一种MOSFET并联电路系统的制作方法

本实用新型涉及电动汽车电机驱动领域，具体涉及一种MOSFET并联电路系统。

背景技术：

随着国家新能源产业的发展，电动车行业也得到了巨大的发展，尤其是电动车驱动技术。电机驱动系统目前主要有两个方向，一类是低压系统，电池电压一般在100V以下，主要应用于低速移动交通工具，如低速电动车、无人侦察车等；另一类则是高压系统，电池电压一般在200V以上，主要应用于高速移动交通工具，如高速电动车辆、高速铁路机车等。电机驱动器主要采用Insulated Gate Bipolar Transistor即绝缘栅双极型晶体管(以下简称IGBT)或者Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化物半导体场效应晶体管(以下简称MOSFET)作为主要功率器件，而IGBT目前市场价格高昂，MOSFET以其开关速度快，易于并联，成本相对较低等特点，非常适合低压系统。但随着电机驱动器功率的增加，单只MOSFET的电流远远不能满足驱动器的要求，因而多只MOSFET并联得到大量的应用，电机驱动主拓扑图(连接关系图)如图1所示，其中Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6由2～16只MOSFET并联连接。多只MOSFET并联虽然满足了大功率电机驱动器的要求，但多只MOSFET并联电流均流也尤为重要，因此MOSFET并联电路结构的设计至关重要。

如图2所示，目前MOSFET的并联电路多采用贴片封装，MOSFET的并联电路焊接在PCB铝基板上,在现有技术中，大多数并联MOSFET管的栅极走线，未按照等长等距走线，而是呈单排布局，驱动信号从单端输入，当高速开关频率变化时，布局在后端的MOSFET管，由于受PCB阻抗的影响，会延缓MOSFET的导通性能，从而导致整个并联MOSFET的电流不一致，单颗MOSFET会一直承受过大的电流，随着时间的推移，最终导致MOSFET损坏。

技术实现要素：

本实用新型目的在于克服现有技术的不足，提供一种MOSFET并联电路系统，使得MOSFET栅极电阻保持一致，以达到MOSFET电流均衡的目的。

具体技术方案如下：

一种MOSFET并联电路系统，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号；n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET，所述MOSFET到所述驱动信号的距离均相等。

优选的，所述MOSFET组以及驱动信号焊接在PCB上。

优选的，所述n为1～6。

优选的，所述MOSFET包括第一接触点和第二接触点；所述MOSFET并联电路系统包括位于右上方、左上方、右下方和左下方的四个MOSFET组，位于右上方和位于右下方的MOSFET组中的MOSFET的第一接触点均与所述驱动信号连接，位于左上方和位于左下方的MOSFET组中的MOSFET的第二接触点均与所述驱动信号连接。

应用本实用新型的技术方案，具有以下有益效果：

MOSFET并联电路的布局是否对称，将直接影响并联MOSFET的导通和关断同时性，本实用新型一种MOSFET并联电路系统采用一种等长等距布线方式，从而使得流过每个MOSFET的电流相同，各个MOSFET发热均衡，保护每颗MOSFET不被损坏，保证每个并联的MOSFET的使用寿命基本相同。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1是电机控制器驱动拓扑图；

图2是现有技术MOSFET并联电路系统图；

图3是本实用新型一种MOSFET并联电路系统图。

图中标号：x、驱动信号；y、MOSFET。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

如图3所示，本实用新型提供一种MOSFET并联电路系统，所述MOSFET并联电路焊接在PCB上，包括n个并联的MOSFET组以及驱动信号(图3中标示为x)；n为大于等于1的整数，每个MOSFET组并联有四个MOSFET(图3中标示为y)，所述MOSFET到所述驱动信号的距离均相等，从而使得流过每个MOSFET的电流相同，进而使得各个MOSFET发热均衡，单颗MOSFET由于不会一直承受过大的电流，从而保护了每颗MOSFET不被损坏,这就保证了每个并联的MOSFET的使用寿命基本相同。

实施例1：

n＝4，所述MOSFET并联电路系统包括位于右上方、左上方、右下方和左下方的四个MOSFET组，每个MOSFET组并联有4个MOSFET，每个MOSFET包括第一接触点和第二接触点；位于右上方和位于右下方的MOSFET组中的MOSFET的第一接触点均与所述驱动信号连接，位于左上方和位于左下方的MOSFET组中的MOSFET的第二接触点均与所述驱动信号连接。所述驱动信号位于4个小组的正中间，位于右上方和位于右下方的两个MOSFET组关于驱动信号轴对称分布，位于左上方和位于左下方的两个MOSFET组关于驱动信号轴对称分布，则此16个并联的MOSFET到驱动信号的距离均相等，从而使得流过每个MOSFET的电流均相同，进而使得各个MOSFET发热均衡，单颗MOSFET由于不会一直承受过大的电流，从而保护了每颗MOSFET不被损坏,这就保证了每个并联的MOSFET的使用寿命基本相同。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。