸收瞬间大电流，并将电压箝制在预设的数值上，从而有效确保了后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击。现有的带SMD整流桥的电路中， TVS管一般添加于电源模块，用于保护整流桥和负载中的所有元器件，这样单独焊接TVS管极大占用了PCB板的空间，不利于PCB板小型化发展。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的问题，本实用新型旨在提供一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥，所述带双向TVS输入滤波的全波整流桥结构紧凑，所占用的体积更小，有利于PCB板小型化发展。

本实用新型为实现上述目的，通过以下技术方案实现：

一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥，它包括第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片、第四二极管芯片、一个双向TVS管芯片、第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架和第四引线框架；

所述四个二极管芯片技术指标相同，顶面均为P型，底面均为N型；

所述双向TVS管芯片和第一二极管芯片固定设于第一引线框架上，双向TVS管芯片通过导线连接第三引线框架，第一二极管芯片通过导线连接第二引线框架；

所述第二二极管芯片和第四二极管芯片固定设于第四引线框架上，第二二极管芯片通过导线连接第一引线框架，第四二极管芯片通过导线连接第三引线框架；

所述第三二极管芯片固定设于第三引线框架上，通过导线连接第二引线框架；

所述第一引线框架与第三引线框架作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架分别作为负、正极引脚。

作为限定：所述第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架、第四引线框架处于同一平面内。

第二种限定：所述双向TVS管芯片和各个二极管芯片分别通过其底面设置的粘接料固定设于所在的引线框架上，与所在的引线框架电连接，所述粘接料为导电胶或软焊料。

第三种限定：所述导线采用铜线，铜线一端连接芯片上的焊盘、另一端连接相应连接的引线框架上的焊盘。

第四种限定：所述第一二极管芯片、第二二极管芯片、第三二极管芯片、第四二极管芯片均为GPP二极管芯片。

由于采用了上述的技术方案,本实用新型与现有技术相比，所取得的技术进步在于：

（1）将TVS跟传统的整流桥集成在一起，能够在整流桥受到反向瞬态过压脉冲时，在极短的时间内将高阻抗降低至很低的导通值，吸收瞬间大电流，并将电压箝制在预设的数值上，从而有效确保了整流桥以及后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击，同时有助于提高电路的集成度，减小PCB板面积，降低成本；

（2）所有引线框架均位于同一平面上，令整体整流桥结构的封装厚度更小，体积也更小，布局更加紧凑；

（3）本实用新型的所有二极管芯片极性朝向一致，方便生产。

综上所述，本实用新型结构紧凑、体积小，使用安装方便，生产方便，能够有效确保了整流桥以及后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击，适用于任意PCB电路板，有利于PCB板小型化发展。

下面将结合具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。

在附图中：

图1为本实用新型的内部芯片电路连接示意图；

图2为本实用新型实施例1的俯视图；

图3为本实用新型实施例1的主视图；

图4为本实用新型实施例1的左视图；

图5为本实用新型实施例2的俯视图；

图6为本实用新型实施例2的主视图；

图7为本实用新型实施例2的左视图；

图8为本实用新型实施例3的俯视图；

图9为本实用新型实施例3的主视图；

图10为本实用新型实施例3的左视图。

标注部件：1-1、第一引线框架, 1-2、第二引线框架, 1-3、第三引线框架, 1-4、第四引线框架, 2-1、第一二极管芯片, 2-2、第二二极管芯片，2-3、第三二极管芯片，2-4、第四二极管芯片，3、双向TVS管芯片，4、粘接料， 5、焊盘，6、导线。

具体实施方式

实施例 1 带双向TVS输入滤波的全波整流桥

本实施例提供了一种带双向TVS输入滤波的全波整流桥，如图1所示，是本实用新型的内部芯片电路连接示意图，如图2、图3和图4所示，它包括第一引线框架1-1、第二引线框架1-2、第三引线框架1-3、第四引线框架1-4、第一二极管芯片2-1、第二二极管芯片2-2、第三二极管芯片2-3、第四二极管芯片2-4、双向TVS管芯片3、粘接料4、焊盘5和导线6；

第一引线框架、第二引线框架、第三引线框架、第四引线框架处于同一平面内，第一引线框架与第三引线框架作为交流引脚，第二引线框架作为负极引脚，第四引线框架作为正极引脚。

四个二极管芯片为技术指标相同的GPP二极管芯片，且顶面为P型、底面为N型。

双向TVS管芯片和第一二极管芯片通过其底面设置的粘接料固定设于第一引线框架上，双向TVS管芯片通过导线连接第三引线框架，第一二极管芯片通过导线连接第二引线框架；第二二极管芯片和第四二极管芯片通过其底面设置的粘接料固定设于第四引线框架上，第二二极管芯片通过导线连接第一引线框架，第四二极管芯片通过导线连接第三引线框架；第三二极管芯片通过其底面设置的粘接料固定设于第三引线框架上，通过导线连接第二引线框架；双向TVS管芯片和各个二极管芯片分别与所在的引线框架电连接，所述粘接料为导电胶或软焊料。

在本实施例中，导线采用铜线，铜线一端连接芯片上的焊盘、另一端连接相应连接的引线框架上的焊盘。

实施例 2 带双向TVS输入滤波的全波整流桥

如图5、图6和图7所示，本实施例中的带双向TVS输入滤波的全波整流桥在芯片布局及芯片与引线框架连接关系上大体与实施例1中的带双向TVS输入滤波的全波整流桥相同。不同的地方是：（1）在实施例1中，第一引线框架上与第二二极管芯片相连接的焊盘位于整流桥中央第一引线框架与第三引线框架相邻处，在本实施例中，上述焊盘位于双向TVS管芯片与第一二极管芯片之间靠近第四引线框架处；（2）在实施例1中，第三引线框架上与TVS管芯片相连接的焊盘位于整流桥左边缘处，在本实施例中，第三引线框架向整流桥中央延伸，该焊盘处于该延伸部位上。

实施例 3 带双向TVS输入滤波的全波整流桥

在实施例2中，从其俯视图（图5）和主视图（图6）可以看出，第四二极管芯片和第二二极管芯片在一条直线上，从其俯视图（图5）和左视图（图7）中可以看出，第三二极管芯片相对第四二极管芯片位置靠后。如图8、图9和图10所示，本实施例中的带双向TVS输入滤波的全波整流桥在实施例2中带双向TVS输入滤波的全波整流桥的基础上做出了改动：从其俯视图（图8）和主视图（图9）可以看出，第四二极管芯片相对第二二极管芯片位置靠右，从其俯视图（图8）和左视图（图10）中可以看出第四二极管芯片和第三二极管芯片在一条直线上。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。